只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。
這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司團隊從用戶需求出發(fā)。北京大功率可控硅模塊價格
滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>0.5A,標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調(diào)整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網(wǎng)電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 反并聯(lián)可控硅模塊批發(fā)地理位置優(yōu)越,交通十分便利。
可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢,使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機械設(shè)計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展。
可控硅模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運用壽數(shù)和短時過載才華,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在運用中有必要裝備散熱器和風(fēng)機,主張選用帶有過熱維護功用的商品,有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過嚴肅測算,斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型,推薦選用廠家配套的散熱器和風(fēng)機,用戶自備時按以下準(zhǔn)則挑選:
1、軸流風(fēng)機的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ;
2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時散熱底板溫度不大于80℃;
3、模塊負載較輕時,可減小散熱器的大小或選用天然冷卻;
4、選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結(jié)束對流并恰當(dāng)增大散熱器面積;
5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊,壓線端子聯(lián)接強健,以削減次生熱量的發(fā)生,模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以抵達良好散熱作用。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創(chuàng)造更大利益!
可控硅模塊特點:
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司敢于承擔(dān)、克難攻堅。湖南反并聯(lián)可控硅模塊
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可控硅模塊選購注意事項:
(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號、結(jié)構(gòu)(螺栓、凹臺、凸臺)、配置散熱器型號。
(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。
(3)選擇電流電壓時要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?
可控硅模塊使用注意事項:
(1)線路中須有過壓過流保護措施,串并聯(lián)使用時必須有均流措施。
(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應(yīng)有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應(yīng)大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,應(yīng)立即更換。
(3)嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。
(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。
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