用直拉法成功地生長了濃度分別為1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶體，這些晶體均具有較高的光學質量，無宏觀缺陷。用XRD和ICP分析了晶體結構和偏析特征，用激光脈沖法測試了TM3360YAP晶體的熱導率。結果表明，隨著摻雜濃度的增加，TM3360YAP晶體的熱導率***降低。測試和分析了不同濃度的Tm:YAP晶體的吸收和熒光特性及其溫度依賴性。高濃度摻雜晶體表現(xiàn)出熒光猝滅現(xiàn)象。不同濃度的偏振熒光光譜顯示，在1934 nm，濃度為5%時，在E//a方向的比較大發(fā)射截面為4.510-21cm2，發(fā)射峰寬而平。摻Tm3鎢酸鹽晶體是近年來研究較多的一種激光晶體。江蘇人工TmYAP晶體生產(chǎn)
在激光制導等領域，半導體常常與稀土共同出現(xiàn)，甚至一些武器直接是用稀土命名。比如坦克使用的摻釹釔鋁石榴石激光測距機，這是現(xiàn)代先進坦克的標配裝備，從美國的M1到英國的“挑戰(zhàn)者”和德國的“豹2”，無一例外，它的測量距離達到20公里，精度比普通的光學測距儀高很多。稀土與汽車稀土和半導體的另一個大的交集則在汽車產(chǎn)業(yè)。汽車電子如今已經(jīng)成為一個專有名詞，截止目前，全球的汽車電子市場已經(jīng)逼近2萬億元的市場規(guī)模，隨著新能源汽車與自動駕駛技術的持續(xù)發(fā)力，汽車電子還將持續(xù)高速增長，而稀土也將迎來更大的成長空間。江蘇人工TmYAP晶體生產(chǎn)2μm波段激光輸出效率高于Tm:YAG晶體，直接輸出線偏振激光。
退火對3at%Tm:YAP晶體的影響我們對3at%Tm:YAP樣品分別進行了H2和O2退火實驗，其中H2退火為1150℃保溫20h，O2退火為1200℃保溫10h，O2退火后晶體顏色加深，而H2退火后晶體顏色變淺。通過對退火前后吸收譜分析我們發(fā)現(xiàn)，氧氣退火使212nm-628nm吸收明顯增加，并且在254nm和372nm處出現(xiàn)兩個比較寬的吸收峰，而氫氣退火使該段吸收減少，并且差分吸收譜在254nm和372nm處也出現(xiàn)兩個凹陷的峰。我們認為這些缺陷的形成是由于Fe3+、Fe2+的存在造成。其中254nm左右為Fe3+吸收峰，372nm差吸收峰對應Fe3+→O2-→Fe2+電荷轉移吸收峰，氧氣退火使Fe3+增加而Fe2+減少，故兩處吸收峰增強，而氫氣退火使Fe3+減少而Fe2+增加，故兩處吸收峰減弱。
Tm:YAP晶體基體干擾小。在原子吸收光譜分析中，經(jīng)常會遇到形成穩(wěn)定化合物的干擾，在ICP光譜分析中可以忽略，電離干擾不明顯，可以用一套標準溶液來分析各種樣品溶液。多元素可以同時測定，樣品中的主要成分、次要成分和微量成分可以同時測定。可測量的元素有很多種(約80種)。目前，電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法已成為同時測定多種無機元素的有力工具.該方法在我們的實驗中主要是用于測定晶體中摻雜元素的含量，采用的等離子體發(fā)射光譜儀型號為Advantage。樣品為少量晶體研磨成盡可能細的粉末，測定元素含量時需將樣品溶解配成溶液。計算晶體中摻雜離子的分凝系數(shù)，取樣位置一般位于籽晶與晶體相接處以下，靠近晶體頂部的部分。Tm:YAP晶體能級結構通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結構。
20世紀80年代，激光二極管和激光二極管陣列的研究取得了很大進展，使激光二極管泵浦固體激光器的研究進入了一個新的階段，極大地促進了固體激光器件、技術和應用的發(fā)展。實驗中使用的衍射儀為XDC-1000型金尼爾-哈格相機，銅靶K1輻射，波長=1.540598，-2掃描模式，管電壓和管電流分別為40kV和100毫安，掃描速度為4 /min。為了分析晶體的相組成、結晶度和雜質相，必須將晶體在瑪瑙研缽中研磨成粉末樣品，然后進行精細的x光粉末衍射掃描。得到的衍射數(shù)據(jù)可以用Rietveld全譜峰形擬合，較終計算出晶胞參數(shù)。Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體。江蘇人工TmYAP晶體生產(chǎn)
Tm:YAP可輸出1.94m連續(xù)和1.965~2.020m連續(xù)調諧激光輸出。江蘇人工TmYAP晶體生產(chǎn)
Tm:YAP晶體能級結構圖有嗎？Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性為4at%Tm:YAP晶體b方向非偏振溫度依賴熒光光譜。低溫下Tm:YAP*有少量尖銳發(fā)射峰，隨溫度升高，譜線逐漸展寬，在左側出現(xiàn)新的熒光峰。這是因為在低溫時，熒光主要通過3F4能態(tài)的比較低Stark能級向基態(tài)3H6各Stark能級躍遷產(chǎn)生，當溫度升高時，比較多的3F4態(tài)Tm3+處于較高Stark能級，這些離子向基態(tài)3H6發(fā)生輻射躍遷,使熒光譜向短波長方向擴展, 譜帶“重心”向短波長移動。同時，由于譜線的加寬, 使相鄰熒光譜線發(fā)生部分重疊, 并逐漸呈準連續(xù)帶狀分布。江蘇人工TmYAP晶體生產(chǎn)
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