DDR 系統(tǒng)概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。 DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)...

DDRx接口信號(hào)的時(shí)序關(guān)系 DDR3的時(shí)序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時(shí)序設(shè)計(jì)要求。 一組是DQ和DQS的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是時(shí)鐘和地址控制總線的關(guān)系；一組是CLK和DQS的關(guān)系， 也就是時(shí)鐘和選通信號(hào)的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個(gè) 方向的時(shí)序關(guān)系。 要注意各組時(shí)序的嚴(yán)格程度是不一樣的，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號(hào)，需要非常嚴(yán)格的 等長(zhǎng)關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家，對(duì)DQ組的等長(zhǎng)關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi)，在高速的 DDR3設(shè)計(jì)時(shí)，甚至?xí)笤凇?..

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功...

DDR3信號(hào)質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號(hào)速率的升高，信號(hào)電平降低，信號(hào)質(zhì)量問題也會(huì)變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號(hào)通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會(huì)將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對(duì)于多負(fù)載的控制命令信號(hào)，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動(dòng)能力的選擇等方面，可以通過仿真 來得到正確驅(qū)動(dòng)和端接，使DDR工作時(shí)信號(hào)質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時(shí)序裕量。是否可以使用多個(gè)軟件工具來執(zhí)行DDR3一致性測(cè)試？HDMI測(cè)試DDR3測(cè)試HDMI測(cè)試 使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例，來講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè)...

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。 在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controller的輸出激勵(lì)為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)， 單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析， 在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到，差分時(shí)鐘波形邊沿正常，有一些反射。...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào)；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào)；DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào)；DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。 開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào)，以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆]有多個(gè)Rank, 所以本例將把地...

走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過實(shí)例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。 啟動(dòng) Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_Check.brd。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成....

多數(shù)電子產(chǎn)品，從智能手機(jī)、PC到服務(wù)器，都用著某種形式的RAM存儲(chǔ)設(shè)備。由于相 對(duì)較低的每比特的成本提供了速度和存儲(chǔ)很好的結(jié)合，SDRAM作為大多數(shù)基于計(jì)算機(jī)產(chǎn)品 的主流存儲(chǔ)器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。 DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會(huì)）發(fā)布。隨著時(shí)鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標(biāo)，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲(chǔ)器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來越大。存 儲(chǔ)器子系統(tǒng)的信號(hào)完整性早已成為電子工程師重點(diǎn)考慮的棘手問題。 DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試可以修復(fù)一致性問題嗎？信息化DDR3...

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)? DDR1/2控制命令等信號(hào)，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí)，T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 Fly.by拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí)，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片，IBIS文件 為arria5.ibs, DDR顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為v70s.ibs。 分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時(shí)，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用...

單擊Next按鈕，出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口，確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。 單擊Save File with Error Check保存文件，保存結(jié)束后，單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后，仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時(shí)選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結(jié)果...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號(hào)雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洌瑫r(shí)鐘/地址/命令/控制信號(hào)則改用Fly-by的拓?fù)洳季€；數(shù)據(jù)和選 通信號(hào)有動(dòng)態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間因不同拓?fù)湟鸬?延時(shí)偏移，以滿足時(shí)序要求。DDR3一致性測(cè)試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？河北DDR3測(cè)試維修 創(chuàng)建工程...

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述： 架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級(jí)：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-16...

高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的，嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。 DDRx發(fā)展簡(jiǎn)介 代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿...

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。 因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。 由于我們要設(shè)計(jì) DDR 存儲(chǔ)模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對(duì) DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R2.pdf」的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 DDR3一致性測(cè)試期間會(huì)測(cè)試哪些方面？江蘇...

重復(fù)以上步驟，分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 是否可以在運(yùn)行操作系統(tǒng)時(shí)執(zhí)行DDR3一致性測(cè)試？江西DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹 高速DDRx總線系統(tǒng)設(shè)計(jì) 首先簡(jiǎn)要介紹DDRx的發(fā)展歷程，通...

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號(hào)網(wǎng)絡(luò)、部分信號(hào)網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)?？梢酝ㄟ^ Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會(huì)生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Set...

DDR 系統(tǒng)概述 DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。 DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)...

常見的信號(hào)質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號(hào)質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號(hào)幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號(hào) 端接使DDR信號(hào)質(zhì)量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號(hào)質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號(hào)為例，通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號(hào)質(zhì)量仿真。 在本案例中客戶反映實(shí)測(cè)CLK信號(hào)質(zhì)量不好。CLK信號(hào)從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (...

至此，DDR3控制器端各信號(hào)間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會(huì)將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識(shí)別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo 設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置。 On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時(shí)影響很大，特...

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話框在NewWorkspace對(duì)話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側(cè)是W...

"DDRx"是一個(gè)通用的術(shù)語，用于表示多種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個(gè)數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長(zhǎng)的計(jì)算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn)：DDR2：DDR2是第二代DDR技術(shù)，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能，如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術(shù)，進(jìn)一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內(nèi)...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào)；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào)；DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào)；DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。 開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào)，以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆]有多個(gè)Rank, 所以本例將把地...

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時(shí) 鐘信號(hào)頻率為166?533MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的雙沿釆樣；控制信號(hào)速率為166?533Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿 采樣；一般用于板載(Memory?down)設(shè)計(jì)，信號(hào)通常為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)?，沒有ODT功能。 LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V； 時(shí)鐘信號(hào)頻率為667?1066MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號(hào)速率為1...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

重復(fù)以上步驟，分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 如何解決DDR3一致性測(cè)試期間出現(xiàn)的錯(cuò)誤？廣東DDR3測(cè)試多端口矩陣測(cè)試 走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和...

重復(fù)以上步驟，分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 在DDR3一致性測(cè)試期間能否繼續(xù)進(jìn)行其他任務(wù)？通信DDR3測(cè)試推薦貨源 瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)...

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote：在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesign：對(duì)于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。 · IBIS 文件：這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進(jìn)行一致性測(cè)試？北京DDR3測(cè)試DDR測(cè)試 走線阻抗/耦合檢查 ...

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功...

高速DDRx總線概述 DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的，嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。 DDRx發(fā)展簡(jiǎn)介 代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿...