多數(shù)顯卡、聲卡、網卡等內置擴展卡和打印機、掃描儀、外置Modem等外設都需要安裝與設備型號相符的驅動程序,否則無法發(fā)揮其部分或全部功能。驅動程序一般可通過三種途徑得到,一是購買的硬件附帶有驅動程序;二是Windows系統(tǒng)自帶有大量驅動程序;三是從Internet下載驅動程序。***一種途徑往往能夠得到***的驅動程序。供Windows 9x使用的驅動程序包通常由一些.vxd(或.386)、.drv、.sys、.dll或.exe等文件組成,在安裝過程中,大部分文件都會被拷貝到“Windows\ System”目錄下。驅動電路的設計通常需要考慮負載的電流、電壓要求,以及控制信號的特性。長寧區(qū)挑選驅動電路服務熱線
有些驅動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網絡,用以調節(jié)2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求:器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中,還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。松江區(qū)推廣驅動電路圖片MOSFET驅動電路:使用MOSFET(場效應晶體管)作為開關元件,適用于高效能的開關電源和電機驅動。
在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入區(qū)( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。
調光原理市面上大多數(shù)可控硅調光器基本結構如圖1所示,其工作原理如下:當交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時,由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個充電時間,電容上的電壓是從0V開始充電的,并且TRIAC的驅動極串聯(lián)有一個DIAC(雙向觸發(fā)二極管,一般是30V左右),因此TRIAC可靠截止。當Ct上的電壓上升到30V時,DIAC觸發(fā)導通,TRIAC可靠導通,此時TRIAC兩端的電壓瞬間變?yōu)榱悖珻t通過Rt迅速放電,當Ct電壓跌落到30V以下時,DIAC截止,如果TRIAC通過的電流大于其維持電流則繼續(xù)導通,如果低于其維持電流將會截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率,以抑制電磁干擾EMI問題。優(yōu)良的驅動電路能夠減少器件的開關損耗,提高能量轉換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。
光耦的特點光耦基本電路1. 參數(shù)設計簡單2. 輸出端需要隔離驅動電源3. 驅動功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合:用于傳送較低頻信號時—調制/解調磁耦合的特點:1.既可傳遞信號又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應用比較好驅動特性和驅動電流波形比較好驅動1.開通時: 基極電流有快速上升沿和過沖—加速開通,減小開通損耗;2.導通期間:足夠的基極電流,使晶體管任意負載飽和導通—低導通損耗;關斷前調整基極電流,使晶體管處于臨界飽和導通—減小 , 關斷快;由單個電子元器件連接起來組成的驅動電路,多用于功能簡單的小功率驅動場合。楊浦區(qū)國產驅動電路現(xiàn)價
高邊驅動:則用于將功率開關器件連接在電源正極一側。長寧區(qū)挑選驅動電路服務熱線
IGBT柵極驅動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應選取2W電阻,或2個1W電阻并聯(lián)。三、設置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:IGBT柵極驅動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應選取2W電阻,或2個1W電阻并聯(lián)。三、設置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:長寧區(qū)挑選驅動電路服務熱線
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