真空鍍膜技術在國民經濟各個領域有著廣泛應用,特別是近幾年來,我國國民經濟的迅速發(fā)展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產品的不斷涌現(xiàn)。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法,由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進行的,因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g。真空蒸發(fā)、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法,是基本的薄膜制備技術。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中,加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結形成固態(tài)薄膜的方法。真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。洛陽鈦金真空鍍膜
真空鍍膜:真空涂層技術的發(fā)展:真空涂層技術起步時間不長,國際上在上世紀六十年代才出現(xiàn)將CVD(化學氣相沉積)技術應用于硬質合金刀具上。由于該技術需在高溫下進行(工藝溫度高于1000oC),涂層種類單一,局限性很大,起初并未得到推廣。到了上世紀七十年代末,開始出現(xiàn)PVD(物理的氣相沉積)技術,之后在短短的二、三十年間PVD涂層技術得到迅猛發(fā)展,究其原因:其在真空密封的腔體內成膜,幾乎無任何環(huán)境污染問題,有利于環(huán)保;其能得到光亮、華貴的表面,在顏色上,成熟的有七彩色、銀色、透明色、金黃色、黑色、以及由金黃色到黑色之間的任何一種顏色,能夠滿足裝飾性的各種需要;可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復合涂層,應用在工裝、模具上面,可以使壽命成倍提高,較好地實現(xiàn)了低成本、收益的效果;此外,PVD涂層技術具有低溫、高能兩個特點,幾乎可以在任何基材上成膜,因此,應用范圍十分廣闊,其發(fā)展神速也就不足為奇。三明鈦金真空鍍膜真空鍍膜機的優(yōu)點:具有優(yōu)良的耐折性和良好的韌性,比較少出現(xiàn)小孔和裂口。
真空鍍膜:電子束蒸發(fā)法:電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中,直接利用電子束加熱,使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結在基板表面形成膜,是真空蒸發(fā)鍍膜技術中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點,特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法:采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外,這樣不但簡化了真空室內部的空間布置,減少了加熱源的放氣,而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對被鍍材料的污染,達到了膜層純潔的目的。此外,激光加熱可以達到極高的溫度,利用激光束加熱能夠對某些合金或化合物進行快速蒸發(fā)。這對于保證膜的成分,防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高,所以它的應用范圍有一定的限制,導致其在工業(yè)中的普遍應用有一定的限制。
影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例,反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時調整反應氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,濺射溝道將進一步被化合物覆蓋,當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶完全中毒,不能繼續(xù)濺射真空鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術。
通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題,不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力,在多層膜結構中可能同時存在多種形式的應力。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完整性(雜質、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等.對于薄膜應力主要有以下原因:1.薄膜生長初始階段,薄膜面和界面的表面張力的共同作用;2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產生熱應變;3.薄膜和襯底間點陣錯配而產生界面應力;4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產生壓應力;5.斜入射造成各向異性成核、生長;6.薄膜內產生相變或化學組分改變導致原子體積變化 真空鍍膜的操作規(guī)程:在用電子頭鍍膜時,應在鐘罩周圍上鋁板?;茨闲滦驼婵斟兡?/p>
真空濺鍍的鍍層可通過調節(jié)電流大小和時間來壘加,但不能太厚,一般厚度在0.2~2um。洛陽鈦金真空鍍膜
磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶電源和不同靶材,例如TiW合金,通過單獨調整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調節(jié),即能滿足不同組分的要求.磁控濺射由于其內部電場的存在,還可在襯底端引入一個負偏壓,使濺射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控濺射常用來沉積TSV結構的阻擋層和種子層,通過對相關參數(shù)的調整和引入負偏壓,可以實現(xiàn)高深寬比的薄膜濺射,且深孔內壁薄膜連續(xù)和良好的均勻性洛陽鈦金真空鍍膜