1873年，英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產(chǎn)生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。為了達到比較好的探測器的響應速度，需要在探測器的吸收層厚度和光電探測器的面積中折衷。深圳16GHZ PIN光電探測器直銷價格
光電探測器的光電轉換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發(fā)生變化，則光電靈敏度將發(fā)生變化。如光敏電阻是一個可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結附近的一個極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點與感光的靈敏點對準。一定要使入射通量的變化中心處于檢測器件光電特性的線性范圍內，以確保獲得良好的線性輸出。對微弱的光信號，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強的電信號。深圳2GHZ APD光電探測器廠家現(xiàn)貨光電探測器在國際和國民經(jīng)濟的各個領域有很多用途。
雪崩效應只是APD的工作原理，和工作模式不是一個東西。APD工作模式分蓋革模式和線型模式，區(qū)別在于線型模式偏置電壓低于反向擊穿電壓，蓋格模式偏置電壓高于擊穿電壓。線性模式下APD就是一個增益高的普通光電二極管。蓋格模式下APD接受到光子后就會進入并一直處于反向擊穿狀態(tài)，APD一直通過一個很大的反向電流。這時，通過外部電路使偏置電壓暫時下降至擊穿電壓之下，APD從反向擊穿模式恢復，等待下一個光子，所以蓋格模式通常只適用與單光子計數(shù)應用。
在光照射下，半導體PN結中的原子因吸收光子而受到激發(fā)。光子能量大于禁帶時會產(chǎn)生電子-空穴對的非平衡載流子，在內建電場的作用下空穴移向P區(qū)，電子移向N區(qū)，形成與內建電場方向相反的光生電場，于是在P區(qū)和N區(qū)間建立了光生電動勢。這種光照無偏置的PN結所產(chǎn)生的光生電動勢的現(xiàn)象稱為光生伏特的效應，相當于在PN結兩端施加正向電壓。與光電導效應相反，光伏效應是一種少數(shù)載流子過程，少數(shù)載流子壽命通常短于多數(shù)載流子，也因此光伏效應的光電探測器通常比用相同材料制成的光電導探測器響應更快。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等。
光電三級管與光電二極管比較，光電三級管輸出電流較大，一般在毫安級，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場合。光電三極管有pnp和npn型兩種結構，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應用。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結構、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結構和普通晶體管類似，只是在材料的摻雜情況、結面積的大小和基極引線的設置上和普通晶體管不同。因為光電三極管要響應光輻射，受光面即集電結（bc結）面積比一般晶體管大。另外，它是利用光控制集電極電流的，所以在基極上既可設置引線進行電控制，也可以不設，完全同光一控制。它的工作原理是工作時各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結反偏置，發(fā)射正偏聽偏置。由于集電結是反偏壓，在結區(qū)有很強的內建電場，對3DU管來講，內建電場方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同。光子型探測器是有選擇性響應波長的探測器件。深圳2GHZ APD光電探測器廠家現(xiàn)貨
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1873年，英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質能級的離化能，就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei表示雜質能級的離化能。深圳16GHZ PIN光電探測器直銷價格
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