1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,還有驅(qū)動(dòng)電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能,如過(guò)電流和短路保護(hù),驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線(xiàn)電壓測(cè)...
· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門(mén)極電容量必須能夠提供所需的門(mén)極電荷以對(duì)IGBT 的門(mén)極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中,給出了每脈沖的比較大輸出電荷,該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和...
當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí),靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象,有必要采取以下措施:一是防止NPN部分接通,分別改變布局和摻雜級(jí)別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外,閂鎖...
該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子,從集電極襯底p+層開(kāi)始流入空穴,進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制(雙極工作),所以可以降低集電極-發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn-寄生晶體管。若n+pn-寄生晶體管工作,又變成p+n- pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng),直到輸出側(cè)停...
TCR的作用就像一個(gè)可變電納,改變觸發(fā)角就可以改變電納值,因?yàn)樗拥慕涣麟妷菏呛愣ǖ?,改變電納值就可以改變基波電流,從而導(dǎo)致電抗器吸收無(wú)功功率的變化。但是,當(dāng)觸發(fā)角超過(guò)90°以后,電流變?yōu)榉钦业?,隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個(gè)晶閘管在正半波和負(fù)半波對(duì)稱(chēng)觸發(fā),就只會(huì)...
1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等??煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種,螺旋...
橋式整流模塊是一種將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的電力電子器件,采用進(jìn)口方形芯片、高級(jí)芯片支撐板,經(jīng)特殊燒結(jié)工藝,保證焊接層無(wú)空洞,使用更可靠。采用DCB板及其它高級(jí)導(dǎo)熱絕緣材料,導(dǎo)熱性能好,導(dǎo)熱基板不帶電(MDY2000型模塊除外),保證使用安全。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)超過(guò)國(guó)...
常用的不控整流電路有四種。三相半波電路(圖2a)指在電源一個(gè)周期內(nèi)有三個(gè)二極管輪流導(dǎo)電,就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點(diǎn)是接線(xiàn)簡(jiǎn)單,但變壓器次級(jí)繞組的導(dǎo)電角*120°,因此繞組的利用率較低,而且電流是單方向的,它的直流分量形成直流安匝的磁通勢(shì)并產(chǎn)生較大的漏磁...
這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),Ea接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號(hào),而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了??煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小的觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通...
多脈沖整流是指在一個(gè)三相電源系統(tǒng)中,輸出直流電壓在一個(gè)周期內(nèi)多于6個(gè)波頭,通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過(guò)變壓器移相,產(chǎn)生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接,使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波...
4、各種保護(hù)功能相對(duì)**,保護(hù)定值、實(shí)現(xiàn)、閉鎖條件和保護(hù)投退可**整定和配制。5、保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)不依賴(lài)于通訊網(wǎng)絡(luò),滿(mǎn)足電力系統(tǒng)保護(hù)的可靠性。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置具備進(jìn)線(xiàn)保護(hù)、出現(xiàn)保護(hù),分段保護(hù)、配變保護(hù)、電動(dòng)機(jī)保護(hù)、電容器保護(hù)、主變后備保護(hù)、發(fā)電機(jī)后備保護(hù)、P...
?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻...
1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線(xiàn)長(zhǎng)度;b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線(xiàn)絞合,并且不要用過(guò)粗的線(xiàn);c) 線(xiàn)路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線(xiàn)的距離盡量靠近;d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻;e) 如果是有感電阻,可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IG...
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動(dòng)...
(二)按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅??煽毓栝_(kāi)關(guān)(三)按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅...
(2) 認(rèn)真核對(duì)變壓器基礎(chǔ)橫、縱軸線(xiàn)尺寸及預(yù)埋管位置,并與圖紙所給尺寸核對(duì),無(wú)誤后方可進(jìn)行下一步工作。2.2 變壓器開(kāi)箱檢查(1) 變壓器到貨后開(kāi)箱檢查時(shí),應(yīng)會(huì)同業(yè)主、監(jiān)理及廠(chǎng)家的有關(guān)人員一同檢查。(2) 在卸車(chē)前測(cè)量和記錄沖擊記錄器的沖擊值,這個(gè)數(shù)值應(yīng)小于3...
可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好;第二是當(dāng)陰極和陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷,不導(dǎo)通;第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí),陽(yáng)極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通;第四是給控制極加上正向電流,給陰極和陽(yáng)極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流...
由此可見(jiàn),交流電壓通過(guò)二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動(dòng)的。一般負(fù)載需要供給平滑的直流電壓,因此在整流元件與負(fù)載之間常接有濾波器。濾波器對(duì)整流電流的直流分量無(wú)扼流作用,而對(duì)交流分量的感抗很大。這樣,就能在負(fù)載上得到平直的直流電壓Ud,其數(shù)值等于脈動(dòng)電壓...
Ug到來(lái)得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱(chēng)為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)...
(2) 在風(fēng)機(jī)吊裝完后,吊裝變壓器直接就位于基礎(chǔ)上,利用千斤頂進(jìn)行找平、找正。(3) 按廠(chǎng)家規(guī)定的固定方式(螺接或焊接)進(jìn)行變壓器與基礎(chǔ)之間的連接。(4) 若為分體到貨,在變壓器安裝找正后,進(jìn)行外殼的安裝。(5) 懸掛標(biāo)志牌,清掃變壓器箱體內(nèi)部。(6) 在下一...
保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線(xiàn)不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開(kāi)關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測(cè)量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿(mǎn)足庫(kù)存配制有二十幾種保護(hù),...
可控整流:與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路,使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓:通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān):在電路中起到可控電子開(kāi)關(guān)的作用,控制電路的接通和斷開(kāi)。逆變及變頻:在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)在晶閘管的...
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指...
BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,...
另外,變壓器的標(biāo)稱(chēng)容量還與允許的溫升有關(guān),例如,如果一臺(tái)1000KVA的變壓器,允許溫升為100K,如果在特殊的情況下,可以允許其工作到120K,則其容量就不止1000KVA。由此也可以看出,如果改善變壓器的散熱條件,則可以增大其標(biāo)稱(chēng)容量,反過(guò)來(lái)說(shuō),對(duì)于相同容...
·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí), 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電...
若欲使可控硅關(guān)斷,也有兩個(gè)關(guān)斷條件:1) 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值;2) 使 A、K 之間電壓反向??梢?jiàn),可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通,并保持一定幅度的流通電流 的話(huà),則可控硅會(huì)一直保持開(kāi)通狀態(tài)。除非將電源開(kāi)斷一次,才能使其關(guān)斷。若...
功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體,功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能,功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...
2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件,如果沒(méi)有柵極電阻,驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,開(kāi)關(guān)器件通斷快,開(kāi)關(guān)損耗小;反之則慢,同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和...
1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT,并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí),首先要使柵極外的連線(xiàn)盡可能短。當(dāng)連線(xiàn)不能很短時(shí),可用絞線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...