ANSYS在壓力容器分析設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
耐壓快插接頭在水壓試驗(yàn)裝置中的作用
穿艙接頭在深海環(huán)境模擬試驗(yàn)裝置的作用
耐壓快插接頭的標(biāo)準(zhǔn)與特性
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江蘇卡普蒂姆深海環(huán)境模擬試驗(yàn)裝置介紹
水壓試驗(yàn)裝置的原理及應(yīng)用
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由與非門(mén)的邏輯關(guān)系可知此時(shí)YFA3腳輸出為高電平,經(jīng)過(guò)YF2反相變?yōu)榈碗娖?,D1截止后級(jí)電路不動(dòng)作。晚上光線暗RG阻值變大,YFA1腳電位升高,如果此時(shí)有聲音被MIC接收,經(jīng)C1耦合T1放大,在R3上形成音頻電壓,此電壓如高于1/2電源電壓,則YF13腳輸出低電平,經(jīng)YFB反相,4腳輸出的高電平經(jīng)D1向C2瞬間充電,使YFC輸入端接近電源電壓,10腳輸出低電平,由YFD反相緩沖后經(jīng)R6觸發(fā)可控硅導(dǎo)通,電燈正常點(diǎn)亮。(此時(shí)則由C3向電路供電)如此后無(wú)聲被MIC接收,則YFA輸出恢復(fù)為高電平,C2通過(guò)R5緩慢放電,當(dāng)C2電壓下降到低于1/2電源電壓時(shí)(按圖中參數(shù)約一分鐘)YFC反轉(zhuǎn)、YFD反轉(zhuǎn),可控硅(SCR)截止電燈關(guān)閉,等待下次觸發(fā)。元件選擇:MIC用駐極體話筒,RG用一般光敏電阻即可,YFA-YFD用一片低工S四與非門(mén)電路TC4011,T1用9014低頻管,放大倍數(shù)越大靈敏度越高,D1用IN4148,D2是,C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅,電阻均為1/8w炭膜電阻,阻值按圖。D4-D7用IN4007,反向漏電必須小。電燈的功率不能超過(guò)60W。正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。MTAC40晶閘管智能模塊配件
限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無(wú)接觸的。非機(jī)械式的,這就為微電子技術(shù)打開(kāi)了大門(mén)。所以,在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說(shuō)磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止,能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能,其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓(380V)磁飽和電抗器沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別,只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有,這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來(lái)說(shuō),磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說(shuō)磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波,這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線性,就一定會(huì)引起高次諧波,只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對(duì)較大功率的輔助電源,噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問(wèn)世是當(dāng)今電力電子器件長(zhǎng)足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出,晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場(chǎng)**。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比,它體積小,結(jié)構(gòu)緊湊,維護(hù)量小,功能齊全,菜單豐富,起動(dòng)重復(fù)性好,保護(hù)周全,這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。MTAC40晶閘管智能模塊配件正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn),共創(chuàng)未來(lái)!
電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞,那么,我們就要了解過(guò)電壓保護(hù),保護(hù)晶閘管模塊,不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管,就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的?從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況:晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感,當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,引發(fā)電路故障;當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此,必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類:(1)交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓,這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地,開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高。
并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門(mén)極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可關(guān)斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)為,當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后,撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源,使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路,不僅使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲??申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn),它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣,產(chǎn)品規(guī)格齊全,歡迎咨詢。
額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過(guò)熱保護(hù)晶閘管在電流通過(guò)時(shí),會(huì)產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問(wèn)題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí),一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過(guò)熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過(guò)熱保護(hù)功能的模塊。當(dāng)然,即便模塊帶過(guò)熱保護(hù)功能,而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中,當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí),如室溫超過(guò)40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等,則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過(guò)允許值而損壞。譬如。正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過(guò)硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。MTAC40晶閘管智能模塊配件
正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系,使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。MTAC40晶閘管智能模塊配件
1)安裝1)按電路元件明細(xì)表配齊元件,并對(duì)元件進(jìn)行檢測(cè)。2)在面包板上根據(jù)電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件,確認(rèn)無(wú)誤后調(diào)試。(2)調(diào)試安裝完畢的電路經(jīng)檢查確認(rèn)無(wú)誤后,接通電源進(jìn)行調(diào)試。先調(diào)控制電路,然后再調(diào)試主電路??刂齐娐返恼{(diào)試步驟是:在控制電路接上電源后,先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓波形,應(yīng)為梯形波;再觀察電容器兩端的電壓波形,應(yīng)為鋸齒波;調(diào)節(jié)電位器RP,鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點(diǎn)的波形圖。主電路的調(diào)試步驟是:用調(diào)壓器給主電路加一個(gè)低電壓(40~50V),用示波器觀察晶閘管陽(yáng)、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線,它是晶閘管的導(dǎo)通部分;調(diào)節(jié)電位器RP,波形中平線的長(zhǎng)度隨之變化,表示晶閘管導(dǎo)通角可調(diào),電路工作正常。否則要檢查原因,排除故障后,重新調(diào)試。待檢查無(wú)誤后,給主電路加工作電壓,燈泡EL發(fā)光。調(diào)節(jié)RP,當(dāng)增大RP時(shí),則EL變暗;當(dāng)減小RP時(shí),則EL變亮,說(shuō)明電路工作正常。MTAC40晶閘管智能模塊配件
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