3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)

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“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀!氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能,應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型,由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化,造成開(kāi)裂。加入適量穩(wěn)定劑,使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過(guò)程中盡可能多的保留四方相,控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好,成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明,Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度;在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料,制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷,并探討成型和燒結(jié)工藝對(duì)氧化鋯陶瓷性能的影響,從而為生產(chǎn)提供理論依據(jù),進(jìn)而生產(chǎn)出高性能的氧化鋯結(jié)構(gòu)陶瓷。第十七屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì), 2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠(chéng)邀您蒞臨參觀!3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)

3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì),先進(jìn)陶瓷

先進(jìn)陶瓷又稱高性能陶瓷、精細(xì)陶瓷、高技術(shù)陶瓷等,是指采用高純度、超細(xì)人工合成或精選的無(wú)機(jī)化合物為原料,具有優(yōu)異的力學(xué)、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進(jìn)陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統(tǒng)陶瓷,特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)使其具有g(shù)ao強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域?!暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕!五展聯(lián)動(dòng);第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)(PMCHINA)、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)(MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)(AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)(POWDEXCHINA)同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng),串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個(gè),國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀!3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì),匯聚前沿技術(shù)和產(chǎn)品,助力先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展。2025年3月10-12日上海世博展覽館見(jiàn)。

3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì),先進(jìn)陶瓷

相比硅器件,SiC MOSFET在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢(shì)。耐壓方面,SiC MOSFET在6500V時(shí)仍能保持高性能,而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)1kHz時(shí),硅基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)損耗較高,而SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗相比可降低多達(dá)80%,整體功率損耗降低66%。導(dǎo)通電阻方面,SiC MOSFET芯片面積則更小,如在900V導(dǎo)通電阻下,硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管,可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高,可達(dá)200℃或更高,適用于汽車市場(chǎng),其高耐溫性可降低系統(tǒng)散熱要求和導(dǎo)通電阻偏移?!暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕!展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個(gè),國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn),整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀!

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過(guò)了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度,而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對(duì)于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用(例如混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)而言,目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?;澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體(銅)的熱膨脹系數(shù)存在很大差異,會(huì)在熱循環(huán)期間對(duì)鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力,進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長(zhǎng),設(shè)計(jì)者找到了新方法來(lái)確保這些推動(dòng)極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長(zhǎng)10倍或者更高,所以氮化硅基板能夠提供對(duì)于達(dá)到必要的可靠性要求至關(guān)重要的機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷基板的壽命是由在不出現(xiàn)剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下,基板可以承受的熱循環(huán)重復(fù)次數(shù)來(lái)衡量的。該測(cè)試通常是通過(guò)從-55°C到125°C或者150°C對(duì)樣品進(jìn)行循環(huán)運(yùn)行來(lái)完成的?!暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀!“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”匯聚國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英:2025年3月10日上海見(jiàn)。誠(chéng)邀您蒞臨參觀!

3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì),先進(jìn)陶瓷

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向,再用精密機(jī)械加工成標(biāo)準(zhǔn)尺寸和角度的碳化硅晶棒,并對(duì)所有晶棒進(jìn)行尺寸、角度等指標(biāo)檢測(cè)。在考慮后續(xù)加工余量后,用金剛石細(xì)線切割碳化硅晶棒至所需厚度,并通過(guò)全自動(dòng)測(cè)試設(shè)備對(duì)面型進(jìn)行檢測(cè)。切片作為晶體加工的首要步驟,對(duì)后續(xù)加工和產(chǎn)能的影響較大。碳化硅的高硬度導(dǎo)致鋸線消耗大、加工時(shí)間長(zhǎng)、廢料率高、產(chǎn)量有限、高成本等問(wèn)題?!暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng);第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)(PM CHINA)、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)(MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)(AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)(POWDEX CHINA)同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng),串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個(gè),國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀!匯聚多方力量,整合優(yōu)勢(shì)資源,“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì):2025年3月10日上海世博展覽館,共襄行業(yè)盛會(huì)!3月10-12日上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)展覽會(huì)

2025年3月10日中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展,匯聚眾多國(guó)內(nèi)外杰出供應(yīng)商和制造商,誠(chéng)邀您蒞臨上海探索無(wú)限商機(jī)。3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜,但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低,需極高溫度,會(huì)惡化器件性能。因此,離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻,常采用多步離子注入,通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量,控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較的設(shè)備,全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng),國(guó)產(chǎn)化率低于10%,是我國(guó)碳化硅晶圓線建設(shè)的較瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立(Axcelis)及應(yīng)用材料(收購(gòu)?fù)呃锇玻?,日本?ài)發(fā)科及日清公司,國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所(爍科中科信),中車思銳(收購(gòu)IBS)和凱世通也在介入?!暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕!展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個(gè),國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn),整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀!3月10日至12日中國(guó)上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)