貴州科研用CeYAP晶體作用

Ca2+離子和Si4+離子摻雜對(duì)Ce : YAP晶體有哪些影響？釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料和光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。Ce:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發(fā)出熒光，其發(fā)射波長(zhǎng)與硅光電二極管的探測(cè)敏感區(qū)相匹配，因此可應(yīng)用于低能射線粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。籽晶的選擇籽晶的走向和質(zhì)量直接影響直拉晶體的質(zhì)量。貴州科研用CeYAP晶體作用

用原來(lái)的小坩堝(8050mm)生長(zhǎng)大尺寸晶體時(shí)，晶體旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的強(qiáng)制對(duì)流對(duì)熔體溫場(chǎng)，有很大擾動(dòng)，導(dǎo)致晶體直徑控制問題，無(wú)法實(shí)現(xiàn)有效等徑，從而影響晶體質(zhì)量，如圖3.6所示。所以我們選擇了11080mm的銥坩堝，壁厚3 mm。在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，溫場(chǎng)對(duì)晶體質(zhì)量有重要影響[88]。靜態(tài)下，溫度場(chǎng)比較簡(jiǎn)單。主要考慮晶體的熱傳導(dǎo)和熱輻射，可以得到晶體的溫場(chǎng)沿軸向?qū)ΨQ。當(dāng)溫度梯度沿軸向距離增大時(shí)，各分量(軸向/徑向)呈指數(shù)下降，存在固液界面凹凸的臨界條件。詳細(xì)的計(jì)算過(guò)程和結(jié)果由Bu賴斯給出。青海人工CeYAP晶體參數(shù)Ce: YAP作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體，在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區(qū)別？無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)理，閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時(shí)間內(nèi)將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為可探測(cè)的可見光。高能射線與無(wú)機(jī)閃爍晶體的相互作用一般有三種方式：光電效應(yīng)、康普頓散射和正負(fù)電子對(duì)。在光電效應(yīng)中，一個(gè)離子吸收光子后，會(huì)從它的一個(gè)殼層發(fā)射光電子。光電子能量是光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)殼層中的空位被較高能量的電子填滿時(shí)，結(jié)合能將以X射線或俄電子的形式釋放出來(lái)。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過(guò)程中被吸收，入射光的所有能量將被閃爍體吸收。 過(guò)渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過(guò)邊有哪些影響？

閃爍材料的發(fā)展歷史可以大致分為幾個(gè)階段？Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2躍遷到2 F7/2。紫外-可見吸收光譜在303 nm、290 nm、275 nm、238 nm處有吸收峰，這可歸因于Ce3離子從2F5/2能級(jí)躍遷到5d能級(jí)。Ce: YAP晶體的d-f躍遷為寬帶發(fā)射，峰值在365 nm。Ce 3的光致發(fā)光強(qiáng)度呈單指數(shù)形式衰減，室溫下其衰減常數(shù)約為16-18ns。由于YAP矩陣中的各種缺陷能級(jí)都能俘獲電荷載流子，高能射線和粒子激發(fā)產(chǎn)生的閃爍光衰減常數(shù)遠(yuǎn)大于18ns，一般在22-38 ns之間，也有慢分量和強(qiáng)背景。1.5.2鈰：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體的研究從光學(xué)上說(shuō)，YAP是一種負(fù)雙軸晶體。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價(jià)離子對(duì)Ce:YAP晶體閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，四價(jià)離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。

兩項(xiàng)一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過(guò)程中會(huì)損失能量。這是文學(xué)中常見的表達(dá)。但是，能量實(shí)際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競(jìng)爭(zhēng)的過(guò)程引起的：點(diǎn)缺陷的形成、聲子，的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長(zhǎng)期磷光發(fā)射。 過(guò)渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過(guò)邊有哪些影響？CeYAG晶體脈沖X射線激發(fā)衰減時(shí)間？Ce: YAP晶體在弱還原氣氛中生長(zhǎng)，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效0，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度突出提高。同時(shí)，研究了還原氣氛中生長(zhǎng)對(duì)Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的YAP晶體的孿晶習(xí)性很容易揭示。青海人工CeYAP晶體參數(shù)

研究表明，Ce4離子對(duì)Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。貴州科研用CeYAP晶體作用

在40k，由在X-ray激發(fā)的純CsI晶體的能量效率為30%；然而，它的發(fā)光效率在室溫下非常低，這就是為什么純CsI晶體難以用于閃爍過(guò)程的原因。堿土金屬氟化物，如氟化鈣、氟化鍶等。在室溫下，激子發(fā)光仍然保持高產(chǎn)率。在這種情況下，我們可以討論Vk中心在上述反應(yīng)中亞穩(wěn)態(tài)的作用。因此，離子晶體表現(xiàn)出一種非常有趣的性質(zhì)，即純晶體或沒有發(fā)光中心的晶體可以產(chǎn)生有效的發(fā)光。這是因?yàn)樵谳椪者^(guò)程中，晶體中會(huì)產(chǎn)生大量的Vk發(fā)光中心。在維克激子發(fā)光后，VK中心消失了，水晶恢復(fù)了原來(lái)的屬性。貴州科研用CeYAP晶體作用

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