2025年3月10日中國上海國際先進陶瓷博覽會

來源: 發(fā)布時間:2025-07-23

半導體行業(yè)遵循“一代技術、一代工藝、一代設備”的產(chǎn)業(yè)規(guī)律,而半導體設備的升級迭代很大程度上依賴于精密零部件的技術突破。其中,精密陶瓷部件是相當有有**的半導體精密部件材料,其在化學氣相沉積、物***相沉積、離子注入、刻蝕等一系列半導體主要制造環(huán)節(jié)均有重要應用。如軸承、導軌、內襯、靜電吸盤、機械搬運臂等。尤其是在設備腔體內部 ,發(fā)揮支撐、保護、導流等功能。2023年以來,荷蘭、日本也先后發(fā)布對管制新規(guī)或外貿(mào)法令,對光刻機在內的半導體設備增加出口許可令規(guī)定,半導體逆全球化趨勢逐漸顯露,供應鏈自主可控重要性日益突出。面對半導體設備零部件國產(chǎn)化的需求,國內企業(yè)正積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。中瓷電子實現(xiàn)了加熱盤和靜電卡盤等技術難度高的精密零部件國產(chǎn)化,解決國產(chǎn)半導體設備行業(yè)“卡脖子”問題;國內頭部SiC涂層石墨基座、SiC蝕刻環(huán)供應商德智新材在順利完成億元融資等。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展,就在9月10-12日,深圳會展中心(福田)2號館!國產(chǎn)替代:熱界面材料供需分析與國產(chǎn)化,了解熱界面材料,就在9月華南國際先進陶瓷展!2025年3月10日中國上海國際先進陶瓷博覽會

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先進陶瓷作為現(xiàn)代材料科學的關鍵領域,正以其優(yōu)異的物理化學性能重塑多個產(chǎn)業(yè)格局。這類材料以高純度人工合成原料與精密工藝為基礎,構建起結構陶瓷與功能陶瓷兩大體系。結構陶瓷如氮化硅(Si?N?)和碳化硅(SiC),通過C纖維增強技術使斷裂韌性提升5倍,在1400℃高溫下仍保持500-600MPa的彎曲強度,廣泛應用于航空航天發(fā)動機熱端部件與半導體晶圓制造設備。功能陶瓷中的氮化鋁(AlN)基板,憑借170-260W/m?K的熱導率與低至4.5×10??/℃的熱膨脹系數(shù),成為5G基站與新能源汽車電控系統(tǒng)的散熱理想之選。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展參觀!2025年3月10日-12日中國上海國際先進陶瓷技術會議真空技術:打造完美先進陶瓷的“竅門”,想更好的掌握真空技術,就來9月華南國際先進陶瓷展!

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生物醫(yī)療領域,先進陶瓷的精確修復能力不斷突破。邁捷生命科學的羥基磷灰石骨修復材料,在脊柱融合實驗中骨結合率達92%,臨床隨訪顯示患者術后6個月骨密度恢復至健康水平的85%。3D打印多孔氮化硅植入體通過拓撲優(yōu)化設計,孔隙率達60%且抗壓強度超200MPa,促進成骨細胞遷移與血管化。全球生物陶瓷市場規(guī)模預計2025年達85億美元,年復合增長率12%,人工關節(jié)、牙科種植體等細分領域成為增長引擎。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展參觀!

在選礦過程中,自磨機、半自磨機和球磨機是三種常用的磨礦設備,它們在結構、工作原理、使用介質以及適用范圍上各有不同。自磨機利用礦石自身作為研磨介質,在磨機筒體內通過礦石的相互碰撞和磨剝作用,使礦石達到粉碎和磨細的效果。自磨機沒有其他的研磨介質,完全依靠礦石本身的磨剝。半自磨機在自磨的基礎上,添加了一定量的鋼球作為輔助研磨介質。礦石和鋼球在筒體內被提升到一定高度后下落,利用沖擊力和研磨力粉碎礦石。球磨機使用鋼球作為主要研磨介質,通過鋼球和礦石的相互作用,利用沖擊力和摩擦力將礦石粉碎。球磨機可以分為干法和濕法兩種磨礦方式。2025華南國際先進陶瓷展,9月10-12日,深圳福田會展中心!2025華南粉末冶金先進陶瓷展,擁有全球先進的產(chǎn)業(yè)廉配套,9月10日-12日,深圳福田會展中心。

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陶瓷PCB在電力電子、LED照明、汽車系統(tǒng)和電信基礎設施等領域廣泛應用,熱管理在此至關重要。設計師和工程師需在熱管理要求、成本及制造工藝兼容性等方面尋求平衡。與經(jīng)驗豐富的PCB制造商合作,能優(yōu)化阻焊材料的選用,提供符合特定需求的設計方案。面對高功率電子設備和苛刻環(huán)境下的散熱需求,可能需要采取額外措施,如使用散熱器、熱通孔或選擇更具導熱性的阻焊材料。隨著電子設備功率密度的增加和小型化發(fā)展,對先進熱管理解決方案的需求持續(xù)上升。持續(xù)研發(fā)提升阻焊材料的熱性能,將進一步提高電子系統(tǒng)的可靠性與性能。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!先進材料助力戰(zhàn)艦遠航!9月10-12日,深圳會展中心(福田)2025華南國際先進陶瓷展誠邀您見證行業(yè)產(chǎn)業(yè)升級!3月10日-12日中國上海國際先進陶瓷展

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碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料,憑借其***的物理性能,廣泛應用于新能源汽車、5G通信、光伏、智能電網(wǎng)等多個領域。當前,碳化硅晶體生長技術正快速發(fā)展,并逐漸成為半導體產(chǎn)業(yè)的**技術之一。目前,碳化硅襯底廠商正在經(jīng)歷從6英寸到8英寸襯底的技術過渡。6英寸襯底技術已經(jīng)相對成熟,但其生產(chǎn)成本較高,價格已大幅下降至2500-2800元(較2023年初下降超過40%)。與此相比,8英寸襯底技術的研發(fā)仍處于小批量生產(chǎn)階段,且受限于良率和均勻性等問題,價格仍維持在8000-10000元之間。隨著競爭的加劇,許多中小型襯底廠商采取低價策略來爭奪市場份額,這導致了嚴重的“內卷”,有可能出現(xiàn)低質量的襯底產(chǎn)品,進而影響下游應用廠商的產(chǎn)品質量與體驗。長期低于成本的價格競爭可能使一些襯底廠商面臨資金鏈斷裂的風險,甚至導致破產(chǎn)清算。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!2025年3月10日中國上海國際先進陶瓷博覽會