無機BOE蝕刻液供應(yīng)

    形成氣液混合體，從擴散管22排出又進入到再生液調(diào)配缸3。電解再生某線路板生產(chǎn)線蝕刻廢液，蝕刻廢液量1000m3/d，相比沒有使用本實用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)，能耗節(jié)約40％，節(jié)約使用藥品100kg/d，經(jīng)濟效益提高30％。作為本實施例的一個示例，電解槽1的陽極可選用石墨電極，陰極可選用鈦或鈦合金板狀電極，電解槽1中陰極與陽極之間的距離為55mm，電解槽1的電流密度為300a/m2。與實施例相結(jié)合，圖2示出了本實用新型第二實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，在實施例的基礎(chǔ)上，第二實施例進一步包括曝氣裝置5，曝氣裝置5通過管道深入到再生液調(diào)配缸3的液體中，用于向再生液調(diào)配缸3中的電解后液輸送氣體以進行攪拌，以提高整個系統(tǒng)的工作效率。進一步地，與上述、第二實施例相結(jié)合，酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)還可以包括一后續(xù)處理系統(tǒng)，用于向經(jīng)過再生液調(diào)配缸3處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻，然后再打入到子液桶，實現(xiàn)再生液循環(huán)利用。以上所述為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。選擇BOE蝕刻液，實現(xiàn)高精度蝕刻效果。無機BOE蝕刻液供應(yīng)

蝕刻是印制電路板制造的重要工序，電路板廠生產(chǎn)過程中產(chǎn)生大量高銅蝕刻廢液，蝕刻廢液屬于危險液體廢物，含有大量的銅、氯等污染成分，如果不經(jīng)過嚴格的處理就直接排放到環(huán)境中，不僅造成資源的浪費和損失，而且也會對人類和自然環(huán)境造成很大的危害。

另外，蝕刻廢液中的銅離子及氯離子也具有很高的回收價值，在當今資源日益緊缺且環(huán)境形勢日益嚴峻的境況下，如何嚴格并妥當處理這么大產(chǎn)量的廢液是個十分重要的問題。從上世紀50年代起，印制電路板的制作過程中便出現(xiàn)了化學(xué)蝕刻這一步，用化學(xué)蝕刻的方法將基材上布置線路所用的多余的銅蝕刻下去，從而使得線路凸顯在板材上，使得它形成一個完整的電路回路的過程就叫做蝕刻工藝。工藝開始時，將一塊完整的銅箔附著在基材上，將電回路刻畫在其上，并用錫附著在其上，保證電回路不被蝕刻下來，保證這構(gòu)成電回路的銅完整。化學(xué)蝕刻法已經(jīng)成為了印制電路板過程的不可或缺的一步?，F(xiàn)如今，應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)的蝕刻液應(yīng)當具備的以下六點技術(shù)性能：1、蝕刻液要能保證抗蝕保護層或者抗電鍍保護層的不被蝕刻的性能要求。2、蝕刻工藝條件（溫度、外界環(huán)境等）范圍寬，作業(yè)環(huán)境相對良好（不能有太多揮發(fā)性有毒氣體），并且能夠有效地實行自動 山東應(yīng)用BOE蝕刻液溶劑BOE蝕刻液蝕刻后如何判斷好壞 ？

    該實施例中所含成分及各成分稱取的質(zhì)量顯示于表1。添加劑為丙二醇丁醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，添加量分別為總質(zhì)量的％、％。實施例2本發(fā)明的實施例按蝕刻液總質(zhì)量為400g進行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中，該實施例中所含成分及各成分稱取的質(zhì)量顯示于表1。添加劑為三乙二醇乙醚、月桂酰氨乙基硫酸鈉，添加量分別為總質(zhì)量的％、％。實施例3本發(fā)明的實施例按蝕刻液總質(zhì)量為400g進行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中，該實施例中所含成分及各成分稱取的質(zhì)量顯示于表1。添加劑為三甘醇單丁醚、月桂酰氨乙基硫酸鈉，添加量分別為總質(zhì)量的％、％。實施例4本發(fā)明的實施例按蝕刻液總質(zhì)量為400g進行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中，該實施例中所含成分及各成分稱取的質(zhì)量顯示于表1。添加劑為二乙二醇單甲醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，添加量分別為總質(zhì)量的％、％。實施例5本發(fā)明的實施例按蝕刻液總質(zhì)量為400g進行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中，該實施例中所含成分及各成分稱取的質(zhì)量顯示于表1。

    T156WXB-500HB156WX1-100HT156WXB-502HB156WX1-600HB156WX1-500NT156WHM-N21HB156WX1-200NT156WHM-N10HB156FH1-301HB156FH1-401NT156WHM-N22NT156WHM-N12NT156WHM-N42NV156FHM-N31NT156WHM-N50NV156FHM-N41HT150X02-100HT150X02-101TDA150-004HM150X01-101TDA150-002HM150X01-200HT141WXB-100HT140WXB-100HT140WXB-501HT140WXB-101HT140WXB-300HT140WXB-400HB140WX1-100HT140WXB-601HB140WX1-200HW14WX101HW14WX102HW14WX103HB140WX1-300HB140WX1-500HB140WX1-600HB140WX1-101HT14X1B-121HB140WX1-501HB140WX1-401HB140WX1-400HB140WX1-301HB140WHA-101HB140WX1-503HB140FH1-401HB140WH1-504HB140FH1-301HB140WX1-601HT133WXB-100HN133WU3-100HB133WX1-402HB133WX1-403HN133WU1-100HB133WX1-201JH1330010LD1330020AV128HDM-NW0HB125WX1-100HB125WX1-200BA121S01-100TT121S0M-NW0HT116WXB-100IT1160020HN116WX1-100IT1160030IT1160040HN116WX1-102NT116WHM-N11NT116WHM-N21NT116WHM-N10IT1160060BA104S01-100BA104S01-200HT101WSA-100HT101WSB-100HT101WSB-101HT101WSB-200HT101WSB-201BA101WS1-100BP101WX1-100BP101WX1-200BP101WX1-300BA101WS2-100BP101WX1-203BP101WX1-20。哪家的BOE蝕刻液的價格優(yōu)惠？

    siendolaresultantemíósitosdeberáserarenasilíceayestarlavada,limpia,secayexentadearcillas,limos,componentesdeazufreydecualquierotrasustanciaquepuedaatacarquímicamentealosmaterialesdeldepósito;eltama?odelosgranosdearenaestarácomprendidoentre0,1y2milíánecesarialainstalacióndecubeto,circunstanciaquedeberááticoenlaexcavacióndealojamientodetanquesseconstruirááeldepósitoparaimpedirquevacíoseeleveomuevaencasodeinmersióóndeldepósitoalasoleraseefectuarádeformaquelapresiónejercidasobreelrevestimientoprotectornopuedada?arlo,yaseaenelmomentodesucolocación,yaseaencasodeflotacióándepletinadeacerodeseismilímetrosdeespesorcomomíáunfieltroomaterialanálogo,inalterablealentornoqueimpidaquelosflejesda?enelrevestimientodeldepóálicasdeestafijaciónestánprotegidascontralacorrosióósitosserealizarácomosedescribeenel。質(zhì)量好的做BOE蝕刻液的公司。江蘇介紹BOE蝕刻液產(chǎn)品介紹

BOE蝕刻液應(yīng)用于什么樣的場合？無機BOE蝕刻液供應(yīng)

    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。無機BOE蝕刻液供應(yīng)