甘肅品質(zhì)CeYAG晶體價格

來源: 發(fā)布時間:2022-06-09

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體,具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖,較大優(yōu)點是其發(fā)光中心波長為550nm,可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比,CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間(約70ns,而CsI衰減時間約為300ns),而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定,主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域,另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1),使Ce離子很難摻入YAG晶體中,而且隨著晶體直徑的增大,晶體生長難度急劇增加。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬,容易從鉬坩堝中取出。甘肅品質(zhì)CeYAG晶體價格

如果高能射線入射,其熒光光譜向紅色移動,發(fā)射波長為550納米,可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少?當(dāng)無機閃爍體中電子(空穴)的能量小于電離閾值時((Ce:YAG屬于無機閃爍體),電子(空穴)開始與晶格相互作用,即所謂的電子-聲子弛豫或熱化。在熱化過程中,電子和空穴分別向無機閃爍晶體導(dǎo)帶的下部和價帶的上部移動,終形成一定數(shù)量的熱化電子空穴對,能量約為禁帶寬度eg。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。甘肅品質(zhì)CeYAG晶體價格CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料。

Ce:YAG晶體拋光難度大嗎?CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎?Ce:YAG晶體,屬于無機閃爍晶體的一種。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。由無機閃爍晶體、光電倍增管或硅光電二極管以及后續(xù)的電子器件組成的閃爍探測器,可以將肉眼不可見的微觀射線或粒子轉(zhuǎn)化為可顯示的信號或圖像,供人們分析處理。所以閃爍探測器充當(dāng)了人們認識微觀世界的“眼睛”。一百多年前,康拉德倫琴(Conrad Reentgen)使用CaWO4作為X射線熒光屏,這是頭1個使用無機閃爍材料的例子。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比,氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。因此,鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道,多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征,尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能,如Ce:YAP,Ce:YAG,Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體,被譽為新一代高性能無機閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間。

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能,而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。因此,用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外,Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小,光衰減快,在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解,有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。無機閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣,可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。陜西國產(chǎn)CeYAG晶體生產(chǎn)廠家

閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料。甘肅品質(zhì)CeYAG晶體價格

Ce:YAG晶體的硬度能達到多少?深剖Ce;YAG晶體,隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心,其能量轉(zhuǎn)移效率高;相反,能量傳遞效率低。這種情況下,電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲,形成各種F-H色心對。同時,電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產(chǎn)生自陷,比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心,這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。甘肅品質(zhì)CeYAG晶體價格

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