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磁控濺射的優(yōu)勢(shì)在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來(lái)選擇使用不同的靶電源進(jìn)行濺射,靶電源分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導(dǎo)電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射,也可以進(jìn)行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導(dǎo)電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導(dǎo)體材料。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,使用范圍廣,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點(diǎn)金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對(duì)薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射,使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法,稱為真空鍍膜。韶關(guān)小家電真空鍍膜
真空鍍膜:技術(shù)優(yōu)點(diǎn):鍍層質(zhì)量好:離子鍍的鍍層組織致密、無(wú)小孔、無(wú)氣泡、厚度均勻。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù),不致形成金屬瘤。象螺紋一類的零件也能鍍復(fù),有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),膜層的壽命更長(zhǎng);同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過(guò)程簡(jiǎn)化:現(xiàn)有鍍膜工藝,多數(shù)均要求事先對(duì)工件進(jìn)行嚴(yán)格清洗,既復(fù)雜又費(fèi)事。然而,離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,并且這一作用還一直延續(xù)于整個(gè)鍍膜過(guò)程。清洗效果極好,能使鍍層直接貼近基體,有效地增強(qiáng)了附著力,簡(jiǎn)化了大量的鍍前清洗工作。三明納米涂層真空鍍膜真空鍍膜是在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來(lái)打到被鍍物體的表面上。
真空鍍膜:電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以普遍應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)是不會(huì)或很少覆蓋在目標(biāo)三維結(jié)構(gòu)的兩側(cè),通常只會(huì)沉積在目標(biāo)表面。這是電子束蒸發(fā)和濺射的區(qū)別。常見(jiàn)于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域。利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶,使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰。較終沉積到目標(biāo)上。
真空鍍膜:磁控濺射法:濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射,它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓(<0。1Pa)下進(jìn)行;不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問(wèn)題,成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恒定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,容易獲得均勻的高精度的膜厚;通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì);濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面。
真空鍍膜:技術(shù)原理:PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積,分為:真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說(shuō)的PVD鍍膜,指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍;通常說(shuō)的NCVM鍍膜,就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理:在真空條件下,使金屬、金屬合金等蒸發(fā),然后沉積在基體表面上,蒸發(fā)的方法常用電阻加熱,電子束轟擊鍍料,使蒸發(fā)成氣相,然后沉積在基體表面,歷史上,真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù)。真空鍍膜鍍的薄膜純度高。西安真空鍍膜設(shè)備
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。韶關(guān)小家電真空鍍膜
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。韶關(guān)小家電真空鍍膜