鈰離子摻雜高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測(cè)領(lǐng)域中尚需時(shí)日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對(duì)閃爍性能影響較大，同時(shí)激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機(jī)制也比較復(fù)雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長(zhǎng)方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點(diǎn)使得大尺寸高質(zhì)量閃爍晶體的生長(zhǎng)較為困難。鈰離子摻雜無機(jī)閃爍晶體的研究現(xiàn)狀，由于鈰離子摻雜的無機(jī)閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點(diǎn)，因此從20世紀(jì)80年代末和90年代初開始。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間。福建雙摻CeYAG晶體現(xiàn)貨直供
當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的光輸出。云南雙折射CeYAG晶體廠家直供閃爍晶體可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)。
Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce:YAG晶體，屬于無機(jī)閃爍晶體的一種。無機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。由無機(jī)閃爍晶體、光電倍增管或硅光電二極管以及后續(xù)的電子器件組成的閃爍探測(cè)器，可以將肉眼不可見的微觀射線或粒子轉(zhuǎn)化為可顯示的信號(hào)或圖像，供人們分析處理。所以閃爍探測(cè)器充當(dāng)了人們認(rèn)識(shí)微觀世界的“眼睛”。一百多年前，康拉德倫琴(Conrad Reentgen)使用CaWO4作為X射線熒光屏，這是頭1個(gè)使用無機(jī)閃爍材料的例子。
Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？CeYAG晶體可以用于核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)以及核測(cè)量學(xué)等領(lǐng)域中？在大多數(shù)無機(jī)閃爍晶體中，經(jīng)常顯示兩個(gè)或更多的光衰減時(shí)間常數(shù)，它們分別對(duì)應(yīng)于快成分和慢成分。BaF2晶體是目前所有無機(jī)閃爍晶體中光衰減常數(shù)0快(約0.8ns)的閃爍材料。此外，BaF2還具有約600毫微秒的慢分量。在許多閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用中，不只無機(jī)閃爍晶體的光衰減性能特別重要，其光輸出性能也同樣重要。因此，品質(zhì)因數(shù)(M)通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的性能，M指光輸出與光衰減的比率。新一代閃爍晶體在核醫(yī)學(xué)影像診斷、安全檢查、地質(zhì)勘探、無損檢測(cè)等各種射線的探測(cè)領(lǐng)域有著很多應(yīng)用。
文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報(bào)道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對(duì)光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對(duì)于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時(shí)間約為26.7±0.12ns，強(qiáng)度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對(duì)于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強(qiáng)度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。無機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對(duì)的產(chǎn)生。福建雙摻CeYAG晶體現(xiàn)貨直供
Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。福建雙摻CeYAG晶體現(xiàn)貨直供
CeYAG晶體，屬于無機(jī)閃爍體。無機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用[2]-[12]；此外，無機(jī)閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展，為改進(jìn)現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無機(jī)閃爍晶體提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。福建雙摻CeYAG晶體現(xiàn)貨直供
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