武漢設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)布局

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開窗過孔屏蔽，過孔應(yīng)相互錯(cuò)開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號(hào)的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號(hào)采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對(duì)于管腳比較細(xì)的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號(hào)優(yōu)先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對(duì)50歐姆單端線、100歐姆差分信號(hào)要采用隔層參考，在保證阻抗的同時(shí)，以降低模擬輸入信號(hào)的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時(shí)鐘彼此之間需要做等長(zhǎng)處理。7、當(dāng)信號(hào)線必須要跨分割時(shí)，跨接點(diǎn)選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。PCB設(shè)計(jì)中等長(zhǎng)線處理方式技巧有哪些？武漢設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)布局

工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)（1）與客戶確認(rèn)阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規(guī)阻抗：?jiǎn)味?0歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》，基于以下幾點(diǎn)進(jìn)行說明：信號(hào)層夾在電源層和地層之間時(shí),信號(hào)層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號(hào)層間距拉大。阻抗線所在的層號(hào)。（3）檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏，錯(cuò)誤，核對(duì)無誤后再與客戶進(jìn)行確認(rèn)。咸寧打造PCB設(shè)計(jì)廠家PCB設(shè)計(jì)中電氣方面的注意事項(xiàng)。

等長(zhǎng)線處理等長(zhǎng)線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線段→等長(zhǎng)線處理→鎖定等長(zhǎng)線。（1）檢查組內(nèi)等長(zhǎng)規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長(zhǎng)度＞3倍差分線寬，（4）差分線對(duì)內(nèi)≤3.125G等長(zhǎng)誤差≤5mil，＞3.125G等長(zhǎng)誤差≤2mil。（5）DDR同組等長(zhǎng)：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或者芯片有特殊要求時(shí)按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長(zhǎng)線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長(zhǎng)處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長(zhǎng)線處理，禁止在分支B段做等長(zhǎng)處理（9） T型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線B或C段長(zhǎng)度＜主干線A段長(zhǎng)度,且分支走線長(zhǎng)度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，分支線B、C、D、E段長(zhǎng)度＜500Mil

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循哪些基本原則？

SDRAM時(shí)鐘源同步和外同步1、源同步：是指時(shí)鐘與數(shù)據(jù)同時(shí)在兩個(gè)芯片之間間傳輸，不需要外部時(shí)鐘源來給SDRAM提供時(shí)鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)滿足一定的時(shí)序匹配關(guān)系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長(zhǎng)度匹配。2、外同步：由外部時(shí)鐘給系統(tǒng)提供參考時(shí)鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個(gè)時(shí)鐘，一個(gè)鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個(gè)鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成，對(duì)于SDRAM及其控制芯片，參考時(shí)鐘CLK1、CLK2由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生，此時(shí)CLK1、CLK2到達(dá)SDRAM及其控制芯片的延時(shí)必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號(hào)的時(shí)序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長(zhǎng)度匹配。如圖6-1-4-3所示。晶振電路的布局布線要求。荊州高效PCB設(shè)計(jì)加工

PCB設(shè)計(jì)中如何評(píng)估平面層數(shù)？武漢設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)布局

SDRAM的端接1、時(shí)鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時(shí)不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號(hào)掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進(jìn)程時(shí)，首先要保證SDRAM接收端的信號(hào)完整性，將SDRAM芯片放置在信號(hào)鏈路的遠(yuǎn)端，對(duì)于地址及控制信號(hào)的也應(yīng)該如此處理。2、對(duì)于掛了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，從信號(hào)完整性角度來考慮，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245緩沖器等集中緊湊布局。3、源端匹配電阻應(yīng)靠近輸出管腳放置，退耦電容靠近器件電源管腳放置。4、SDRAM的數(shù)據(jù)、地址線推薦采用菊花鏈布線線和遠(yuǎn)端分支方式布線，Stub線頭短。5、對(duì)于SDRAM總線，一般要對(duì)SDRAM的時(shí)鐘、數(shù)據(jù)、地址及控制信號(hào)在源端要串聯(lián)上33歐姆或47歐姆的電阻，否則此時(shí)總線上的過沖大，可能影響信號(hào)完整性和時(shí)序,有可能會(huì)損害芯片。武漢設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)布局

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