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  • 工業(yè)園區(qū)使用晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨
    工業(yè)園區(qū)使用晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

    可控整流:與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路,使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓:通過控制晶閘管的導(dǎo)通角來調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無觸點電子開關(guān):在電路中起到可控電子開關(guān)的作用,控制電路的接通和斷開。逆變及變頻:在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計注意事項在晶閘管的...

    2025-07-14
  • 虎丘區(qū)好的晶閘管模塊品牌
    虎丘區(qū)好的晶閘管模塊品牌

    普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件,出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),有三個極:陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過程中,它的陽極a和陰極k與...

    2025-07-13
  • 蘇州智能可控硅模塊廠家現(xiàn)貨
    蘇州智能可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

    可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱??煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點,被***用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關(guān)等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部...

    2025-07-13
  • 吳中區(qū)好的IGBT模塊量大從優(yōu)
    吳中區(qū)好的IGBT模塊量大從優(yōu)

    IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時,由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以IGBT...

    2025-07-13
  • 張家港智能晶閘管模塊報價
    張家港智能晶閘管模塊報價

    晶閘管模塊(Silicon Controlled Rectifier Module)是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件之一,以下是對其的詳細(xì)介紹:一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產(chǎn)品,采用模塊化設(shè)計,便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...

    2025-07-13
  • 虎丘區(qū)好的整流橋模塊報價
    虎丘區(qū)好的整流橋模塊報價

    整流二極管一般為平面型硅二極管,用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時,主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管,對截止頻率的反向恢復(fù)時間要求不高,只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

    2025-07-13
  • 虎丘區(qū)應(yīng)用可控硅模塊銷售廠家
    虎丘區(qū)應(yīng)用可控硅模塊銷售廠家

    1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...

    2025-07-13
  • 吳中區(qū)使用可控硅模塊推薦廠家
    吳中區(qū)使用可控硅模塊推薦廠家

    可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整...

    2025-07-13
  • 張家港新型整流橋模塊工廠直銷
    張家港新型整流橋模塊工廠直銷

    脈沖數(shù)越多,整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好,但是整流器的系統(tǒng)越復(fù)雜。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離,但整流變壓器的等效容量大,體積龐大。自耦變壓整流...

    2025-07-12
  • 江蘇加工IGBT模塊廠家現(xiàn)貨
    江蘇加工IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

    IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗...

    2025-07-12
  • 江蘇使用晶閘管模塊品牌
    江蘇使用晶閘管模塊品牌

    晶閘管模塊:現(xiàn)代電力電子技術(shù)的關(guān)鍵器件在當(dāng)今的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,晶閘管模塊作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調(diào)壓、逆變等電力轉(zhuǎn)換過程中發(fā)揮著重要作用,還在眾多工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其獨特的價值和優(yōu)勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

    2025-07-12
  • 昆山好的晶閘管模塊量大從優(yōu)
    昆山好的晶閘管模塊量大從優(yōu)

    (3)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離,導(dǎo)熱底板不帶電,絕緣強度≥2500V(RMS),保證人身安全。(4)三相交流模塊輸出對稱性好,直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護(hù)作用。(5)輸入0~10V直流控制信號或0~5V直流控制信號、4~20mA...

    2025-07-12
  • 昆山新型整流橋模塊推薦廠家
    昆山新型整流橋模塊推薦廠家

    另外,由于整流元件的特性,可以在整流電爐的閥側(cè)直接控制硅整流元件導(dǎo)通的相位角度,可以平滑的調(diào)整整流電壓的平均值,這種調(diào)壓方式稱為相控調(diào)壓。實現(xiàn)相控調(diào)壓,一是采用晶閥管,二是采用自飽和電抗器,自飽和電抗器基本上是由一個鐵芯和兩個繞組組成的,一個是工作繞組,它串聯(lián)...

    2025-07-12
  • 江蘇使用IGBT模塊聯(lián)系方式
    江蘇使用IGBT模塊聯(lián)系方式

    有些驅(qū)動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

    2025-07-12
  • 常熟本地IGBT模塊現(xiàn)價
    常熟本地IGBT模塊現(xiàn)價

    1979年,MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

    2025-07-12
  • 相城區(qū)新型整流橋模塊品牌
    相城區(qū)新型整流橋模塊品牌

    6.什么叫“H級絕緣,用B級考核溫升”?就是說,變壓器采用H級絕緣材料,但是各個點的工作溫度不允許超過B級絕緣所允許的工作溫度。這實際上是對絕緣材料的一種浪費,但是,變壓器的過載能力會很強.1、施工應(yīng)具備的條件(1) 圖紙會審和根據(jù)廠家資料編制詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書...

    2025-07-12
  • 昆山好的整流橋模塊現(xiàn)價
    昆山好的整流橋模塊現(xiàn)價

    另外,由于整流元件的特性,可以在整流電爐的閥側(cè)直接控制硅整流元件導(dǎo)通的相位角度,可以平滑的調(diào)整整流電壓的平均值,這種調(diào)壓方式稱為相控調(diào)壓。實現(xiàn)相控調(diào)壓,一是采用晶閥管,二是采用自飽和電抗器,自飽和電抗器基本上是由一個鐵芯和兩個繞組組成的,一個是工作繞組,它串聯(lián)...

    2025-07-12
  • 姑蘇區(qū)加工IGBT模塊品牌
    姑蘇區(qū)加工IGBT模塊品牌

    確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說,**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù),那么我們就可以運用公式計算出:門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

    2025-07-12
  • 太倉新型整流橋模塊現(xiàn)價
    太倉新型整流橋模塊現(xiàn)價

    6.什么叫“H級絕緣,用B級考核溫升”?就是說,變壓器采用H級絕緣材料,但是各個點的工作溫度不允許超過B級絕緣所允許的工作溫度。這實際上是對絕緣材料的一種浪費,但是,變壓器的過載能力會很強.1、施工應(yīng)具備的條件(1) 圖紙會審和根據(jù)廠家資料編制詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書...

    2025-07-12
  • 工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊品牌
    工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊品牌

    該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子,從集電極襯底p+層開始流入空穴,進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制(雙極工作),所以可以降低集電極-發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn-寄生晶體管。若n+pn-寄生晶體管工作,又變成p+n- pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動,直到輸出側(cè)停...

    2025-07-12
  • 吳江區(qū)好的晶閘管模塊現(xiàn)價
    吳江區(qū)好的晶閘管模塊現(xiàn)價

    光控晶閘管:通過光照度觸發(fā)導(dǎo)通,具有很強的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點:體積小、效率高、壽命長。能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備。反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷。無觸點運行,無火花、無噪音。但靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,容易受干擾而誤導(dǎo)通。三、主要參數(shù)...

    2025-07-12
  • 江蘇本地可控硅模塊聯(lián)系方式
    江蘇本地可控硅模塊聯(lián)系方式

    為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種...

    2025-07-11
  • 高新區(qū)新型晶閘管模塊推薦廠家
    高新區(qū)新型晶閘管模塊推薦廠家

    電樞反向接線動作速度快,但需多用一組大容量的晶閘管整流器;磁場反向接線由于磁慣性動作速度緩慢,但可省用一組大容量晶閘管整流器,增加的只不過是一組小容量的晶閘管整流器。盡管電樞反向接線動作迅速,但對于提升機來說是不必要的,動作過快反而對電動機的換向造成困難及對機...

    2025-07-11
  • 昆山智能IGBT模塊現(xiàn)價
    昆山智能IGBT模塊現(xiàn)價

    IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,...

    2025-07-11
  • 虎丘區(qū)使用可控硅模塊工廠直銷
    虎丘區(qū)使用可控硅模塊工廠直銷

    4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻...

    2025-07-11
  • 張家港使用晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨
    張家港使用晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

    。不同的控制策略可以容易的被實現(xiàn),特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的,因此通過追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴(kuò)容的目的,當(dāng)然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

    2025-07-11
  • 虎丘區(qū)新型晶閘管模塊工廠直銷
    虎丘區(qū)新型晶閘管模塊工廠直銷

    而對于5次和7次諧波電流,以及更高次16(2n+1)±1,n=0,1,2,…的諧波電流來說,兩組6脈波TCR在變壓器的一次側(cè)產(chǎn)生的諧波電流幅值相等,但相位剛好相反,二者相互抵消。所以在一次側(cè)的線電流里將*含12n±1(13為整數(shù))次諧波,也使得對諧波濾波器的要...

    2025-07-11
  • 吳中區(qū)加工晶閘管模塊報價
    吳中區(qū)加工晶閘管模塊報價

    同時,晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢也日益明顯。通過集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù),晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能,為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述,晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件,以其獨特的性能和廣闊的應(yīng)...

    2025-07-11
  • 常熟加工IGBT模塊銷售廠家
    常熟加工IGBT模塊銷售廠家

    fsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)...

    2025-07-11
  • 工業(yè)園區(qū)加工IGBT模塊量大從優(yōu)
    工業(yè)園區(qū)加工IGBT模塊量大從優(yōu)

    有些驅(qū)動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

    2025-07-11
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