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ESD保護二極管在醫(yī)療監(jiān)護儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護,以防止靜電放電對設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域,設(shè)備對可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護二極管適用于任何需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用的不斷拓展,ESD保護二極管的應(yīng)用范圍也將越來越***適用于各種需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。ESD二極管可以有效保護USB、HDMI、Ethernet接口,防止靜電放電造成的電壓瞬變對內(nèi)部電路的破壞。廣州ESD保護二極管SR15D3BL型號近期價格
反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當(dāng)pn結(jié)反向偏置時,耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此,由于量子隧穿效應(yīng),電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。當(dāng)pn反向偏置時,少量電子通過pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場加速,獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離,成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞,產(chǎn)生更多的電子-空穴對,導(dǎo)致電子進一步脫離的過程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。廣州新型ESD保護二極管SR24D3BL型號報價DW05DLC-B-S:東沃品牌的型號,工作電壓為 5V,保護線路數(shù)為單路。
ESD保護二極管的客戶群體非常廣,主要包括電子設(shè)備制造商、電子元器件代理商、電子維修服務(wù)商等。這些客戶對ESD保護二極管的要求非常高,需要具有響應(yīng)速度快、ESD保護效果好、可靠性高等特點,以確保電子設(shè)備的正常運行和穩(wěn)定性。二、市場環(huán)境隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用范圍的不斷擴大,ESD保護二極管的市場需求也在不斷增加。尤其是在高科技領(lǐng)域,如通信、計算機、汽車電子等領(lǐng)域,對ESD保護二極管的需求更加迫切。同時,隨著電子設(shè)備的不斷升級和更新,對ESD保護二極管的要求也在不斷提高,需要具有更高的性能和可靠性。
ESD保護二極管是一種齊納二極管。當(dāng)二極管反向偏置時,有很少的電流從陰極流向陽極。然而,當(dāng)反向偏壓超過某一點(稱為反向擊穿電壓)時,反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加,無論二極管流過的電流大小,二極管都會形成恒定電壓區(qū)域。利用齊納二極管擊穿電壓(齊納電壓)特性可以構(gòu)成恒壓穩(wěn)壓器,抑制浪涌電壓。齊納穩(wěn)壓二極管用于保持恒定電壓,而ESD保護二極管用于吸收ESD能量,保護電路。反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS):能夠在極短的時間內(nèi)導(dǎo)通,吸收高能量的靜電脈沖。
ESD保護二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻(RDYN)。RDYN是反向?qū)J较耉F–IF曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊,給定電壓下,低動態(tài)電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看,ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護二極管阻抗(即動態(tài)電阻)低,則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流,減少流入受保護器件的電流,從而降低損壞的可能性。如果ESD保護二極管阻抗(即動態(tài)電阻)低,則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地(GND),從而減少流入受保護器件的電流。因此,ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖(TLP)測試用于納秒級寬度短脈沖,根據(jù)隨時間變化的電流-電壓關(guān)系可研究二極管的電流-電壓(I-V)特性。下圖中,TLP I和TLP V分別電流和電壓。低成本:ESD靜電保護管的成本相對較低,可在各種電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。廣州標(biāo)準(zhǔn)ESD保護二極管SR15D3BL型號怎么樣
ESD靜電保護二極管已應(yīng)用于多個客戶的電子設(shè)備中,如手機、電視、電腦、數(shù)碼相機、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等。廣州ESD保護二極管SR15D3BL型號近期價格
高擊穿電壓二極管摻雜濃度低,因此形成寬耗盡層(禁帶)。相反,低擊穿電壓二極管摻雜濃度高,所以它們形成窄耗盡層(禁帶)。二極管耗盡層寬時,不太可能發(fā)生電子隧穿(齊納擊穿),主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄,更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升,禁帶(Eg)寬度減小,從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外,隨著溫度升高,半導(dǎo)體晶格振動增加,載流子遷移率相應(yīng)下降。因此,不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小,而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常,大多數(shù)情況下,齊納擊穿電壓約為6V以下,雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意,即使同一產(chǎn)品系列的二極管,溫度特性也不一樣。廣州ESD保護二極管SR15D3BL型號近期價格