山西品質(zhì)CeYAG晶體報價

來源: 發(fā)布時間:2022-04-26

大功率LED照明的需求越來越大,但隨著藍光LED芯片功率的不斷上升,散熱和光衰減等問題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來。為探索大功率LED特種照明,基于陣列藍光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體,采用創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)裝置,在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃度(物質(zhì)的量濃度)晶棒對于藍光的吸收、大功率LED激發(fā)不同Ce離子摻雜濃度晶棒的出光效果、晶棒端面處理情況對于出光的影響等。結(jié)果表明,利用氮化鋁制成的基板滿足大功率LED的散熱需求,摻雜濃度為0.8%的晶棒出光光通量更高,對晶棒端面進行處理可大幅提升出光光通量。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下,能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。山西品質(zhì)CeYAG晶體報價

Ce:YAG 晶體在徑向不同位置的紅外吸收譜圖嗎?在幾乎所有的閃爍計數(shù)領(lǐng)域,都要求無機閃爍晶體具有快速的時間衰減常數(shù)。光衰減時間小于50ns的閃爍體通常稱為快閃爍體,光衰減時間小于3n的閃爍體稱為超快閃爍體。文獻總結(jié)了三種主要的快速光衰減機制,即:中心價躍遷。對應于這種躍遷的閃爍熒光也稱為交叉熒光或俄自由熒光,簡稱CVL。這種發(fā)光機制的光衰減通常只有0.6-3 ns超快熒光,沒有溫度猝滅效應。這種熒光0早發(fā)現(xiàn)于BaF2晶體(=220 nm,0.8ns),是由外中心帶(5pBa)的空穴和價帶(2pF)的電子復合而發(fā)出的超快熒光山西品質(zhì)CeYAG晶體報價CeYAG晶體的優(yōu)勢:發(fā)射波長與硅光二極管的靈敏探測波長匹配。

閃爍晶體可以應用的領(lǐng)域有很多,你知道嗎?下文就居一些簡單的例子,感興趣的一起來看看吧,在醫(yī)院,利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線,在PET/CT機上獲取人體的功能和代謝顯像,代謝率高的組織或病變呈亮信號,代謝率低的呈暗信號,通過圖像醫(yī)生可以快速診斷出人體各部位的病變、相關(guān)組織的大小和位置,用于病癥早期診斷和醫(yī)治。在油田,利用閃爍晶體獲得地層放射性物質(zhì)含量和種類分布等數(shù)據(jù),從而判斷地層油氣含量和位置。

CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研究,利用伽瑪射線研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷,比較了采用提拉法和溫梯法生長的Ce3+Y0Al5O12晶體中產(chǎn)生的不同色心缺陷,并利用吸收光譜,激發(fā)發(fā)射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因,指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進一步分析了YAG晶體的輻照,證實了370nm色心的來源,表明370nm吸收帶與F-類色心相關(guān)。一直到1992年,Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著,Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究,并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。 CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作。

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)е绿綔y元件閃爍性能的差異,在一定程度上降低了閃爍探測器的整機性能。研究表明,Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加(0.012%-0.21%),Ce:YAG晶體的光輸出增大(1000-1420phe/Mev),當濃度繼續(xù)增加到1.08%時,其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應用價值。CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。湖北人工CeYAG晶體廠家

CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu),并且很容易制造出透明的對稱性很好的晶體。山西品質(zhì)CeYAG晶體報價

ce : YAG晶體的閃爍特性及其應用。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能,而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應用。因此,用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外,Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應用。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體響應小,光衰減快,在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解,有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。山西品質(zhì)CeYAG晶體報價

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