荊州設(shè)計PCB設(shè)計教程

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓?fù)浣ㄗh采用對稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個孔，同時芯片配備大的儲能大電容；對于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波，整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。京曉科技帶您梳理PCB設(shè)計中的各功能要求。荊州設(shè)計PCB設(shè)計教程

電源電路放置優(yōu)先處理開關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個管腳共用同一過孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過2個，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤或者8角焊盤：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，0402濾波電容用常規(guī)的方焊盤即可，放置要求同1.0間距BGA。3、小于1.0間距的BGA，0402濾波電容只能放置在十字通道，無法靠近管腳，其它電容放置在BGA周圍。儲能電容封裝較大，放在芯片周圍，兼顧各電源管腳。鄂州了解PCB設(shè)計銷售PCB設(shè)計的整體模塊布局。

評估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內(nèi)無BGA封裝的芯片，一般可以用一個電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評估對象，如果BGA內(nèi)的電源種類數(shù)≤3種，用一個電源平面，如果＞3種，則使用2個電源平面，如果＞6則使用3個電源平面，以此類推。備注：1、對于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評估：在確定了走線層數(shù)和電源層數(shù)的基礎(chǔ)上，滿足以下疊層原則：1、疊層對稱性2、阻抗連續(xù)性3、主元件面相鄰層為地層4、電源和地平面緊耦合（3）層疊評估:結(jié)合評估出的走線層數(shù)和平面層數(shù)，高速線優(yōu)先靠近地層的原則，進(jìn)行層疊排布。

疊層方案，疊層方案子流程：設(shè)計參數(shù)確認(rèn)→層疊評估→基本工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)。設(shè)計參數(shù)確認(rèn)（1）發(fā)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》給客戶填寫。（2）確認(rèn)客戶填寫信息完整、正確。板厚與客戶要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm時公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客戶要求無法滿足時，需和工藝、客戶及時溝通確認(rèn)，需滿足加工工藝要求。層疊評估疊層評估子流程：評估走線層數(shù)→評估平面層數(shù)→層疊評估。（1）評估走線層數(shù)：以設(shè)計文件中布線密集的區(qū)域為主要參考，評估走線層數(shù)，一般為BGA封裝的器件或者排數(shù)較多的接插件，以信號管腳為6排的1.0mm的BGA，放在top層，BGA內(nèi)兩孔間只能走一根信號線為例，少層數(shù)的評估可以參考以下幾點：及次信號需換層布線的過孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本體外擴5mm的禁布區(qū)范圍內(nèi)），此類過孔要擺成兩孔間穿兩根信號線的方式。次外層以內(nèi)的兩排可用一個內(nèi)層出線。再依次內(nèi)縮的第五，六排則需要兩個內(nèi)層出線。根據(jù)電源和地的分布情況，結(jié)合bottom層走線，多可以減少一個內(nèi)層。結(jié)合以上5點，少可用2個內(nèi)走線層完成出線。屏蔽腔的設(shè)計具體步驟流程。

DDR2模塊相對于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時稱為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點其實不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。DDR與SDRAM信號的不同之處在哪？十堰如何PCB設(shè)計多少錢

DDR模塊中管腳功能說明。荊州設(shè)計PCB設(shè)計教程

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的，數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關(guān)系，要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時鐘線和數(shù)據(jù)線的等長范圍≤1000Mil。3、對于DDR信號，需要注意串?dāng)_的影響，布線時拉開與同層相鄰信號的間距，時鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬；如果兩個信號層相鄰，要使相鄰兩層的信號走線正交。荊州設(shè)計PCB設(shè)計教程

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