晶片膜厚儀參數(shù)

FSM 8018 VITE測(cè)試系列設(shè)備

VITE技術(shù)介紹：

VITE是傅里葉頻域技術(shù)，利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)（Phase shear technology）

設(shè)備介紹

適用于所有可讓近紅外線通過的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應(yīng)用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度

   厚度變化 (TTV)

   溝槽深度

   過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半導(dǎo)體材料的厚度

   環(huán)氧樹脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

MEMS 薄膜測(cè)量

TSV 深度、側(cè)壁角度...

一般較短波長(zhǎng) (例如， F50-UV) 可用于測(cè)量較薄的薄膜，而較長(zhǎng)波長(zhǎng)可以測(cè)量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。晶片膜厚儀參數(shù)

    光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實(shí)例：對(duì)于厚度測(cè)量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對(duì)于光學(xué)常數(shù)測(cè)量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動(dòng)來分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測(cè)試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測(cè)試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長(zhǎng)范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測(cè)器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)?。Thin film analyzer膜厚儀有哪些品牌當(dāng)測(cè)量斑點(diǎn)只有1微米（μm）時(shí)，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個(gè)系統(tǒng)。

技術(shù)介紹：

紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量。采用Michaelson干涉方法，紅外波段的激光能更好的穿透被測(cè)物體，準(zhǔn)確的得到測(cè)試結(jié)果。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：FSM 413EC 紅外干涉測(cè)量設(shè)備

適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應(yīng)用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度   

溝槽深度

   過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

硅片厚度

   環(huán)氧樹脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

MEMS 薄膜測(cè)量

TSV 深度、側(cè)壁角度...

    F20系列是世界上****的臺(tái)式薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng)，只需按下一個(gè)按鈕，不到一秒鐘即可同時(shí)測(cè)量厚度和折射率。設(shè)置也非常簡(jiǎn)單,只需把設(shè)備連接到您運(yùn)行Windows?系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)USB端口,并連接樣品平臺(tái)就可以了。F20系列不同型號(hào)的選擇，主要取決于您需要測(cè)量的薄膜厚度（確定所需的波長(zhǎng)范圍）。型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍F2015nm-70μm380-1050nmF20-EXR15nm-250μm380-1700nmF20-NIR100nm-250μm950-1700nmF20-UV1nm-40μm190-1100nmF20-UVX1nm-250μm190-1700nmF20-XTμm-450μm1440-1690nm*取決于薄膜種類Filmetrics膜厚測(cè)試儀通過分析薄膜的反射光譜來測(cè)量薄膜的厚度，通過非可見光的測(cè)量，可以測(cè)量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。測(cè)量結(jié)果可在幾秒鐘顯示：薄膜厚度、顏色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五種不同波長(zhǎng)選擇(波長(zhǎng)范圍從紫外220nm至近紅外1700nm)2.比較大樣品薄膜厚度的測(cè)量范圍是：3nm～25um3.精度高于、氧化物、氮化物；、Polyimides；3.光電鍍膜應(yīng)用:硬化膜、抗反射膜、濾波片。1.光源有壽命，不用時(shí)請(qǐng)關(guān)閉2.光纖易損，不要彎折，不要頻繁插拔3.精密儀器。幾乎任何形狀的樣品厚度和折射率的自動(dòng)測(cè)繪。人工加載或機(jī)器人加載均可。

F10-ARc:

走在前端 以較低的價(jià)格現(xiàn)在可以很容易地測(cè)量曲面樣品，包括眼鏡和其他光學(xué)鏡片的防反射涂層, *需其他設(shè)備一小部分的的價(jià)格就能在幾秒內(nèi)得到精確的色彩讀值和反射率測(cè)量. 您也可選擇升級(jí)薄膜厚度測(cè)量軟件, 操作上并不需要嚴(yán)格的訓(xùn)練, 您甚至可以直覺的藉由設(shè)定任何波長(zhǎng)范圍之比較大, **小和平均值.去定義顏色和反射率的合格標(biāo)準(zhǔn).

容易設(shè)定. 易於維護(hù).只需將F10-ARc插上到您計(jì)算機(jī)的USB端口, 感謝Filmetrics的創(chuàng)新, F10-ARc 幾乎不存在停機(jī)時(shí)間, 加上40,000小時(shí)壽命的光源和自動(dòng)板上波長(zhǎng)校準(zhǔn)，你不需擔(dān)心維護(hù)問題。 基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多數(shù)金屬) 上的話，一般不能測(cè)量薄膜的折射率。Filmetrics F60膜厚儀學(xué)校會(huì)用嗎

F30樣品層:分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積: 可以測(cè)量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。晶片膜厚儀參數(shù)

參考材料

備用 BK7 和二氧化硅參考材料。

BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內(nèi)取背景反射的小型抗反光鏡

BG-F10-RT平臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)獲取背景反射的抗反光鏡

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準(zhǔn)

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準(zhǔn)

REF-BK71?" x 1?" BK7 反射基準(zhǔn)。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經(jīng)處理的石英，用于雙界面基準(zhǔn)。

REF-Si-22" 單晶硅晶圓

REF-Si-44" 單晶硅晶圓

REF-Si-66" 單晶硅晶圓

REF-Si-88" 單晶硅晶圓

REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之鋁反射率基準(zhǔn)片

REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之BK7玻璃反射率基準(zhǔn)片

REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺(tái)設(shè)計(jì)之硅反射率基準(zhǔn)片 晶片膜厚儀參數(shù)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。誠(chéng)實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)。公司深耕磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。