控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點的電磁元器件，可以實現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時，會產(chǎn)生電弧腐蝕觸點，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點的響應(yīng)時間在ms級別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示?？煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個電極分別為T1，T2以及控制G?？煽毓璧脑趯?dǎo)通后，及時將控制信號去掉，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計單片機(jī)控制可控硅回路的通斷時，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計的可控硅控制電路如下圖所示。單片機(jī)的輸出端接三極管的基極，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機(jī)輸出高電平時，光耦導(dǎo)通，此時可控硅的控制極有觸發(fā)信號，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機(jī)輸出低電平時，光耦截止?？煽毓栌|發(fā)板用于水泵、風(fēng)機(jī)等軟啟動控制，調(diào)速節(jié)能控制等。安徽原裝可控硅
讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接***陽極A1，此時萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)，以提高觸發(fā)電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法：先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。安徽原裝可控硅以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。
電力調(diào)整器編輯鎖定電力調(diào)整器是應(yīng)用晶閘管（又稱可控硅）及其觸發(fā)控制電路用于調(diào)整負(fù)載功率的盤裝功率調(diào)整單元。更多的是運用數(shù)字電路觸發(fā)可控硅實現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功。調(diào)壓采用移相控制方式，調(diào)功有定周期調(diào)功和變周期調(diào)功兩種方式。中文名電力調(diào)整器方式定周期調(diào)功和變周期調(diào)功類別盤裝功率調(diào)整單元特點主電路和控制電路一體化結(jié)構(gòu)目錄1電力調(diào)整器低諧波**2三相可控硅電力調(diào)整器3單相可控硅電力調(diào)整器電力調(diào)整器電力調(diào)整器低諧波**編輯1.采用比例式不產(chǎn)生諧波控制。2.應(yīng)用于恒溫恒濕加熱系統(tǒng)需低諧波環(huán)境。3.本控制器之保護(hù)裝置:1.來源電欠相。2.保險絲斷線檢知。3.本控制器散熱片超溫保護(hù)。4.異常輸出接點，提供遠(yuǎn)程監(jiān)控使用，接點容量240VAC/5A。4.本控制器具有CE國際安全認(rèn)證之標(biāo)準(zhǔn)。5.具有，并提供異常輸出接點，可做系統(tǒng)緊急控制之用。6.體積精巧、散熱佳，內(nèi)含半導(dǎo)體**快速保險絲，不怕負(fù)載短路。7.冷卻風(fēng)扇動作具有溫度控制，’當(dāng)散熱片溫度55oC時工作，45oC時停止，可提高風(fēng)扇壽命2~3倍。8.本控制器散熱片具超溫保護(hù)裝置及異常輸出接點，接點容量240VAC/10A。
穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1，單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1，所述單向可控硅SCR2的G極連接變壓器B1的輸出端2，所述單向可控硅SCR1的A極和K極分別連接電源輸出端1和電源輸出端2，所述單向可控硅SCR2的A極和K極分別連接電源輸出端2和電源輸出端1。作為推薦，所述電源輸出端1和電源輸出端2分別連接電容C的一端和電阻R的一端，電容C的另一端和電阻R的另一端連接。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點和效果：單向可控硅分別通過**的光耦進(jìn)行隔離，提高了單向可控硅的耐受性能，實現(xiàn)負(fù)載電壓從零伏到電網(wǎng)全電壓的無級可調(diào)。鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。
1．判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2．判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項：（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應(yīng)交換表筆的位置。（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。調(diào)整器是一種以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ)，以智能數(shù)字控制電路為**的電源功率控制電器。安徽原裝可控硅
調(diào)整器具有多種控制信號選擇。安徽原裝可控硅
應(yīng)用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞：用萬用表R×1kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時均應(yīng)為無窮大(∞)；若測得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。測量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值(實際測量結(jié)果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小于2kΩ)，反向電阻值較**于80kΩ)。若兩次測量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效。安徽原裝可控硅
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