北京硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。目前,主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來(lái)大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。因?yàn)楣韫庑酒怨枳鳛榧尚酒囊r底，所有能集成更多的光器件。北京硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一種應(yīng)用雙波長(zhǎng)的微波光子頻率測(cè)量設(shè)備,以及一種微波光子頻率測(cè)量設(shè)備的校正方法和基于此設(shè)備的微波頻率測(cè)量方法。在微波光子頻率測(cè)量設(shè)備中,本發(fā)明采用獨(dú)特的雙環(huán)耦合硅基光子芯片結(jié)構(gòu),可以形成兩個(gè)不同深度的透射譜線。該系統(tǒng)采用一定的校準(zhǔn)方法,預(yù)先得到微波頻率和兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值的函數(shù),測(cè)量過(guò)程中,得到兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值后,直接采用查表法得到微波頻率。該系統(tǒng)將多個(gè)光學(xué)器件集成在硅基光學(xué)芯片上,從整體上減小了設(shè)備的體積,提高系統(tǒng)的整體可靠性。湖南震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)廠家當(dāng)三維的粗耦合結(jié)束后，在計(jì)算機(jī)地控制下，將光纖陣列和波導(dǎo)端面的距離調(diào)整到預(yù)先設(shè)定的距離，進(jìn)行微耦合。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無(wú)液氦制冷，并通過(guò)傳導(dǎo)冷方式對(duì)杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、可視化杜瓦，可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測(cè)試根據(jù)測(cè)試。2、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場(chǎng)。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行電流加載，較大可實(shí)現(xiàn)1000A的測(cè)試電流。4、該測(cè)量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸，不受強(qiáng)磁場(chǎng)、大電流及極低溫的影響和干擾，能夠高精度的測(cè)量待測(cè)試樣的三維或二維的全場(chǎng)測(cè)量。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的測(cè)試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì)，通過(guò)光矩陣的光路切換，每一時(shí)刻在程序控制下都可以形成一個(gè)單獨(dú)的測(cè)試環(huán)路。其光路如圖1所示，光源出光包含兩個(gè)設(shè)備，調(diào)光過(guò)程使用ASE寬光源，以保證光路通過(guò)光芯片后總是出光，ASE光源輸出端接入1*N路耦合器；測(cè)試過(guò)程使用可調(diào)激光器，以掃描特定功率及特定波長(zhǎng)，激光器出光后連接偏振控制器輸入端，以得到特定偏振態(tài)下光信號(hào)；偏振控制器輸出端接入1個(gè)N*1路光開(kāi)光；切光過(guò)程通過(guò)輸入端光矩陣，包含N個(gè)2*1光開(kāi)關(guān)，以得到特定光源。輸入光進(jìn)入光芯片后由芯片輸出端輸出進(jìn)入輸出端光矩陣，包含N個(gè)2*1路光開(kāi)關(guān)，用于切換輸出到多通道光功率計(jì)或者PD光電二極管，分別對(duì)應(yīng)測(cè)試過(guò)程與耦合過(guò)程。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)已被應(yīng)用于人類社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域。

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試時(shí)說(shuō)到功率飄忽不定，耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要的因素，功率飄通常與耦合板的位置有關(guān)，因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置，不可隨便移動(dòng)，此外部分機(jī)型需要使用專屬版本，又或者說(shuō)耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測(cè)儀和機(jī)頭本身了。結(jié)尾說(shuō)一說(shuō)耦合不過(guò)站的故障，為防止耦合漏作業(yè)的現(xiàn)象，在耦合的過(guò)程中會(huì)通過(guò)網(wǎng)線自動(dòng)上傳耦合數(shù)據(jù)進(jìn)行過(guò)站，若MES系統(tǒng)的外觀工位攔截到耦合不過(guò)站的機(jī)頭，則比較可能是CB一鍵藕合工具未開(kāi)啟或者損壞，需要卸載后重新安裝，排除耦合4.0的故障和電腦系統(tǒng)本身的故障之后，則可能是MES系統(tǒng)本身的問(wèn)題導(dǎo)致耦合數(shù)據(jù)無(wú)法上傳而導(dǎo)致不過(guò)站的現(xiàn)象的。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)保證產(chǎn)品質(zhì)量一致性，節(jié)約了人力成本，降低對(duì)人工的依賴。北京硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一種用于測(cè)試硅光芯片耦合效率和性能的設(shè)備。北京硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要工作可以分為四個(gè)部分(1)從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對(duì)倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過(guò)程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對(duì)插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開(kāi)發(fā)出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對(duì)光調(diào)制器進(jìn)行理論分析與介紹。(4)利用開(kāi)發(fā)出的耦合封裝工藝,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測(cè)試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對(duì)調(diào)制過(guò)程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測(cè)試方法。并通過(guò)調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問(wèn)題,為后續(xù)研發(fā)提供改進(jìn)方向。北京硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)加工廠家