濟(jì)南MTAC150晶閘管智能模塊廠家

    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過(guò)電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過(guò)電壓越高。正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù)。濟(jì)南MTAC150晶閘管智能模塊廠家

    構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)。濟(jì)南MTAC150晶閘管智能模塊廠家正高電氣以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！

    軟啟動(dòng)器可分為有級(jí)和無(wú)極兩類，前者的調(diào)節(jié)是分檔的；后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動(dòng)器均是有級(jí)的。下面我們就是主要介紹下無(wú)級(jí)類，它們是液阻軟起動(dòng)、磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)。在電動(dòng)機(jī)定子回路，通過(guò)串入有限流作用的電力電子器件實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng)，叫做降壓或者限流軟起動(dòng)，它是軟起動(dòng)中的一個(gè)重要類別。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動(dòng)，以磁飽和電抗器為限流啟動(dòng)的磁控軟啟動(dòng)，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動(dòng)。變頻調(diào)速器也是一種軟起動(dòng)裝置，它是比較理想的一種，它可以在限流同時(shí)保持高的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩。價(jià)格貴是制約其作為軟起動(dòng)應(yīng)用的重要因素，它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動(dòng)器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導(dǎo)電的本質(zhì)是離子導(dǎo)電。它的阻值正比相對(duì)的二塊電極板的距離，反比于電解液的電導(dǎo)率，極板距離和電導(dǎo)率都便于控制；液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點(diǎn)（阻值可以無(wú)級(jí)控制和熱容量大），恰恰是軟起動(dòng)所需要的。液阻軟起動(dòng)也有缺點(diǎn)：一是液阻箱容積大，其根源在于阻性限流，減小容積引起溫升加大。一次軟起動(dòng)后電解液通常會(huì)有10-30攝氏度的溫升，使軟啟動(dòng)的重復(fù)性差。二是移動(dòng)極板需要有一套伺服機(jī)構(gòu)，它的移動(dòng)速度較慢。

晶閘管智能模塊的基本組成

晶閘管芯片以不同的形式連接，并與觸發(fā)控制系統(tǒng)集成?？尚纬蓡蜗嗪腿嘟涣髡餍问?。該模塊的直流控制電源信號(hào)可由手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。

主要結(jié)果如下：(1)選用進(jìn)口(DCB)陶瓷銅層壓板、金屬M(fèi)o片、純銅導(dǎo)熱基板等材料實(shí)現(xiàn)無(wú)間隙焊接，絕緣性能好，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱循環(huán)次數(shù)比國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)高10倍。

（2）采用進(jìn)口方形芯片，電連接部分采用高分子復(fù)合材料作為支撐板和連接橋，使模塊工作壓降低、功耗低、熱阻小、工作效率高。

（3）均采用品牌貼片元件，自行設(shè)計(jì)的10位A/D**數(shù)字觸發(fā)電路，高集成觸發(fā)控制系統(tǒng)，在電感和電容負(fù)載條件下具有一定優(yōu)勢(shì)，輸出電壓對(duì)稱性好，無(wú)相序接入要求。

（4）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，絕緣電壓大于2500V，可以保證人身和設(shè)備使用安全。

（5）該模塊以輸入直流0-5V、0-10V和4-20mA控制三種不同的控制信號(hào)，以滿足用戶的不同控制模式。

（6）輸出電壓不對(duì)稱度小于2%，輸出電壓不穩(wěn)定度小于0.5%。 正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過(guò)程滿足客戶的***需求。

    是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：?jiǎn)蜗蚓чl管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號(hào)為“VS”，圖形符號(hào)如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時(shí)應(yīng)注意不能超過(guò)其極限參數(shù)指標(biāo)，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個(gè)電極。單向晶閘管的三個(gè)電極是：陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個(gè)電極是：兩個(gè)主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識(shí)別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦?，即不但具有一般二極管單向?qū)щ姷恼髯饔?，而且可以?duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。單向晶閘管是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，具有三個(gè)外電極A、K和G，可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復(fù)合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后，管子并不導(dǎo)通。此時(shí)在控制極G加上正電壓時(shí)，VT1、VT2相繼迅速導(dǎo)通，此時(shí)即使去掉控制極電壓，管子仍維持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向晶閘管可以等效為兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?，因此除控制極G外的另兩個(gè)電極不再分陽(yáng)極陰極。正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問(wèn)題。濟(jì)南MTAC150晶閘管智能模塊廠家

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    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過(guò)熱保護(hù)晶閘管在電流通過(guò)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問(wèn)題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí)，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過(guò)熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過(guò)熱保護(hù)功能的模塊。當(dāng)然，即便模塊帶過(guò)熱保護(hù)功能，而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中，當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí)，如室溫超過(guò)40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等，則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用，否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過(guò)允許值而損壞。譬如。濟(jì)南MTAC150晶閘管智能模塊廠家

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