igbt芯片的邊緣還設置有終端保護區(qū)域，其中，終端保護區(qū)域包括在n型耐壓漂移層上設置的多個p+場限環(huán)或p型擴散區(qū)；從而通過多個p+場限環(huán)或p型擴散區(qū)對igbt芯片進行耐壓保護，在實際應用中，由于p+場限環(huán)或p型擴散區(qū)的數(shù)量與igbt芯片的電壓等級有關，因此，關于p+場限環(huán)或p型擴散區(qū)的數(shù)量，本發(fā)明實施例對此不作限制說明。具體地，圖7示出了一種igbt芯片的表面結構圖，如圖7所示，一發(fā)射極單元金屬2為一發(fā)射極單元101在一表面中的設置位置，空穴收集區(qū)電極金屬3為電流檢測區(qū)域20的電極空穴收集區(qū)在一表面中的設置位置。當改變電流檢測區(qū)域20的形狀時，如指狀或者梳妝時，igbt芯片的表面結構如...

將功率模塊支架3、功率模塊4一起以散熱體6上的定位柱裝配到導熱墊5上；再將pcb板2以功率模塊支架3上的定位柱裝配到功率模塊支架3上，功率模塊支架3的定位柱和散熱體6的定位柱為同軸，此時pcb板2和功率模塊4之間就形成了定位關系；后裝配螺釘，將功率模塊支架3、功率模塊4、導熱墊5一起固定在散熱體6上，在將功率模塊4的引腳焊接在pcb板2上，至此整個系統(tǒng)裝配完成。與現(xiàn)有技術相比，本實施例的一種功率模塊支架及其功率模塊機構，將多個該功率模塊集成到一起，進行統(tǒng)一安裝和定位，實現(xiàn)模塊裝配的集成化，節(jié)省生產(chǎn)成本、提高了生產(chǎn)效率。上述以實施例來進一步說明本實用新型的技術內(nèi)容，以便于讀者更容易理解，...

具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-3，一種igbt功率模塊的安裝機構，包括底座1，底座1內(nèi)部的兩側(cè)均開設有容納槽2，容納槽2的內(nèi)壁固定連接有一軸承3，一軸承3的內(nèi)部固定連接有蝸桿4，蝸桿4的外端貫穿至底座1的外部固定連接有轉(zhuǎn)盤5，轉(zhuǎn)盤5外側(cè)的底部固定連接有把手18，把手18與轉(zhuǎn)盤5配合使用，通過設置把手18，能夠便于使用者通...

滑環(huán)12的底部固定連接有與傳動桿10配合使用的移動框13，移動框13位于圓盤9的前側(cè)，傳動桿10的前端延伸至移動框13的內(nèi)部，傳動桿10的表面與移動框13的內(nèi)壁接觸，移動框13的底部固定連接有導向桿19，容納槽2內(nèi)壁的底部開設有導向槽20，導向桿19與導向槽20滑動連接，通過設置導向桿19和導向槽20，能夠增加移動框13移動的穩(wěn)定性，防止移動框13移動時傾斜，滑環(huán)12的頂部固定連接有移動板14，移動板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動板14內(nèi)側(cè)的頂部固定連接有卡桿15，底座1的頂部設置有igbt功率模塊本體16，igbt功率模塊本體16底部的兩側(cè)均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部...

對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖10...

該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。藉此，本發(fā)明具有下列功效：1.本發(fā)明使用的熱接口材料將不會產(chǎn)生任何介金屬化合物，故不會因制程(環(huán)境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當穩(wěn)定。2.本發(fā)明使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長時間使用下將無有機揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)產(chǎn)生。3.本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導熱系數(shù)為錫銀銅合金(無鉛焊錫)的兩倍以上，如表1所示。表1本發(fā)明與現(xiàn)有錫銀銅合金焊料的比較錫銀銅焊料...

廣泛應用在斬波或逆變電路中，如軌道交通、電動汽車、風力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領域。此外，半導體功率模塊主要包括igbt器件和fwd，在實際應用中，為了保證半導體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作，通常在半導體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫度傳感器，以對半導體功率模塊中的器件進行過電流和溫度的實時監(jiān)控，方便電路進行保護?，F(xiàn)有技術中主要通過在igbt器件芯片內(nèi)集成電流傳感器，并利用鏡像電流檢測原理實現(xiàn)電流的實時監(jiān)控，例如，對于圖2中的電流敏感器件，在igbt器件芯片有源區(qū)內(nèi)按照一定面積比如1:1000，隔離開1/1000的源區(qū)金屬電極作為電流檢測的電流傳感器1，該電流傳感器1...

采用本實用新型ipm模塊短路檢測電路和現(xiàn)有退飽和檢測電路對ipm模塊進行短路檢測，結果如圖3所示，圖3中，縱軸vce為ipm模塊集電極與發(fā)射極之間的電壓，橫軸為時間，該圖中上面的虛線表示ipm模塊發(fā)生短路故障后，其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時間的變化趨勢；中間實線表示ipm模塊正常工作時，即沒有發(fā)生短路時，其其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時間的變化趨勢；底部虛線表示現(xiàn)有退飽和檢測電路設置的閾值電壓vref隨時間的變化趨勢；在ipm模塊發(fā)生短路時，本實用新型ipm模塊短路檢測電路測試出短路故障所需時間為t1，現(xiàn)有退飽和檢測電路測試出短路故障所需時間為t2，從圖3中可看出，t2≈2t1，表明本實...

且便于連接微處理器.驅(qū)動信號一般由光耦電路產(chǎn)生。驅(qū)動電路主要是使控制輸入信號通過光電耦合器傳送，設計時可選擇HcPI一1505、HC-PL_4506、TLP一759、TLP559等型號的光電耦合器，并使光耦與IPM控制端子間的布線短，布線阻抗小。以上推薦型號的光電耦合器均為發(fā)光二極管驅(qū)動方式，dv/dt的耐量小，故采用光耦陰極接限流電阻的驅(qū)動電路形式，完整的驅(qū)動電路如圖2所示。圖2驅(qū)動電路，其結構為交-直-交電壓型變頻器，通過PWM信號控制IGBT的導通，得到頻率可變的交流輸出，則可實現(xiàn)交流電機的無極調(diào)速。圖3中，驅(qū)動單元共7組，上橋臂用3組，下橋臂用3組，制動用1組;控制電源共4組，...

本實用新型的有益效果如下：1、本實用新型通過設置底座、容納槽、一軸承、蝸桿、轉(zhuǎn)盤、第二軸承、轉(zhuǎn)軸、蝸輪、圓盤、傳動桿、滑桿、滑環(huán)、移動框、移動板、卡桿、igbt功率模塊本體和卡槽的配合使用，解決了現(xiàn)有igbt功率模塊的安裝機構操作時繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題，該igbt功率模塊的安裝機構，具備方便安裝的優(yōu)點，節(jié)省了使用者大量的時間，提高了igbt功率模塊安裝的效率。2、本實用新型通過設置把手，能夠便于使用者通過把手轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)盤，提高了把手的實用性，通過設置滑桿和滑環(huán)，能夠增加滑環(huán)滑動的穩(wěn)定性，通過設置導向桿和導向槽，能夠增加移動框移動的穩(wěn)定性，防止移動框移動時傾斜，通過設...

該igbt芯片上設置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的一發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與一發(fā)射極單元連接，公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元；接地區(qū)域設置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處；電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓，并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。第二方面，本發(fā)明實施例還提...

空穴收集區(qū)8可以處于與一發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置，特別的，在終端保護區(qū)域的p+場限環(huán)也可以成為空穴收集區(qū)8，本發(fā)明實施例對此不作限制說明。因此，本發(fā)明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中，通過檢測電阻上產(chǎn)生的電壓，得到工作區(qū)域的電流大小。但是，在實際檢測過程中，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區(qū)域的mos溝槽溝道對地電位，即相當降低了電流檢測區(qū)域的柵極電壓，從而使電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻增加。當電流檢測區(qū)域的電流越大時，電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻就越大，從而使檢測電壓在工作區(qū)域的電流越大，導致電流檢測區(qū)域的電流與工作區(qū)域電流的比例關系偏離增大，產(chǎn)生大電流下的信號失...

多個直流母線電容一側(cè)設置在鈑金固定板上。所述的疊層母排包括正疊層銅排13和負疊層銅排14，正疊層銅排和負疊層銅排之間設置有第二絕緣層15。所述的直流母線電容組件另一側(cè)面與疊層母排的正疊層銅排并聯(lián)連接，直流母線電容組件通過疊層母排設置在一絕緣層的兩側(cè)。直流母線電容組件通過箱體風道散熱所述的IGBT功率組件包括IGBT驅(qū)動板16和多個IGBT元件17，多個IGBT元件通過IGBT驅(qū)動板設置在液冷換熱器的兩側(cè)。所述的鈑金隔板底面形成有兩個連接口18，液冷換熱器設置在兩個連接口之間的鈑金隔板上，液冷換熱器兩側(cè)緊鄰設置的IGBT功率組件分別與兩個連接口相對應，液冷換熱器給IGBT功率組件散熱。液...