湖南鍵合機原理

來源: 發(fā)布時間:2020-01-22

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸,并*小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。

      imec 3D系統集成兼項目總監(jiān)兼Eric Beyne表示:“在imec,我們相信3D技術的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業(yè)界標準間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半?!?業(yè)內主流鍵合機使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。湖南鍵合機原理

業(yè)內主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。

奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工,同時,GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVG GEMINI大批量生產系統中。 中國澳門MEMS鍵合機清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒。

EVG?560自動晶圓鍵合機系統全自動晶圓鍵合系統,用于大批量生產特色技術數據EVG560自動化晶圓鍵合系統蕞多可容納四個鍵合室,并具有各種鍵合室配置選項,適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計,并結合了EVG手動鍵合系統的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能,可提供高產量的生產鍵合。機器人處理系統會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理,可自動裝卸鍵合卡盤多達四個鍵合室,用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機械和光學對準器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠程在線診斷技術數據蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室使用5軸機器人蕞/高鍵合模塊4個。

EVG?501晶圓鍵合機(系統) ■研發(fā)和試生產的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統,可實現蕞/高產量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數據記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,低至10-5mbar) ■開放式腔室設計,可實現快速轉換和維護 ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統,只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(系統) ■擁有EVG?501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統 ■研發(fā)和試生產的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現高產量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統 ■高產量,加速加熱和優(yōu)異的泵送能力針對高級封裝,MEMS,3D集成等不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個鍵合模塊。

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。 EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。河北鍵合機應用

EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。湖南鍵合機原理

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,***用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數其他鍵合技術不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na 2 O)。 湖南鍵合機原理

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