pco.edge 5.5帶有模塊化品圓檢測(cè)

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2024-12-25

（文獻(xiàn)部分內(nèi)容摘抄）

在過(guò)去的十年里，人們對(duì)碳化硅(SiC)器件的興趣增長(zhǎng)。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體，由于其高能量效率，特別用于高功率、高溫和高頻器件。盡管在過(guò)去幾年中，SiC基板和外延片的質(zhì)量有了很大的提高，但堆垛層錯(cuò)(SFs)和基面位錯(cuò)(BPDs)等關(guān)鍵缺陷仍可能導(dǎo)致雙極退化，導(dǎo)致器件完全失效。

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為了在芯片級(jí)別上識(shí)別這些缺陷，已經(jīng)開發(fā)了不同的表征方法，例如缺陷選擇性蝕刻和X射線地形圖。然而，這兩種方法都不適于在設(shè)備生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行快速的內(nèi)聯(lián)質(zhì)量控制，因?yàn)樗鼈円匆云茐男苑绞焦ぷ?，要么成本高，時(shí)間長(zhǎng)。正在消耗。

因此，INTEGO開發(fā)了一個(gè)新的多通道sic檢測(cè)系統(tǒng)，允許在室溫下快速、無(wú)損和無(wú)接觸地檢測(cè)器件生產(chǎn)鏈上Sic芯片的關(guān)鍵缺陷。

INTEGO的系統(tǒng)專為潔凈室環(huán)境IS04設(shè)計(jì)，能夠處理100毫米、150毫米和200毫米SiC基片、外延芯片或部分加工的芯片。塊化系統(tǒng)概念允許在檢查方法、l1lumination類型和分辨能力方面進(jìn)行單獨(dú)配置。德國(guó)PCO高速sCMOS攝像頭pco.edge5.5具有高分辨率，高幀速率、低噪聲、高動(dòng)態(tài)范圍和量子效率保證了比較好圖像評(píng)價(jià)的比較高圖像質(zhì)量。

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INTEGO的前列系統(tǒng)多可配備三個(gè)檢測(cè)站，適用于高吞吐量應(yīng)用或靈活的研發(fā)用途。每個(gè)站都有一個(gè)高精度顯微鏡臺(tái)和一個(gè)設(shè)計(jì)的光致發(fā)光、差分干涉對(duì)比度(DIC)或明暗場(chǎng)顯微鏡單元。根據(jù)所選擇的顯微鏡放大倍數(shù)，圖像分辨率可高達(dá)0.3Hm/像素，從而能夠檢測(cè)、識(shí)別和分類許多不同的缺陷甚至小于1 Hm。

INTEGO的高度定制化系統(tǒng)可有效優(yōu)化和監(jiān)控不同晶圓類型的生產(chǎn)過(guò)程，從而節(jié)省材料和器件生產(chǎn)的時(shí)間降低成本。 from clipboard