真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經(jīng)加速陽極加速,獲得動(dòng)能轟擊處于陽極的蒸發(fā)材料,是蒸發(fā)材料加熱氣化,實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。這種技術(shù)相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜,可以制作高熔點(diǎn)和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術(shù)中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場(chǎng)的感應(yīng)下產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術(shù)。這種技術(shù)比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大,且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定。真空鍍膜中濺射鍍膜有很多種方式。佛山叉指電極真空鍍膜外協(xié)真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長(zhǎng)方法,簡(jiǎn)稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術(shù)。這種...

真空鍍膜的方法：離子鍍：總體來說比較常用的有:直流放電二極型、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍(ARE)、空心陰極放電離子鍍(HCD)、射頻放電離子鍍(RFIP)、增強(qiáng)的ARE型、低壓等離子型離子鍍(LP-PD)、電場(chǎng)蒸發(fā)、感應(yīng)加熱離子鍍、多弧離子鍍、電弧放電型高真空離子鍍、離化團(tuán)束鍍等。由于離子鍍膜層具有非常優(yōu)良的性能,所以越來越受到人們的重視,特別是離子鍍TiN、TiC在工具、模具的超硬鍍膜、裝飾鍍膜等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越普遍,并將占據(jù)越來越重要的地位。在鐘表行業(yè),因?yàn)殁仧o毒無污染,與人體皮膚接觸,不會(huì)引起過敏等不良反應(yīng),在表帶上沉積一層鈦膜還能起到表面裝飾的作用,可以做成金黃、黑色、灰色、紅棕色、橙色...

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術(shù)，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術(shù)，是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代，由前蘇聯(lián)科學(xué)家Aleskovskii和Koltsov報(bào)道，隨后，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對(duì)高質(zhì)量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善。然而，受限于其復(fù)雜的表面化學(xué)過程等因素，原子層沉積技術(shù)在開始并沒有取得較大發(fā)展，直到上世紀(jì)九十年代，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的興起，對(duì)各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術(shù)才迎來發(fā)展的黃金階段...

ALD是一種薄膜形成方法，其中將多種氣相原料（前體）交替暴露于基板表面以形成膜。與CVD不同，不同類型的前驅(qū)物不會(huì)同時(shí)進(jìn)入反應(yīng)室，而是作為單獨(dú)的步驟引入（脈沖）和排出（吹掃）。在每個(gè)脈沖中，前體分子在基材表面上以自控方式起作用，并且當(dāng)表面上不存在可吸附位時(shí)，反應(yīng)結(jié)束。因此，一個(gè)周期中的產(chǎn)品成膜量由前體分子和基板表面分子如何化學(xué)鍵合來定義。因此，通過控制循環(huán)次數(shù)，可以在具有任意結(jié)構(gòu)和尺寸的基板上形成高精度且均勻的膜。真空鍍膜技術(shù)有化學(xué)氣相沉積鍍膜。云南金屬真空鍍膜公司廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相...

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí)，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊，通過動(dòng)量轉(zhuǎn)移，使淀積粒子獲得較大動(dòng)能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長(zhǎng)發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源?；魻栯x子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽極上方發(fā)出熱電子，在磁場(chǎng)作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發(fā)散角大，維護(hù)容易。真空鍍膜是將裝有基片的真空室抽成真空...

真空鍍膜：真空蒸發(fā)鍍膜法：真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，其特點(diǎn)是：設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化，應(yīng)用相當(dāng)普遍。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等?；瘜W(xué)氣相沉積是真空鍍膜技術(shù)的一種。山東叉指電極真空鍍膜技術(shù)LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、絕緣層...

基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響，基片溫度高，使吸附原子的動(dòng)能增大，跨越表面勢(shì)壘的幾率增多，容易結(jié)晶化，并使薄膜缺陷減少，同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少，基片溫度低，則易形成無定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱，采用鎢，鉬，鉑等高熔點(diǎn)的金屬。真空鍍膜時(shí)，飛抵基片的氣化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸發(fā)離開，剩下的要么結(jié)合在一起，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大；或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散，逐漸生長(zhǎng)，覆蓋整個(gè)基片，形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量化學(xué)氣相沉積法主要有常壓CV...

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發(fā)主要是三個(gè)過程：1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運(yùn)輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長(zhǎng)、形成連續(xù)薄膜的過程。在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。重慶低壓氣相沉積真空鍍膜價(jià)格利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下...

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料靶材加熱并蒸發(fā)，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面（或升華），并較終沉積在基體表面上的技術(shù)。在整個(gè)過程中，氣態(tài)的原子、分子在真空中會(huì)經(jīng)過很少的碰撞而直接遷移到基體，并沉積在基體表面形成薄膜。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱，高頻感應(yīng)加熱，電子束、激光束、離子束高能轟擊鍍料等。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù)。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發(fā)源等。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射，同時(shí)使用多個(gè)靶qiang電源和不...

真空鍍膜：電阻加熱蒸發(fā)法：電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的較高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。各種真空鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子。山西反...

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。真空鍍膜是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料。東莞ITO鍍膜真空鍍膜價(jià)錢真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式。按電極結(jié)構(gòu)、電極相對(duì)位置以及濺射的過程,可以分為...

電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)的區(qū)別在于：電子束蒸發(fā)是用一束電子轟擊物體，產(chǎn)生高能量進(jìn)行蒸發(fā)， 熱蒸發(fā)通過加熱完成這一過程。與熱蒸發(fā)相比，電子束蒸發(fā)提供了高能量；但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級(jí)將是困難的。在這種情況下，帶有厚度監(jiān)控器的良好熱蒸發(fā)器將更合適。 與熱蒸發(fā)相比，電子束蒸發(fā)具有許多優(yōu)點(diǎn) 1、電子束蒸發(fā)可以將材料加熱到比熱蒸發(fā)更高的溫度。這允許高溫材料和難熔金屬（例如鎢、鉭或石墨）的非常高的沉積速率和蒸發(fā)。 2、電子束蒸發(fā)可以沉積更薄、純度更高的薄膜。坩堝的水冷將電子束加熱嚴(yán)格限制在由源材料占據(jù)的區(qū)域，從而消除了相鄰組件的任何不必要的污染。 3、電子束蒸發(fā)源有各種尺寸和配置，包括單腔或多腔。真空...

真空鍍膜的方法：離子鍍：在機(jī)加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產(chǎn)效率也提高。在固體潤(rùn)滑膜方面,Z新研制的多相納米復(fù)合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦系數(shù)低,摩擦噪聲小,抗潮濕氧化能力較高,高低溫性能好,抗粉塵磨損能力較強(qiáng)及磨損壽命較長(zhǎng)等特點(diǎn),被普遍運(yùn)用于車輛零部件上。與此同時(shí),離子鍍鈦也在航空航天,光學(xué)器件等領(lǐng)域應(yīng)用普遍,收效顯著。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。真空鍍膜機(jī)新型表面功能覆層技術(shù)，其特點(diǎn)是保持基體材料固有的特征，又賦予表面化所要求的各種性能.云南功率器件真空鍍膜價(jià)格真空鍍膜是...

PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層，來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對(duì)器件有一定的要求，因?yàn)楣に嚋囟缺容^高，所以器件需要耐高溫，高溫烘烤下不能變形。真空鍍膜是一種比較理想的薄膜制備方法。河北低壓氣相沉積真空鍍膜代工常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺...

磁控濺射由于其優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨增長(zhǎng),成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一,相應(yīng)的濺射技術(shù)與也取得了進(jìn)一步的發(fā)展。非平衡磁控濺射改善了沉積室內(nèi)等離子體的分布,提高了膜層質(zhì)量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應(yīng)濺射時(shí)的遲滯現(xiàn)象,消除靶中毒和打弧問題,提高制備化合物薄膜的穩(wěn)定性和沉積速率;改進(jìn)的磁控濺射靶的設(shè)計(jì)可獲得較高的靶材利用率;高速濺射和自濺射為濺射鍍膜技術(shù)開辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域，具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟(jì)效益，實(shí)驗(yàn)簡(jiǎn)單方便。真空鍍膜機(jī)電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成，是包含一個(gè)或幾個(gè)孔的閥體。湖北功率器件真空鍍膜平臺(tái)真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子...

影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長(zhǎng)的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候，靶完全中毒，不能繼續(xù)濺射在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法，稱...

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(

真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長(zhǎng)方法,簡(jiǎn)稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術(shù)。這種方法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質(zhì)氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學(xué)反應(yīng)(熱分解或化學(xué)合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。真空鍍膜被稱為可以在任何基板上沉...

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結(jié)形成固體薄膜的技術(shù)。根據(jù)蒸發(fā)源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發(fā)源、電子束蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源及激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。電阻蒸發(fā)源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發(fā)舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發(fā)或升華。這種方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,使用相當(dāng)普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負(fù)載TiO2織物,紫外線透過率都比未負(fù)載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時(shí),膜層較均勻,當(dāng)在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學(xué)、...

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對(duì)于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢(shì)，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料，大量應(yīng)用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應(yīng)用范圍。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。湖南貴金屬真空鍍膜廠家真空鍍膜是指在高真空的...

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結(jié)形成固體薄膜的技術(shù)。根據(jù)蒸發(fā)源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發(fā)源、電子束蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源及激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。電阻蒸發(fā)源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發(fā)舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發(fā)或升華。這種方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,使用相當(dāng)普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負(fù)載TiO2織物,紫外線透過率都比未負(fù)載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時(shí),膜層較均勻,當(dāng)在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學(xué)、...

所謂的原子層沉積技術(shù)，是指通過將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續(xù)化學(xué)反應(yīng)的薄膜形成技術(shù)?；瘜W(xué)氣相沉積：1個(gè)是分類的（CVD的化學(xué)氣相沉積）。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學(xué)物質(zhì)執(zhí)行的。每種前體以連續(xù)和自我控制的方式與物體表面反應(yīng)。通過依次重復(fù)對(duì)每個(gè)前體的曝光來逐漸形成薄膜。ALD是半導(dǎo)體器件制造中的重要過程，部分設(shè)備也可用于納米材料合成。真空鍍膜的功能是多方面的，這也決定了其應(yīng)用場(chǎng)合非常豐富。佛山電子束蒸發(fā)真空鍍膜公司磁控濺射技術(shù)比蒸發(fā)技術(shù)的粒子能量更高，膜基結(jié)合力更好，“磁控濺射離子鍍...

真空鍍膜：真空蒸發(fā)鍍膜法：真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，其特點(diǎn)是：設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化，應(yīng)用相當(dāng)普遍。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。真空鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術(shù)。北京磁控濺射真空鍍膜加工磁控濺射包括很多種類各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利...

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場(chǎng)的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。真空鍍膜是一...

真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴(yán)格的監(jiān)控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優(yōu)點(diǎn)在于能生長(zhǎng)極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結(jié)構(gòu)器件,從而為制作集成光學(xué)和超大規(guī)模集成電路提供了有力手段。利用反應(yīng)分子束外延法制備TiO2薄膜時(shí),不需要考慮中間的化學(xué)反應(yīng),又不受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊?并且利用開閉擋板(快門)來實(shí)現(xiàn)對(duì)生長(zhǎng)和中斷的瞬時(shí)控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調(diào)整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優(yōu)點(diǎn)。真空鍍膜是在真空室內(nèi)把材料...

真空鍍膜：離子鍍膜法：離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨?。根?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和啟動(dòng)方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。目前比較常用的組合方式有：各種真空鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境。河南共濺射...

通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題，不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力，在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯(cuò)位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等.對(duì)于薄膜應(yīng)力主要有以下原因：1.薄膜生長(zhǎng)初始階段，薄膜面和界面的表面張力的共同作用；2.沉積過程中膜面溫度遠(yuǎn)高于襯底溫度產(chǎn)生熱應(yīng)變；3.薄膜和襯底間點(diǎn)陣錯(cuò)配而產(chǎn)生界面應(yīng)力；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應(yīng)力；5.斜入射造成各向異性成核、生長(zhǎng)；6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學(xué)組分改變導(dǎo)致原子體積變化 真空鍍膜中離子鍍簡(jiǎn)化可以大量的鍍前清洗工作。天津光...

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結(jié)形成固體薄膜的技術(shù)。根據(jù)蒸發(fā)源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發(fā)源、電子束蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源及激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。電阻蒸發(fā)源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發(fā)舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發(fā)或升華。這種方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,使用相當(dāng)普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負(fù)載TiO2織物,紫外線透過率都比未負(fù)載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時(shí),膜層較均勻,當(dāng)在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學(xué)、...

蒸發(fā)法鍍膜是將固體材料置于真空室內(nèi)，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發(fā)，蒸發(fā)出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當(dāng)把一些加工好的基板材料放在其中時(shí)，蒸發(fā)出來的原子或分子就會(huì)吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據(jù)蒸發(fā)源不同，真空蒸發(fā)鍍膜法又可 以分為四種：電阻蒸發(fā)源蒸鍍法；電子束蒸發(fā)源蒸鍍法；高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法；激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。本實(shí)驗(yàn)采用電阻蒸發(fā)源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發(fā)鍍膜，要求從蒸發(fā)源出來的蒸汽分子或原子，到達(dá)被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內(nèi)殘余氣體分子的平均自由程，這樣才能保證蒸發(fā)物的蒸汽分子能無碰撞地到達(dá)基片表面。保證薄膜純凈和牢固，蒸發(fā)物也不至于氧化。真空鍍膜流程：前處理及化...

蒸發(fā)法鍍膜是將固體材料置于真空室內(nèi)，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發(fā)，蒸發(fā)出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當(dāng)把一些加工好的基板材料放在其中時(shí)，蒸發(fā)出來的原子或分子就會(huì)吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據(jù)蒸發(fā)源不同，真空蒸發(fā)鍍膜法又可 以分為四種：電阻蒸發(fā)源蒸鍍法；電子束蒸發(fā)源蒸鍍法；高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法；激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。本實(shí)驗(yàn)采用電阻蒸發(fā)源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發(fā)鍍膜，要求從蒸發(fā)源出來的蒸汽分子或原子，到達(dá)被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內(nèi)殘余氣體分子的平均自由程，這樣才能保證蒸發(fā)物的蒸汽分子能無碰撞地到達(dá)基片表面。保證薄膜純凈和牢固，蒸發(fā)物也不至于氧化。真空鍍膜機(jī)、真空鍍膜設(shè)備...