和小編來看看什是CeYAG晶體？基于CeYAG晶體的摻Ce光纖拉制技術，基于管棒法(Rod-in-Tube)技術，以CeYAG晶體作為芯棒，純石英玻璃管作為套管，利用石墨爐，拉絲塔拉制了摻鈰(Ce)光纖.通過X射線能譜(EDX)分析拉制而成的光纖，得到光纖的纖芯變?yōu)椴ＡР牧?，而不顯然，像BGO這樣的閃爍晶體有很大的局限性。近期，美國的某公司使用新的閃爍晶體Ce:LSO [29]制作了一個具有高空間和時間分辨率(2毫米、30分鐘和4毫米、10分鐘)的PET原型。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應用于中低能量γ射線α粒子的探測等領域！Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件。甘肅雙折射CeYAG晶體供應商
物質的有效原子序數(shù)可由公式計算：式中，Wi為構成晶體的原子I的重量百分比，Zi為構成晶體的原子I的有效原子數(shù)。從公式中可以看出，大的有效原子序數(shù)往往與重密度不一致。此外，在許多場合下，經(jīng)常使用吸收系數(shù)()、輻射長度(X0)和摩爾半徑(RM)來代替晶體的有效原子序數(shù)或密度來表征無機閃爍晶體的性能。這些性能參數(shù)與晶體的密度()和有效原子序數(shù)(z)之間的關系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面，a是原子量)當I (t)=i0/e時，t=就是所謂的光衰減常數(shù)。陜西雙摻CeYAG晶體經(jīng)過半個多世紀的發(fā)展，無機閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。
一般來說，m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉移效率和發(fā)光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。
激子和類激子熒光機制。這種機制主要依賴于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產(chǎn)生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結合的無機閃爍晶體中，通?？梢垣@得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發(fā)能量必須與被激發(fā)的激子或類激子能量相同或相近，所以具有這種閃爍機制的無機閃爍晶體的光輸出一般很低，STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出，但它們的光衰減接近毫秒。因此，具有這種發(fā)光機制的閃爍晶體只能用于特殊目的。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。
無機閃爍晶體的主要應用，與塑料聚合物、液體、液晶和熒光粉等普通閃爍材料相比，無機閃爍晶體具有密度高、體積小、物理化學性質和閃爍性能優(yōu)異等突出特點、可用于高能物理和核物理實驗、核醫(yī)學成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)、工業(yè)CT的在線檢測、油井勘探、安全檢查和反恐斗爭，此外，無機閃爍晶體在核天文學、核空間物理學、核考古學、核地質學和核測量方面具有巨大的潛在應用價值。這些領域會越來越受到人們的重視。而且隨著核技術向各個行業(yè)的滲透和其他技術的快速發(fā)展，將會給無機閃爍晶體的研發(fā)帶來更多的機遇和挑戰(zhàn)。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進行發(fā)射探測。重慶國產(chǎn)CeYAG晶體現(xiàn)貨供應
CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。甘肅雙折射CeYAG晶體供應商
閃爍晶體作為一種輻射探測材料在許多領域有著重要應用。雖然閃爍晶體發(fā)現(xiàn)至今已有一個多世紀，但隨著探測器技術的進步，以及材料合成方法的極大改進和擴展，對閃爍晶體的研究仍然十分活躍。隨著傳統(tǒng)閃爍晶體的性能達到極限，以及核醫(yī)學和國土安全等領域的需求日益增長，對新型閃爍晶體的探索成為近些年研究的一個重要課題。在探測和利用核輻射的科學研究和高技術應用領域中，閃爍晶體起著十分重要的作用。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。甘肅雙折射CeYAG晶體供應商
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