制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流子。由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給。三極管按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管。低頻三極管供應(yīng)
三極管由于集電結(jié)是反向偏置電壓，空間電荷區(qū)的內(nèi)電場(chǎng)被進(jìn)一步加強(qiáng)(PN結(jié)變寬)，這樣反而對(duì)基區(qū)擴(kuò)散到集電結(jié)邊境的載流子電子有很強(qiáng)的吸引力(電子帶負(fù)電，同性相斥異性相吸)，使它們很快漂移過集電結(jié)(電場(chǎng)的吸引或排斥作用引起的載流子移動(dòng)叫做漂移)，從而形成集電極電流Icn(方向與電子漂移方向相反)。很明顯，Icn=Ien-Ibn，因?yàn)榘偃f大軍一小部分在基區(qū)，剩下的大部分在集電區(qū)。在多數(shù)載流子電子進(jìn)入到集電區(qū)后，集電區(qū)(N型)的少數(shù)載流子空穴與基區(qū)(P型)的少數(shù)載流子電子也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，形成了電流Icbo，而另有一些會(huì)跨過基區(qū)到達(dá)發(fā)射區(qū)從而形成Iceo。低頻三極管供應(yīng)三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的元件。
三極管的穿透電流ICEO的數(shù)值近似等于管子的倍數(shù)β和集電結(jié)的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環(huán)境溫度的升高而增長(zhǎng)很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩(wěn)定性，所以在使用中應(yīng)盡量選用ICEO小的管子。通過用萬用表電阻直接測(cè)量三極管e－c極之間的電阻方法，可間接估計(jì)ICEO的大小，具體方法如下：萬用表電阻的量程一般選用R×100或R×1K擋，對(duì)于PNP管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對(duì)于NPN型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測(cè)得的電阻越大越好。e－c間的阻值越大，說明管子的ICEO越??；反之，所測(cè)阻值越小，說明被測(cè)管的ICEO越大。一般說來，中、小功率硅管、鍺材料低頻管，其阻值應(yīng)分別在幾百千歐、幾十千歐及十幾千歐以上，如果阻值很小或測(cè)試時(shí)萬用表指針來回晃動(dòng)，則表明ICEO很大，管子的性能不穩(wěn)定。
三極管基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號(hào)變成一定強(qiáng)度的信號(hào)，當(dāng)然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒，它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號(hào)的能量罷了。三極管有一個(gè)重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當(dāng)三極管的基極上加一個(gè)微小的電流時(shí)，在集電極上可以得到一個(gè)是注入電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。 三極管還可以作電子開關(guān)，配合其它元件還可以構(gòu)成振蕩器。 半導(dǎo)體三極管除了構(gòu)成放大器和作開關(guān)元件使用外，還能夠做成一些可單獨(dú)使用的兩端或三端器件。三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。
三極管的工作原理：是輸出信號(hào)范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對(duì)那些增加的信號(hào)放大，而對(duì)減小的信號(hào)無效(因?yàn)闆]有偏置時(shí)集電極電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電極有一定的電流，當(dāng)輸入的基極電流變小時(shí)，集電極電流就可以減小;當(dāng)輸入的基極電流增大時(shí)，集電極電流就增大。這樣減小的信號(hào)和增大的信號(hào)都可以被放大了。因?yàn)榘l(fā)射區(qū)多子濃度高，使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流 ；因?yàn)榛鶇^(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合，復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流 ；因?yàn)榧妳^(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流 。三極管按功能分: 開關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管等。低頻三極管供應(yīng)
三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式。低頻三極管供應(yīng)
三極管極限參數(shù) 集電極大允許電流ICM當(dāng)集電極電流超過一定值時(shí)，β就要下降，當(dāng)β值下降到線性放大區(qū)β值的2/3時(shí)，所對(duì)應(yīng)的集電極電流稱為集電極大允許電流ICM。當(dāng)IC>ICM時(shí)，并不表示三極管會(huì)損壞。 集電極大允許功率損耗PCM集電極電流通過集電結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的功耗， PCM= ICUCB≈ICUCE，因發(fā)射結(jié)正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結(jié)上。在計(jì)算時(shí)往往用UCE取代UCB。反向擊穿電壓U(BR)CEO反向擊穿電壓U(BR)CEO,U(BR)CEO——基極開路時(shí)集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。低頻三極管供應(yīng)
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