浙江通信DDR測(cè)試

DDR5具備如下幾個(gè)特點(diǎn)：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s（百萬(wàn)次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?！じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達(dá)20％以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長(zhǎng)度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù)，同時(shí)限制同一存儲(chǔ)庫(kù)內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時(shí)約束的風(fēng)險(xiǎn)。此外，DDR5使存儲(chǔ)組數(shù)量翻倍，這是通過(guò)在任意給定時(shí)間打開(kāi)更多頁(yè)面來(lái)提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿足下一代計(jì)算的需求。DDR工作原理與時(shí)序問(wèn)題；浙江通信DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

制定DDR內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)按照J(rèn)EDEC組織的定義，DDR4的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng)達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開(kāi)始，由于高性能移動(dòng)終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開(kāi)始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動(dòng)終端上開(kāi)始使用。DDR5的規(guī)范(JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開(kāi)始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺(tái)走向商 機(jī)械DDR測(cè)試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)DDR4關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；

DDR測(cè)試DDR/LPDDR簡(jiǎn)介目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中，存儲(chǔ)器是必不可少的。常用的存儲(chǔ)器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲(chǔ)器速度較慢，主要用于存儲(chǔ)程序代碼、文件以及長(zhǎng)久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲(chǔ)器),這種存儲(chǔ)器運(yùn)行速度較快，主要用于程序運(yùn)行時(shí)的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲(chǔ)器類型的劃分

1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600Mbps。對(duì)于如此高的速度，從PCB的設(shè)計(jì)角度來(lái)幫大家分析，要做到嚴(yán)格的時(shí)序匹配，以滿足信號(hào)的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓?fù)?、時(shí)延匹配、串?dāng)_、信號(hào)及電源完整性和時(shí)序，目前，有很多EDA工具可以對(duì)它們進(jìn)行很好的計(jì)算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容方案；

DDR測(cè)試

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來(lái)說(shuō)，DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也開(kāi)始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 協(xié)助DDR有那些工具測(cè)試；通信DDR測(cè)試產(chǎn)品介紹

DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試；浙江通信DDR測(cè)試

這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮：一種是，通過(guò)過(guò)孔互聯(lián)的這個(gè)過(guò)孔附近沒(méi)有任何地過(guò)孔，那么，其返回路徑只能通過(guò)離此過(guò)孔250mils的PCB邊緣來(lái)提供；第二種是，一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞的信號(hào)過(guò)孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號(hào)過(guò)孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號(hào)過(guò)孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時(shí)延方面顯得尤為重要。 浙江通信DDR測(cè)試