穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊配件

    按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時(shí)，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%]，反之如果改為采用水冷時(shí)，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機(jī)，我們確定了不同型號(hào)模塊在其額定電流工作狀態(tài)下，環(huán)境溫度為40℃時(shí)所需的散熱器長(zhǎng)度、風(fēng)機(jī)規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等，請(qǐng)參考說(shuō)明書。另外，在表內(nèi)出具了每個(gè)型號(hào)的模塊在峰值壓降、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時(shí)做參考。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作，可酌減散熱器長(zhǎng)度。（3）在設(shè)備開機(jī)前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，若有松動(dòng)，應(yīng)擰緊螺釘，以使模塊底板和散熱器表面以及模塊電極和接線端子之間都能夠緊密接觸，達(dá)到比較好散熱效果。（4）采用自然冷卻形式時(shí)，必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對(duì)流。（5）因水冷散熱效果好，有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱形式。正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊配件

    )=174A-232A顯然，通過(guò)以上的計(jì)算對(duì)于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630；NBK-630；WSM-630焊機(jī)應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當(dāng)然，焊機(jī)可靠長(zhǎng)期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外，與以下因素還有一定的關(guān)系：2焊機(jī)暫載率即額定負(fù)荷工作持續(xù)率（FS）：根據(jù)焊機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此類焊機(jī)暫載率一般為：35%；60%；。其定義如下：暫載率FS=負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間（t）/[負(fù)載滿負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行時(shí)間+休止時(shí)間]x=t/Tx上式中T為焊機(jī)的工作周期，它是負(fù)荷持續(xù)運(yùn)行和休止時(shí)間之和。我國(guó)焊機(jī)行業(yè)規(guī)定，手工氬弧焊時(shí)T為5分鐘；自動(dòng)氬弧焊時(shí)T為10分鐘；即工作6分鐘，休息4分鐘。2散熱條件：以上計(jì)算均是在假設(shè)散熱條件足夠的情況下考慮的。如果散熱條件發(fā)生變化，對(duì)模塊的選型要求可適當(dāng)增大或減小。l其它線路焊機(jī)對(duì)模塊的選型：對(duì)于使用在三相半控全橋整流線路中的模塊MTY；MDG，如下圖，對(duì)器件通流能力要求更高，同等輸出電流的情況下，該線路中的器件通過(guò)的電流是雙反星并聯(lián)線路中的兩倍；但對(duì)耐壓的要求低一倍。實(shí)例：已知條件：Id=630A;空載電壓:100V1、器件耐壓（VRRM。穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊配件正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下，不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

    晶體閘流管工作過(guò)程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2。

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱為關(guān)斷過(guò)電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無(wú)感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。

    1、過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過(guò)晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過(guò)電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。模塊的過(guò)壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊配件

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晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導(dǎo)體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長(zhǎng)、體積小等優(yōu)點(diǎn)。它是弱電控制與受控強(qiáng)電之間的橋梁。從節(jié)能的角度看，電力電子技術(shù)被稱為新的電氣技術(shù)。我國(guó)能源利用率相對(duì)較低。按國(guó)民生產(chǎn)單位產(chǎn)值能耗計(jì)算。因此，所以晶閘管為**的電控裝置是我國(guó)有效節(jié)能的重要措施。

晶閘管模塊是過(guò)去市場(chǎng)上常用的一種集成模塊。根據(jù)不同的電流規(guī)格，它可以形成各種形式和電流規(guī)格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據(jù)芯片電流規(guī)格，它可以形成三個(gè)不同功率的（單）交（整）流電路。 穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊配件

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