湖北高速PCB設(shè)計規(guī)范

通過規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護部門設(shè)計部。定義與縮略語（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計為印制電路板圖的全過程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計工具繪制，表達硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計工具自動生成的，表達元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計過程中，按照設(shè)計要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過程。（6）布線：PCB設(shè)計過程中，按照設(shè)計要求對信號進行走線和銅皮處理的過程。PCB設(shè)計中PCI-E接口通用設(shè)計要求有哪些？湖北高速PCB設(shè)計規(guī)范

SDRAM時鐘源同步和外同步1、源同步：是指時鐘與數(shù)據(jù)同時在兩個芯片之間間傳輸，不需要外部時鐘源來給SDRAM提供時鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號滿足一定的時序匹配關(guān)系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。2、外同步：由外部時鐘給系統(tǒng)提供參考時鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個時鐘，一個鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個時鐘周期內(nèi)完成，對于SDRAM及其控制芯片，參考時鐘CLK1、CLK2由外部時鐘驅(qū)動產(chǎn)生，此時CLK1、CLK2到達SDRAM及其控制芯片的延時必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號的時序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號在PCB上滿足一定的傳輸線長度匹配。如圖6-1-4-3所示。宜昌什么是PCB設(shè)計布局PCB設(shè)計工藝上的注意事項是什么？

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。SDRAM 的PCB布局布線要求是什么？

設(shè)計規(guī)劃設(shè)計規(guī)劃子流程：梳理功能要求→確認設(shè)計要求→梳理設(shè)計要求。梳理功能要求（1）逐頁瀏覽原理圖，熟悉項目類型。項目類型可分為：數(shù)字板、模擬板、數(shù)?；旌习?、射頻板、射頻數(shù)?；旌习濉⒐β孰娫窗?、背板等，依據(jù)項目類型逐頁查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊、輸出模塊、電源模塊、信號處理模塊、時鐘及復(fù)位模塊。（2）器件認定：在單板設(shè)計中，承擔(dān)信號處理功能器件，或因體積較大，直接影響布局布線的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒溫晶振，時鐘芯片，大體積電源芯片。確認設(shè)計要求（1）客戶按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格模板，規(guī)范填寫，信息無遺漏；可以協(xié)助客戶梳理《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格，經(jīng)客戶確認后，則直接采納。（2）整理出正確、完整的信號功能框圖。（3）按照《PCB Layout業(yè)務(wù)資料及要求》表格確認整版電源，及各路分支的電源功耗情況，根據(jù)電源流向和電流大小，列出電流樹狀圖，經(jīng)客戶確認后，予以采納。PCB設(shè)計工藝的規(guī)則和技巧。荊門設(shè)計PCB設(shè)計包括哪些

DDR3的PCB布局布線要求是什么？湖北高速PCB設(shè)計規(guī)范

工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規(guī)阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》，基于以下幾點進行說明：信號層夾在電源層和地層之間時,信號層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號層間距拉大。阻抗線所在的層號。（3）檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏，錯誤，核對無誤后再與客戶進行確認。湖北高速PCB設(shè)計規(guī)范

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