在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。Ce:YAG屬于無(wú)機(jī)閃爍體。廣東白光LED用CeYAG晶體出廠價(jià)
光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用都要求無(wú)機(jī)閃爍晶體具有快速的光衰減常數(shù)。根據(jù)熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數(shù)為光衰減時(shí)間，其中c是光速，me是電子的質(zhì)量，e是電子的電荷，f是振子強(qiáng)度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長(zhǎng)。從上面的公式可以推斷出發(fā)射短波長(zhǎng)閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數(shù)。此外，雜質(zhì)或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會(huì)降低晶體的光輸出。廣東白光LED用CeYAG晶體出廠價(jià)Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快。
如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？當(dāng)無(wú)機(jī)閃爍體中電子(空穴)的能量小于電離閾值時(shí)（(Ce:YAG屬于無(wú)機(jī)閃爍體），電子(空穴)開始與晶格相互作用，即所謂的電子-聲子弛豫或熱化。在熱化過(guò)程中，電子和空穴分別向無(wú)機(jī)閃爍晶體導(dǎo)帶的下部和價(jià)帶的上部移動(dòng)，終形成一定數(shù)量的熱化電子空穴對(duì)，能量約為禁帶寬度eg。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。
什么是閃爍晶體？對(duì)于閃爍晶體你了解得多嗎？它應(yīng)用在哪些方面呢？在醫(yī)學(xué)上，閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。同時(shí)，在行李安檢、集裝箱檢查、大型工業(yè)設(shè)備無(wú)損探傷、石油測(cè)井、放射性探測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。既然說(shuō)閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料，那么測(cè)試閃爍晶體的發(fā)射光譜就必不可少了。此類材料主要用X射線做激發(fā)，用可見波段響應(yīng)的探測(cè)器進(jìn)行探測(cè)采集。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭＝?jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無(wú)機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。
在顯示正?；虍惓９δ芊矫?，PET具有其他成像方法無(wú)法替代的優(yōu)勢(shì)。在發(fā)達(dá)國(guó)家，正電子發(fā)射斷層掃描已經(jīng)成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如，自1998年以來(lái)，美國(guó)食品和藥物管理局(FDA)和衛(wèi)生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發(fā)射斷層掃描成像診斷付費(fèi)，包括心臟、大腦、心肌、中瘤、腫溜證、阿爾茨海默病等的診斷，使正電子發(fā)射斷層掃描技術(shù)成為人類主要疾病臨床診斷的重要方法？ 哪里可以定制Ce：YAG？通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí)) 。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。廣東白光LED用CeYAG晶體出廠價(jià)
CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。廣東白光LED用CeYAG晶體出廠價(jià)
文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報(bào)道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對(duì)光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對(duì)于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時(shí)間約為26.7±0.12ns，強(qiáng)度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對(duì)于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強(qiáng)度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。廣東白光LED用CeYAG晶體出廠價(jià)
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