硅光芯片耦合測試系統的激光器與硅光芯片耦合結構及其封裝結構和封裝方法,發(fā)散的高斯光束從激光器芯片出射,經過耦合透鏡進行聚焦;聚焦過程中光路經過隔離器進入反射棱鏡,經過反射棱鏡的發(fā)射,光路發(fā)生彎折并以一定的角度入射到硅光芯片的光柵耦合器上面,耦合進硅光芯片。本發(fā)明所提供的激光器與硅光芯片耦合結構,其無需使用超高精度的耦合對準設備,耦合過程易于實現,耦合效率更高,且研發(fā)成本較低;激光器與硅光芯片耦合封裝結構及其封裝方法,采用傳統TO工藝封裝光源,氣密性封裝,與現有技術相比,具有比較強的可生產性,比較高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,適用于400G硅光大功率光源應用。硅光芯片的耦合端,用于連接激光器單元和硅光芯片。遼寧振動硅光芯片耦合測試系統服務
硅光芯片耦合測試系統的測試站包含自動硅光芯片耦合測試系統客戶端程序,其程序流程如下:首先向自動耦合臺發(fā)送耦合請求信息,并且信息包括待耦合芯片的通道號,然后根據自動耦合臺返回的相應反饋信息進入自動耦合等待掛起,直到收到自動耦合臺的耦合結束信息后向服務器發(fā)送測試請求信息,以進行光芯片自動指標測試。自動耦合臺包含輸入端、輸出端與中間軸三部分,其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動反饋微調架,精度可達50nm,滿足光芯片耦合精度要求。特別的,為監(jiān)控調光耦合功率,完成自動化耦合過程,測試站應連接一個PD光電二極管,以實時獲取當前光功率。四川分路器硅光芯片耦合測試系統加工廠家芯片耦合集成化才能實現高密度、低成本、低能耗,滿足信息社會信息急速膨脹。
硅光芯片耦合測試系統是什么?硅光芯片耦合測試系統主要是用整機模擬一個實際使用的環(huán)境,測試設備在無線環(huán)境下的射頻性能,重點集中在天線附近一塊,即檢測天線與主板之間的匹配性。因為在天線硅光芯片耦合測試系統之前(SMT段)已經做過RFcable測試,所以可以認為主板在射頻頭之前的部分已經是好的了,剩下的就是RF天線、天線匹配電路部分,所以檢查的重點就是天線效率、性能等項目。通常來說耦合功率低甚至無功率的情況大多與同軸線、KB板和天線之間的裝配接觸是否良好有關。
硅光芯片耦合測試系統中硅光芯片與激光器的封裝結構,封裝結構包括基座,基座設置與硅光芯片連接的基座貼合面,與激光器芯片和一體化反射鏡透鏡連接的基座上表面;基座設置通孔,通孔頂部開口與一體化反射鏡透鏡的出光面連接,通孔底部開口與硅光芯片的光柵耦合器表面連接;激光器芯片靠近一體化反射鏡透鏡的入光面的一端設置高斯光束出口;激光器芯片的高斯光束方向水平射入一體化反射鏡透鏡的入光面,經一體化反射鏡透鏡的反射面折射到一體化反射鏡透鏡的出光面,穿過通孔聚焦到光柵耦合器表面;基座貼合面與基座上表面延伸面的夾角為a1。通過對基座的底部進行加工形成斜角,角度的設計滿足耦合光柵的較佳入射角。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學被認為是實現高集成度光子芯片的較佳選擇。
硅光芯片耦合測試系統耦合掉電,是在耦合的過程中斷電致使設備連接不上的情況,如果電池電量不足或者使用程控電源時供電電壓過低、5V觸發(fā)電壓未接觸好、測試連接線不良等都會導致耦合掉電的現象。與此相似的耦合充電也是常見的故障之一,在硅光芯片耦合測試系統過程中,點擊HQ_CFS的“開始”按鈕進行測試時一定要等到“請稍后”出現后才能插上USB進行硅光芯片耦合測試系統,否則就會出現耦合充電,若測試失敗,可重新插拔電池再次進行測試,排除以上操作手法沒有問題后,還是出現充電現象,則是耦合驅動的問題了,若識別不到端口則是測試用的數據線損壞的緣故。硅光芯片耦合測試系統優(yōu)點:數據集中。震動硅光芯片耦合測試系統機構
硅光芯片主要由光源、調制器、有源芯片等組成,通常將光器件集成在同一硅基襯底上。遼寧振動硅光芯片耦合測試系統服務
硅光芯片耦合測試系統中的硅光與芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步驟:將硅光芯片粘貼固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波導為懸臂梁結構,具有模斑變換器;通過圖像系統,微調架將光纖端面與耦合波導的模斑變換器耦合對準,固定塊從側面緊挨光纖并固定在基板上;硅光芯片的輸入端和輸出端分別粘貼墊塊并支撐光纖未剝除涂覆層的部分;使用微調架將光纖端面與模斑變換器區(qū)域精確對準,調節(jié)至合適耦合間距后采用紫外膠將光纖分別與固定塊和墊塊粘接固定;本發(fā)明方案簡易可靠,工藝復雜度低,通用性好,適用于批量制作。遼寧振動硅光芯片耦合測試系統服務