甘肅LD泵浦TmYAP晶體廠家

20世紀(jì)80年代，激光二極管和激光二極管陣列的研究取得了很大進(jìn)展，使激光二極管泵浦固體激光器的研究進(jìn)入了一個(gè)新的階段，極大地促進(jìn)了固體激光器件、技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展。實(shí)驗(yàn)中使用的衍射儀為XDC-1000型金尼爾-哈格相機(jī)，銅靶K1輻射，波長=1.540598，-2掃描模式，管電壓和管電流分別為40kV和100毫安，掃描速度為4 /min。為了分析晶體的相組成、結(jié)晶度和雜質(zhì)相，必須將晶體在瑪瑙研缽中研磨成粉末樣品，然后進(jìn)行精細(xì)的x光粉末衍射掃描。得到的衍射數(shù)據(jù)可以用Rietveld全譜峰形擬合，較終計(jì)算出晶胞參數(shù)。Tm:YAP晶體的795nm泵浦吸收帶與常用的高功率AlGaAs二極管發(fā)射波長匹配得更好。甘肅LD泵浦TmYAP晶體廠家

由于Tm:YAP的各向異性，對(duì)3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面，我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進(jìn)行了計(jì)算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長，I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強(qiáng)度，n為折射率，τrad為上能級(jí)輻射壽命。5at%Tm:YAP各偏振方向發(fā)射截面計(jì)算結(jié)果如圖4-19所示，其中E//a方向在1934nm具有比較大發(fā)射截面4.5×10-21cm2，接近于報(bào)道數(shù)據(jù)5.0×10-21cm2。3at%Tm:YAP、4at%Tm:YAP、5at%Tm:YAP晶體E//a發(fā)射截面在1934nm處基本相同。江蘇TmYAP晶體廠家直供稀土金屬是位于元素周期表ⅢB族中鈧、釔、鑭系17種元素的總稱，頭一個(gè)稀土元素發(fā)現(xiàn)距今已有227年。

Tm:YAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)圖有嗎？在某工業(yè)大學(xué)可調(diào)諧激光實(shí)驗(yàn)室測(cè)試了濃度分別為3at%、4at%和5at%的Tm:YAP晶體的激光性能。相干場(chǎng)匹配功率計(jì)用于測(cè)量激光功率，探頭為PM-30。激光波長由波長為30cm、光柵常數(shù)為300巴/毫米、閃耀波長為2m的WDG30光柵單色儀測(cè)量。3at%Tm:YAP激光實(shí)驗(yàn)在18水冷溫度下進(jìn)行，樣品沿b方向垂直切割，尺寸為448mm3。當(dāng)注入功率為22W時(shí)，獲得波長為1.94m的5W激光輸出，光-光轉(zhuǎn)換效率為23%。當(dāng)輸出鏡的傳輸耦合比為5%且8mm長晶體一起使用時(shí)，諧振器的傳輸損耗降低，輸出增益較低的1.98~1.99m波長振蕩。

下面以Tm:YAP吸收和發(fā)射光譜為基礎(chǔ)，對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行了計(jì)算。Tm:YAP晶體生長、光譜和激光性能研究。室溫下晶體的吸收光譜是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光譜儀上測(cè)定的。測(cè)試范圍一般為190~2500nm，從190~350nm范圍，光源為氘燈（deuterium lamp），從340~2500nm范圍用鹵燈（halogen lamp）。在我們的實(shí)驗(yàn)中，測(cè)試范圍一般為190-2100，光譜分辨率為2nm。測(cè)試的原理是根據(jù)光的吸收定律（Lambert’s law）： I/I0=e-αL(2-4)其中I0為入射光強(qiáng)度，I為透過樣品厚度為L的介質(zhì)后的光強(qiáng)度，α為吸收系數(shù)。測(cè)試得到的吸收光譜數(shù)據(jù)為各波長下的光密度D，即lg(I/I0)。光密度D、吸收截面積σabs和吸收系數(shù)α具有如下的關(guān)系：α=(2-5)；σabs=(2-6)式中N為離子的摻雜濃度。晶體變溫吸收譜采用液氦冷卻，MiniStat控溫裝置來實(shí)現(xiàn)，紅外吸收譜光源為白光，光譜儀為Nicolet Nexus 470/670/870傅立葉紅外光譜儀，分辨率為0.2nm。 摻銩釔鋁石榴石晶體棒的直徑為從2mm到7mm,棒的長度達(dá)100mm。

共摻Tm3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級(jí)與Tm3的3F4能級(jí)相匹配，很容易實(shí)現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實(shí)現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移，影響上能級(jí)粒子的聚集，降低激光效率。例如，HO:LULIF4激光器的比較高單脈沖能量可達(dá)1J，而其比較高斜率效率*為16.5%。因此，開發(fā)Tm3和Ho3共摻固體激光器的關(guān)鍵是找到合適的激光基質(zhì)來提高Tm3和Ho3之間的能量轉(zhuǎn)移效率，從而提高激光輸出效率。用直拉法可成功地生長了濃度分別為1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶體。江蘇TmYAP晶體廠家直供

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Tm:YAP晶體的熱導(dǎo)率多少？Tm:YAP晶體的激光實(shí)驗(yàn)研究我們采用實(shí)驗(yàn)裝置，對(duì)3at%、4at%及5at%濃度Tm:YAP晶體在哈爾濱工業(yè)大學(xué)可調(diào)諧激光實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了激光性能的測(cè)試。激光功率的測(cè)量采用Coherent Fieldmate功率計(jì)，探頭為PM-30。激光波長的測(cè)量采用WDG30光柵單色儀，焦距30cm，光柵常數(shù)300條/mm，閃耀波長2mm。我們通過XRD測(cè)試對(duì)所生長Tm:YAP晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜比較，其中摻Tm3+YAP晶體與純YAP晶體的衍射圖譜完全一致，沒有出現(xiàn)雜峰，說明Tm:YAP晶體結(jié)晶完整，呈完好的YAP相。甘肅LD泵浦TmYAP晶體廠家

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