山東MTAC150晶閘管智能模塊配件

晶閘管智能模塊過(guò)流保護(hù)：

加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升，會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形，如果加熱絲沒(méi)有采取良好的固定措施，會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會(huì)使電流增大，電流過(guò)大后會(huì)超過(guò)模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過(guò)大，必須采取過(guò)流保護(hù)措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來(lái)限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過(guò)大將起不到保護(hù)作用。 正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！山東MTAC150晶閘管智能模塊配件

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿(mǎn)元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線(xiàn)路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱(chēng)為關(guān)斷過(guò)電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線(xiàn)要短。比較好采用無(wú)感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱(chēng)電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。青島MTAC300晶閘管智能模塊批發(fā)正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。

    雙向晶閘管看起來(lái)與單向晶閘管的外形差不多，也有三個(gè)電極，它的主要工作特性是什么呢？雙向晶閘管相當(dāng)于兩個(gè)單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個(gè)控制極。這樣，雙向晶閘管在正、反兩個(gè)方向上都能夠控制導(dǎo)電，而單向晶閘管卻是一種可控的單方向?qū)щ娖骷?。給雙向晶閘管的控制極加正的或負(fù)的觸發(fā)脈沖，都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通。這樣，觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)就具有很大的靈活性，可以采用多種不同的觸發(fā)方式。此外，雙向晶閘管的兩個(gè)主電極不再分為陽(yáng)極和陰極，而是稱(chēng)為電極T1和第二電極T2。雙向晶閘管在電路中不能用作可控整流元件，主要用來(lái)進(jìn)行交流調(diào)壓、交流開(kāi)關(guān)、可逆直流調(diào)速等等。雙向晶閘管觸發(fā)電路中，使用了雙向觸發(fā)二極管，我們過(guò)去沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)這種管子，這是一種什么樣的器件呢？雙向觸發(fā)二極管從結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)，是一種沒(méi)有控制極的晶閘管，我們可以把它看成是兩個(gè)二極管的反向并聯(lián)。這樣，無(wú)論在雙向觸發(fā)二極管的兩極之間外加什么極性的電壓，只要電壓的數(shù)值達(dá)到管子的轉(zhuǎn)折電壓值，就能使它導(dǎo)通。值得注意的是，雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓較高，一般在20～40V范圍。雙向觸發(fā)二極管組成的雙向晶閘管觸發(fā)電路的工作原理吧。調(diào)壓器電路主要由阻容移相電路和雙向晶閘管兩部分組成。

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù)

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應(yīng)用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應(yīng)用于各行各業(yè)需要對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵(lì)磁以及各行業(yè)使用的直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡(jiǎn)單，只需用一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)即可對(duì)模塊輸出電壓的大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)弱電對(duì)強(qiáng)電的控制。

電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法?？刂菩盘?hào)可以有0～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正極。

GND：直流電源地線(xiàn)。

GND1: 控制信號(hào)地線(xiàn)，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號(hào)輸入

TESTE：檢測(cè)電源,方便用戶(hù)檢測(cè)模塊功能時(shí)用?？赏饨?4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號(hào)。

CON20mA：4～20mA控制信號(hào)輸入 正高電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹(shù)百年品牌為使命，傾力為客戶(hù)創(chuàng)造更大利益！

    可以自動(dòng)調(diào)節(jié)負(fù)載阻抗的匹配，達(dá)到恒功率輸出，可以制成“快速熔煉”的中頻電源，達(dá)到節(jié)時(shí)、節(jié)電、提高網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)的目的（此功能也可被送掉）。逆變部分的主要電路均在QXPU-1大規(guī)模集成電路的內(nèi)部，亦是數(shù)字電路。QXPU-1控制板全板*有7只集成電路、6只晶體管、6只微調(diào)電位器、32個(gè)引出端子，安裝十分方便，適用于各種晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源。MPU-2控制板在設(shè)計(jì)中征求了多方面的意見(jiàn)，采取了有效措施，使得調(diào)試極為方便，大多數(shù)參數(shù)的都由電路內(nèi)部自動(dòng)設(shè)定，需要用戶(hù)調(diào)整的只有6只電位器的參數(shù)設(shè)定，所以具有極強(qiáng)的通用性和互換性。2、產(chǎn)品名稱(chēng)產(chǎn)品名稱(chēng)：恒功率晶閘管中頻電源控制板3、適用裝置適用于400HZ-10KHZ各種晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源。4、正常使用條件?！?，不高于+40℃。比較大相對(duì)濕度不超過(guò)90%（20℃±5℃時(shí)）。，無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。。5、主要技術(shù)參數(shù)：100V~660V（50HZ）（注意R3、R7、R11的匹配）：?jiǎn)蜗?7V/2A。：AC12V/15mA。：AC12V/5mA三相輸入。：α=0~130°。：小于1°。：≥600μS、雙窄、間隔60°。：觸發(fā)脈沖峰值電壓：≥12V觸發(fā)脈沖峰值電流：≥1A觸發(fā)脈沖前沿陡度：≥μS：400HZ~10KHZ。：1/16×逆變頻率。正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。山東MTDC200晶閘管智能模塊哪家好

正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問(wèn)題。山東MTAC150晶閘管智能模塊配件

    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽(yáng)極比較大可關(guān)斷電流IATM與門(mén)極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說(shuō)明門(mén)極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值。山東MTAC150晶閘管智能模塊配件

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