用戶自備時按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s;2、必須能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于80℃;3、模塊負載較輕時,可減小散熱器的大小或采用自然冷卻;4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現(xiàn)對流并適當(dāng)增大散熱器面積;5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,壓線端子連接牢固,以減少次生熱量的產(chǎn)生,模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以達到**佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個螺釘要依次固定,用力要均勻,反復(fù)幾次,直至牢固,使模塊底板與散熱器表面緊密接觸。(2)把散熱器和風(fēng)機按要求裝配好后,垂直固定于機箱合適位置。(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,**好浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱收縮。將接線端頭固定于模塊電極上,并保持良好的平面壓力接觸,嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。(4)為延長產(chǎn)品使用壽命,建議每隔3-4個月維護一次,更換一次導(dǎo)熱硅脂,***表面灰塵,緊固各壓線螺釘。詳細內(nèi)容請登錄公司網(wǎng)站:或閱覽和下載。 它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。海南好的IGBT模塊貨源充足
但輸出基頻就不到50HZ了,再把8010的18腳接高電平,也就是接成原60HZ的形式,這時實際輸出就為50HZ了。這個方法,得到了屹晶公司許工的認可。經(jīng)過和神八兄多次的策劃,大約花了一個月左右的“空閑”時間,我終于做出了***塊驅(qū)動板,見下面的圖片,板子還是比較大的,長16CM,寬。這塊驅(qū)動板元器件特別多,有280個左右的元件。所以,畫PCB和裝樣板,頗費了一番周折。因為,一般大功率的機器,前級和后級可能是分離的,對于后級來講,一般是接入360V左右的高壓,就要能工作,所以,這個驅(qū)動卡的輔助電源是高壓輸入的,我用了一塊PI公司的TNY277的IC,電路比較簡單,但輸出路數(shù)很多,有5路,都是互相隔離的。因功率不大,可以用EE20EFD20等磁芯,但這類磁芯,找不到與它匹配的腳位有6+6以上的骨架,所以,只得用了EI28磁芯,用了11+11的骨架。下圖是輔助電源部分的電路和TNY277的D極波形。下面是這款驅(qū)動卡聯(lián)上300A模塊的圖片,四路輸出的圖騰管是用D1804和B1204,輸出電流8A,在連上300A模塊時,G極上升時間約為380NS左右(G極電阻10R),不算很快,但也不算特別慢了。我在模塊上接入30V的母線電壓,輸出的正弦波如下圖,可見,設(shè)計上沒有明顯的錯誤,時序也是對的?,F(xiàn)在。 陜西哪里有IGBT模塊哪家便宜由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。
直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應(yīng)選擇在**大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。7、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導(dǎo)通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U**大?MU實際K:安全系數(shù),阻性負載K=,感性負載K=2;I負載:負載流過的**大電流;U實際:負載上的**小電壓;U**大:模塊能輸出的**大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規(guī)格均為);I:需要選擇模塊的**小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機,建議采用帶有過熱保護功能的產(chǎn)品,有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴(yán)格測算,確定了不同型號的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號,推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機。
從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時,晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)??申P(guān)斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門控晶閘管。其主要特點為,當(dāng)門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門極正信號觸發(fā)之后,撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源,使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。 三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G。
1被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中,對于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,都知道的來歷及各種分類。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多,有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們模塊的來歷?,F(xiàn)在就為大家分享一下:2晶閘管誕生后,其結(jié)構(gòu)的改進和工藝的**,為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,應(yīng)用于調(diào)光和馬達控制;1965年,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ);60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當(dāng)時逆變電路的基本元件;1974年,逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,運用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟的辦法。不過,這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。雙向晶閘可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通,因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時間較長,其水平已超過2000V/500A。4光控晶閘是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件。 f,焊接g極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。海南好的IGBT模塊貨源充足
雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。海南好的IGBT模塊貨源充足
還有一個小問題:因為8010內(nèi)建死區(qū)**小為300NS,不能到0死區(qū),所以,還原的饅頭波,可能會有150NS的收縮,造成合成的正弦波在過0點有一點交越失真,如果8010能做到有一檔是0死區(qū),我這個問題就能完美解決了。經(jīng)和屹晶的許工聯(lián)系,他說可以做成0死區(qū)的,看來是第二版可以做得更完美了。驅(qū)動板做好了,但我這里沒有大功率的高壓電源進行帶功率的測試,只得寄給神八兄,讓他對這塊驅(qū)動板進行一番***的測試,現(xiàn)在,這塊板還在路上。神八兄測試的過程和結(jié)果,可以跟在這個貼子上,經(jīng)享眾朋友。在母線電壓392的情況下,做短路試驗,試了十多次,均可靠保護,沒有燒任何東西,帶載短路也試了幾次,保護靈敏可靠,他現(xiàn)在用的是150A的IGBT模塊。能輕松啟動10根1000W的小太陽燈管,神八兄**好測一下,你這種1000W的燈管,冷阻是多少歐,我這里有幾根,冷阻只有4R。還請神八兄再試一下啟動感性負載,如果能啟動常用的感性負載,如空調(diào)什么的,我覺得也差不多了,基本上達到了我們預(yù)先的設(shè)計目標(biāo)。這是試機現(xiàn)場照片:測試情況:1.功率已加載到12KW,開風(fēng)扇,模塊溫度不高?,F(xiàn)在已把驅(qū)動板上的功率限止電路調(diào)到10KW。2.在母線電壓350V時,順利啟動了11根1000W的小太陽燈管。 海南好的IGBT模塊貨源充足