大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍(lán)光LED芯片功率的不斷上升，散熱和光衰減等問題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來。為探索大功率LED特種照明，基于陣列藍(lán)光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體，采用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)裝置，在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃度(物質(zhì)的量濃度)晶棒對于藍(lán)光的吸收、大功率LED激發(fā)不同Ce離子摻雜濃度晶棒的出光效果、晶棒端面處理情況對于出光的影響等。結(jié)果表明，利用氮化鋁制成的基板滿足大功率LED的散熱需求，摻雜濃度為0.8%的晶棒出光光通量更高，對晶棒端面進(jìn)行處理可大幅提升出光光通量。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。湖北國產(chǎn)CeYAG晶體作用
在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個(gè)子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。湖北國產(chǎn)CeYAG晶體作用如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。
你對CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測成像應(yīng)用外，在高能物理與核物理實(shí)驗(yàn)、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復(fù)雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點(diǎn)，限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)均勻性，無雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴(kuò)散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。
Ce:YAG無機(jī)閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無機(jī)閃爍晶體已經(jīng)不能滿足閃爍晶體在許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個(gè)要求)。而且，隨著閃爍探測器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機(jī)閃爍晶體的局限性將日益突出。另一方面，市場對高光輸出快速衰減的新型無機(jī)閃爍晶體的需求將變得日益迫切。例如，為了提高PET探測器的時(shí)空分辨率，新一代PET探測器往往要求無機(jī)閃爍晶體具有更大的光輸出、更快的衰減常數(shù)(小于100ns)和更高的密度(大于7g/cm3) [41]。CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。
CeYAG晶體的一些相關(guān)知識你知道多少呢？和小編一起來看看吧，采用真空坩堝下降法生長了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍(lán)光LED的發(fā)射波長相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅(qū)動(dòng)電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對色溫幾乎不變。在100mA時(shí)，白光LED顯色指數(shù)達(dá)到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？高光輸出快速衰減無機(jī)閃爍晶體的興起。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。貴州品質(zhì)CeYAG晶體廠家直銷
Ce:YAG屬于無機(jī)閃爍體。湖北國產(chǎn)CeYAG晶體作用
CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。湖北國產(chǎn)CeYAG晶體作用
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