光學(xué)檢測(cè)技術(shù)提升汽車(chē)玻璃質(zhì)量的研究與發(fā)展--領(lǐng)先光學(xué)技術(shù)公司
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Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測(cè)的研究。1991年,Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長(zhǎng)了Ce:YAP閃爍晶體[43],然后研究了不同方法生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體的光學(xué)和閃爍性質(zhì)[20]。1995年,Tetsuhiko等人[44]總結(jié)并重新研究了Ce:YAP晶體的光學(xué)特性。此后,大量文獻(xiàn)[45-47]報(bào)道了Ce:YAP晶體的閃爍性質(zhì)和應(yīng)用,并對(duì)其閃爍機(jī)理進(jìn)行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),因此Ce:YAP高溫閃爍晶體可廣泛應(yīng)用于相機(jī)、動(dòng)物PET、SEM等檢測(cè)領(lǐng)域[46][49-55]。少量過(guò)渡金屬離子的存在對(duì)吸收只會(huì)造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收。天津國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體供應(yīng)商
假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān)),因此,無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(,Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān).NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱(chēng)為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。密度、線性吸收系數(shù)、質(zhì)量吸收系數(shù)、有效原子序數(shù)、輻射長(zhǎng)度和莫里哀半徑。甘肅品質(zhì)CeYAP晶體供應(yīng)結(jié)果表明,還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收,Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。
摻鈰釔鋁石榴石(Ce: YAP)作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體,在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,我國(guó)生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問(wèn)題,直接影響晶體的發(fā)光效率。為了提高Ce: YAP晶體的閃爍性能,特別是發(fā)光強(qiáng)度,有必要深入分析晶體的自吸收機(jī)制,盡量減小自吸收對(duì)發(fā)光的影響。本章主要研究?jī)?nèi)容如下:采用中頻感應(yīng)直拉法生長(zhǎng)了不同摻雜濃度的Ce: YAP閃爍晶體,比較了不同厚度、退火溫度和氣氛、不同摻雜和輻照對(duì)自吸收的影響。同時(shí),分析了不同摻雜對(duì)衰減時(shí)間等其他閃爍特性的影響。
Ce:YAP晶體生長(zhǎng)原料需要哪些?無(wú)機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過(guò)程中,會(huì)發(fā)生一系列微觀過(guò)程,如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)移等。當(dāng)經(jīng)歷電離事件時(shí),閃爍體處于從非平衡狀態(tài)到平衡狀態(tài)的弛豫過(guò)程中。大量的熱化電子空穴對(duì)和這些電子產(chǎn)生的相當(dāng)一部分低能激子0終會(huì)轉(zhuǎn)化為發(fā)射光子,從高能輻射到紫外或可見(jiàn)光光子的過(guò)程就是閃爍過(guò)程。通過(guò)分析Ce: YAP晶體的自吸收機(jī)制,發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個(gè)Ce4離子的寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收峰。
初步分析了鈰:釔鋁石榴石(TGT)閃爍晶體的缺陷及其對(duì)發(fā)光性能和閃爍時(shí)間的影響。從光學(xué)上說(shuō),YAP是一種負(fù)雙軸晶體。有Ce離子之間的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程介紹嗎?在電子-電子弛豫過(guò)程中,能量損失可以通過(guò)產(chǎn)生F心、H心等點(diǎn)缺陷來(lái)進(jìn)行??祀娮右部梢酝ㄟ^(guò)在聲子上散射而失去能量,隨著電子能量的降低,電子-聲子相互作用的概率增大。而且產(chǎn)生的二次電子和光子會(huì)從晶體中逸出,造成能量損失。然而,在電子-電子弛豫階段,這些過(guò)程中的能量損失相對(duì)于閃爍體中的總能量損失非常小。Ce: YAP作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體,在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。甘肅品質(zhì)CeYAP晶體供應(yīng)
CeYAP是一種性能優(yōu)良的快閃爍晶體,它擁有較高的光輸出、快的衰減時(shí)間。天津國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體供應(yīng)商
這里來(lái)為大家介紹下,不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。ce : YaP晶體生長(zhǎng)的溫場(chǎng)調(diào)整,在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,除了控制部分,坩堝形狀和位置、保溫罩結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)速、拉速、氣氛等因素都會(huì)對(duì)晶體質(zhì)量產(chǎn)生影響。為了生長(zhǎng)大尺寸晶體,有效改變晶體生長(zhǎng)的溫場(chǎng)和熔體對(duì)流狀態(tài),我們采用大直徑銥坩堝進(jìn)行生長(zhǎng),并設(shè)計(jì)了相應(yīng)的保溫罩系統(tǒng)。同時(shí),在生長(zhǎng)過(guò)程基本穩(wěn)定后,我們通過(guò)適當(dāng)改變氧化鋯體系的結(jié)構(gòu)和調(diào)整晶體生長(zhǎng)的溫場(chǎng)來(lái)尋求比較好的生長(zhǎng)條件。天津國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體供應(yīng)商
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