目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。浙江白光LED用CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)
鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學(xué)性質(zhì)。浙江白光LED用CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。
電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時(shí)，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級(jí)光電子。
CeYAG晶體的一些相關(guān)知識(shí)你知道多少呢？和小編一起來看看吧，采用真空坩堝下降法生長了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對(duì)色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍(lán)光LED的發(fā)射波長相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅(qū)動(dòng)電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對(duì)色溫幾乎不變。在100mA時(shí)，白光LED顯色指數(shù)達(dá)到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？高光輸出快速衰減無機(jī)閃爍晶體的興起。相對(duì)光輸出通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的光輸出。
高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面： 1、研究高溫閃爍晶體中存在的各種點(diǎn)缺陷及其對(duì)閃爍性能的影響，真正實(shí)現(xiàn)無機(jī)閃爍晶體的分子優(yōu)化與分子設(shè)計(jì)。2、發(fā)展混合型高溫閃爍晶體將是今后發(fā)展的趨勢(shì)之一。例如，Ce:LuAP高溫閃爍晶體具有十分誘人閃爍性能，但是在晶體生長過程中容易生成石榴石相，很難獲得穩(wěn)定的LuAP相，從而限制了晶體的使用.1近，研究表明，與Ce:LuAP晶體相比，混合型晶體Lux(RE3+)1-xAP:Ce (RE3+ = Y3+ or Gd3+)可以降低晶體生長難度以及生產(chǎn)成本，同時(shí)閃爍性能也比較理想。CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。江西生長CeYAG晶體直銷
無機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。浙江白光LED用CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)
發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測器的整機(jī)性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當(dāng)濃度繼續(xù)增加到1.08%時(shí)，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應(yīng)用價(jià)值。浙江白光LED用CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)
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