甘肅生長(zhǎng)CeYAG晶體生產(chǎn)

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)，CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜，色坐標(biāo)，亮度，光視效能和色溫的影響. 研究結(jié)果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整.在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，白光LED樣品的亮度，光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加.當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6mm時(shí)，可獲得較純的白發(fā)射光，并且 其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響.研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。無機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對(duì)的產(chǎn)生。甘肅生長(zhǎng)CeYAG晶體生產(chǎn)

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。甘肅生長(zhǎng)CeYAG晶體生產(chǎn)CeYAG閃爍晶體熱力學(xué)性能穩(wěn)定。

我們采用溫梯法生長(zhǎng)了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長(zhǎng)方向 <111>，高純 Ar 氣氛，具體生長(zhǎng)方法見第二章所述。如圖 5-1，生長(zhǎng)的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長(zhǎng)出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時(shí)后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來看，晶體中無明顯應(yīng)力，也沒有因小面生長(zhǎng)現(xiàn)象而產(chǎn)生的**，說明晶體生長(zhǎng)過程中固液界面較平。

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的光輸出。閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料。

CeYAG晶體的一些相關(guān)知識(shí)你知道多少呢？和小編一起來看看吧，采用真空坩堝下降法生長(zhǎng)了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長(zhǎng)方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對(duì)色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長(zhǎng)的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍(lán)光LED的發(fā)射波長(zhǎng)相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅(qū)動(dòng)電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對(duì)色溫幾乎不變。在100mA時(shí)，白光LED顯色指數(shù)達(dá)到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？高光輸出快速衰減無機(jī)閃爍晶體的興起。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。河北CeYAG晶體定制

Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。甘肅生長(zhǎng)CeYAG晶體生產(chǎn)

高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面： 1、研究高溫閃爍晶體中存在的各種點(diǎn)缺陷及其對(duì)閃爍性能的影響，真正實(shí)現(xiàn)無機(jī)閃爍晶體的分子優(yōu)化與分子設(shè)計(jì)。2、發(fā)展混合型高溫閃爍晶體將是今后發(fā)展的趨勢(shì)之一。例如，Ce:LuAP高溫閃爍晶體具有十分誘人閃爍性能，但是在晶體生長(zhǎng)過程中容易生成石榴石相，很難獲得穩(wěn)定的LuAP相，從而限制了晶體的使用.1近，研究表明，與Ce:LuAP晶體相比，混合型晶體Lux(RE3+)1-xAP:Ce (RE3+ = Y3+ or Gd3+)可以降低晶體生長(zhǎng)難度以及生產(chǎn)成本，同時(shí)閃爍性能也比較理想。甘肅生長(zhǎng)CeYAG晶體生產(chǎn)

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