2024第十六屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過(guò)了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對(duì)于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會(huì)在熱循環(huán)期間對(duì)鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長(zhǎng)，設(shè)計(jì)者找到了新方法來(lái)確保這些推動(dòng)極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長(zhǎng)10倍或者更高，所以氮化硅基板能夠提供對(duì)于達(dá)到必要的可靠性要求至關(guān)重要的機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷基板的壽命是由在不出現(xiàn)剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下，基板可以承受的熱循環(huán)重復(fù)次數(shù)來(lái)衡量的。該測(cè)試通常是通過(guò)從-55°C到125°C或者150°C對(duì)樣品進(jìn)行循環(huán)運(yùn)行來(lái)完成的?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2024第十六屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展

PVT法通過(guò)感應(yīng)加熱碳化硅粉料，在密閉生長(zhǎng)腔室內(nèi)高溫低壓下使其升華產(chǎn)生反應(yīng)氣體，通過(guò)固—?dú)夥磻?yīng)產(chǎn)生碳化硅單晶反應(yīng)源，在生長(zhǎng)腔室頂部設(shè)置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長(zhǎng)為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區(qū)形成碳化硅氣態(tài)前驅(qū)物，帶入低溫區(qū)沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過(guò)碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過(guò)飽和溶液中析出碳化硅晶體來(lái)實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)，需助熔劑提高碳溶解度?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2024年3月6-8日中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)論壇中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)將于2025年3月10-12日在上海隆重舉辦，行業(yè)人士齊聚一堂，共襄盛會(huì)！

碳化硅下游應(yīng)用場(chǎng)景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會(huì)影響碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價(jià)格有所下降，但碳化硅功率器件價(jià)格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)帶來(lái)的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對(duì)上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展”覆蓋先進(jìn)陶瓷全產(chǎn)業(yè)鏈，云集中外杰出企業(yè)亮相展會(huì)，2025年3月10日上海世博館見！

碳化硅芯片驗(yàn)證周期長(zhǎng)，批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“2025中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展”為行業(yè)精英提供學(xué)術(shù)研究與應(yīng)用實(shí)踐的融合平臺(tái)，2025年3月10日上海見！2024先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)

提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：展會(huì)將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。2024第十六屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2024第十六屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展