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來源: 發(fā)布時間:2025-05-10

高亮度單色發(fā)光二極管高亮度單色發(fā)光二極管和超高亮度單色發(fā)光二極管使用的半導體材料與普通單色發(fā)光二極管不同,所以發(fā)光的強度也不同。通常,高亮度單色發(fā)光二極管使用砷鋁化鎵(GaAlAs)等材料,超高亮度單色發(fā)光二極管使用磷銦砷化鎵(GaAsInP)等材料,而普通單色發(fā)光二極管使用磷化鎵(GaP)或磷砷化鎵(GaAsP)等材料。變色發(fā)光二極管變色發(fā)光二極管是能變換發(fā)光顏色的發(fā)光二極管。變色發(fā)光二極管發(fā)光顏色種類可分為雙色發(fā)光二極管、三色發(fā)光二極管和多色(有紅、藍、綠、白四種顏色)發(fā)光二極管。光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口,以便于接受光照。崇明區(qū)推廣二極管圖片

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(3)煤礦中的應用由于發(fā)光二極管較普通發(fā)光器件具有效率高、能耗小、壽命長、光度強等特點,因此礦工燈以及井下照明等設備使用了發(fā)光二極管。雖然還未完全普及,但在不久將得到普遍應用,發(fā)光二極管將在煤礦應用中取代普通發(fā)光器件。 [6](4)城市的裝飾燈在當今繁華的商業(yè)時代,霓虹燈是城市繁華的重要標志,但霓虹燈存在很多缺點,比如壽命不夠長等。因此,用發(fā)光二極管替代霓虹燈有著很多優(yōu)勢,因為發(fā)光二極管與霓虹燈相比除了壽命長,還有節(jié)能、驅(qū)動和控制簡易、無需維護等特點。發(fā)光二極管替代霓虹燈將是照明設備發(fā)展的必然結(jié)果。寶山區(qū)挑選二極管貨源充足晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。

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無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中,都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個PN結(jié)加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。 [4]由P區(qū)引出的電極稱為陽極,N區(qū)引出的電極稱為陰極。因為PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。 [

光敏二極管,又叫光電二極管(英語:photodiode )是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式,轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號的光探測器。管芯常使用一個具有光敏特征的PN結(jié),對光的變化非常敏感,具有單向?qū)щ娦裕夜鈴姴煌臅r候會改變電學特性,因此,可以利用光照強弱來改變電路中的電流。光敏二極管也叫光電二極管。光敏二極管與半導體二極管在結(jié)構(gòu)上是類似的,其管芯是一個具有光敏特征的PN結(jié),具有單向?qū)щ娦?,因此工作時需加上反向電壓。無光照時,有很小的飽和反向漏電流,即暗電流,此時光敏二極管截止。當受到光照時,飽和反向漏電流**增加,形成光電流,它隨入射光強度的變化而變化。當光線照射PN結(jié)時,可以使PN結(jié)中產(chǎn)生電子一空穴對,使少數(shù)載流子的密度增加。這些載流子在反向電壓下漂移,使反向電流增加。因此可以利用光照強弱來改變電路中的電流。常見的有2CU、2DU等系列。 [1]通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會因過熱而損壞。

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有的蟲子天性喜熱,白熾燈和節(jié)能燈在使用一段時間之后都會產(chǎn)生熱量,這個熱量正好是蟲子喜歡的,就容易吸引蟲子過來。這無疑會對燈表面帶來很多的污染物,而且,蟲子的排泄物還會使得室內(nèi)變得很臟。但是,LED燈是冷光源,不會吸引蟲子過來的,這樣,就不會產(chǎn)生蟲子的排泄物。所以說,LED燈更加的 “干凈”。 [3]半導體發(fā)光二極管的應用范圍廣,功耗小,使用壽命長,低碳環(huán)保。我國半導體發(fā)光二極管的應用非常***,居民家庭中的很多照明設備都使用了半導體發(fā)光二極管,大部分路燈也使用了半導體發(fā)光二極管路燈作為照明光源,部分道路的照明燈具還結(jié)合了太陽能技術(shù),可節(jié)省大量電能。感光二極管根據(jù)材質(zhì)的不同,可以分成砷鋁化鎵感光二極管、磷砷化鋁感光二極管、磷化鎵感光二極管和砷化鋁感光二極管等。摻入后,它與硅原子形成共價鍵,產(chǎn)生了自由電子。寶山區(qū)挑選二極管貨源充足

二極管是早誕生的半導體器件之一,其應用非常。崇明區(qū)推廣二極管圖片

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長久性損壞。 [5]崇明區(qū)推廣二極管圖片

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