當(dāng)T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號（相對于T1、T2所接電源負(fù)極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導(dǎo)體開關(guān)，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個象限來使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號Vg的負(fù)。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號分別接Vg的正、負(fù)極。2類雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來設(shè)計(jì)一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機(jī)。晶閘管可控硅銷售
從而通過該電路來達(dá)到深入解析可控硅和設(shè)計(jì)實(shí)際運(yùn)用電路的目的。1雙向可控硅工作原理與特點(diǎn)從理論上來講，雙向可控硅可以說是有兩個反向并列的單向可控硅組成，理解單向可控硅的工作原理是理解雙向可控硅工作原理的基礎(chǔ)[2-5]。單向可控硅也叫晶閘管，其組成結(jié)構(gòu)圖如圖1-a所示，可以分割成四個硅區(qū)P、N、P、N和A、K、G三個接線極。把圖一按圖1-b所示切成兩半，就很容易理解成如圖1-c所示由一個PNP三極管和一個NPN三極管為主組成一個單向可控硅管。在圖1-c的基礎(chǔ)上接通電源控制電路如圖2所示，當(dāng)陽極-陰極（A-K）接上正向電壓V后，只要柵極G接通觸發(fā)電源Vg，三極管Q2就會正向?qū)ǎ_通瞬間Q1只是類似于接在Q1集電極的一個負(fù)載與電源正極接通，隨后Q1也在Q2的拉電流下導(dǎo)通，此時由于C被充電，即便斷開G極的觸發(fā)電源Vg，Q1和Q2在相互作用下仍能維持導(dǎo)通狀態(tài)，只有當(dāng)電源電壓V變得相當(dāng)小之后Q1和Q2才會再次截止。相比于單向可控硅，雙向可控硅在原理上比較大的區(qū)別就是能雙向?qū)?，不再有陽極陰極之分，取而代之以T1和T2，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖3-a所示，如果不考慮G級的不同，把它分割成圖3-b所示，可以看出相當(dāng)于兩個單向可控硅反向并聯(lián)而成[1-2]，如圖3-c所示連接。靈敏可控硅銷售觸發(fā)板具有過流、缺相、相序、晶閘管過熱等多種保護(hù)功能。
5.光控晶閘管檢測用萬用表檢測小功率光控晶閘管時，可將萬用表置于R×1檔，在黑表筆上串接1～3節(jié)1．5V干電池，測量兩引腳之間的正、反向電阻值，正常時均應(yīng)為無窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口，此時應(yīng)能測出一個較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為無窮大。在較小電阻值的一次測量中，黑表筆接的是陽極A，紅表筆接的是陰極K。也可用圖lO中電路對光控晶閘管進(jìn)行測量。接通電源開關(guān)S，用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為其加上觸發(fā)光源(大功率光控晶閘管自帶光源，只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器加上工作電壓即可，不用外加光源)后，指示燈EL應(yīng)點(diǎn)亮，撤離光源后指示燈EL應(yīng)維持發(fā)光。若接通電源開關(guān)S后(尚未加光源)，指示燈FL即點(diǎn)亮，則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關(guān)、并加上觸發(fā)光源后，指示燈EL仍不亮，在被測晶閘管電極連接正確的情況下，則是該晶閘管內(nèi)部損壞。若加上觸發(fā)光源后，指示燈發(fā)光，但取消光源后指示燈即熄滅，則說明該晶閘管觸發(fā)性能不良。(1)判別各電極：根據(jù)BTG晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可知，其陽極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個正、反向串聯(lián)的PN結(jié)，而陽極A與門極G之問卻只有一個PN結(jié)。因此。
正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。VMOS場效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):***，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，***垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。除了為負(fù)載供電外，整流器/充電機(jī)應(yīng)能在10倍于放電時間的時間內(nèi)，將蓄電池的放電功率恢復(fù)到95%。
由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結(jié)型場效應(yīng)管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏?。菢O后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。運(yùn)用這種方法時要說明幾點(diǎn)：首先，在測試場效應(yīng)管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減?。?，也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗(yàn)表明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應(yīng)管也適用。但要注意，MOS場效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢。 可控硅調(diào)整器能與國內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號直接接口?？煽毓栌喿?/p>
半導(dǎo)體PN結(jié)在正向偏置時電流很大，反向偏置時電流很小。晶閘管可控硅銷售
選用具有溫度補(bǔ)償特性的2CW234系列硅穩(wěn)壓管作為基準(zhǔn)源，并選擇其穩(wěn)定電壓為6．4V。由特性較好的三端集成穩(wěn)壓器供電，限流電阻采用精密金屬膜電阻R（溫度系數(shù)約為±1×10－5／℃）。為了減小噪聲的影響，將穩(wěn)壓管封裝在盛油的小容器里，噪聲指標(biāo)將會有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調(diào)整管的集－射極電壓經(jīng)電阻分壓，并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端；在集電極電壓的取樣電路中串入一穩(wěn)壓管，由該管決定調(diào)整管壓降大小。此處選3．3V。并將集電極電壓減去穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度，應(yīng)使集－射極采樣電阻完全對稱，并選取溫度特性較好、同一型號的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運(yùn)放并接成負(fù)反饋。令R1＝R3，R2＝R4；設(shè)分壓系數(shù)n＝R2／（R1＋R2）；集成運(yùn)算放大器輸出為Uo；放大系數(shù)為K；調(diào)整管集電極電壓為UC；調(diào)整管發(fā)射極電壓為UE；A點(diǎn)電壓為UA；B點(diǎn)電壓為UB；有：當(dāng)調(diào)整管壓降增大，UcE上升，使Uo增大，即觸發(fā)器的控制電壓Ub增大，而集成觸發(fā)器KJ785是負(fù)極型的：控制電壓增大，導(dǎo)通角減小。因此，觸發(fā)脈沖后移，整流輸出減小?？煽毓枵鲹?dān)任***步的穩(wěn)壓工作。晶閘管可控硅銷售
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