場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線:柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性,反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時,漏極電流隨之變化。當(dāng)柵極電壓=0時,ID值為場效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS;當(dāng)漏極電流=0時,柵極電壓的值為結(jié)型場效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線:當(dāng) Ugs確定時,反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線,又稱漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個區(qū)域:飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當(dāng)起放大作用時,應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請注意,這里的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極,它們是:柵極;漏極;源極。N型場效應(yīng)管市場報價
場效應(yīng)管注意事項:用25W電烙鐵焊接時應(yīng)迅速,若用45~75W電烙鐵焊接,應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量(檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值),而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查,必須用測試儀,而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時,則應(yīng)先短路再取下,關(guān)鍵在于避免柵極懸空。在要求輸入阻抗較高的場合使用時,必須采取防潮措施,以免由于溫度影響使場效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應(yīng)管,其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,應(yīng)注意避光使用。金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管供應(yīng)商在場效應(yīng)晶體管中,當(dāng)以線性模式工作時,電子可以沿任意方向流過溝道。
場效應(yīng)管的歷史:場效應(yīng)晶體管的點項由朱利葉斯·埃德加·利林費(fèi)爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久,威廉姆·肖克利的團(tuán)隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機(jī)理。隨后,在20世紀(jì)80年代,半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來。1950年,日本工程師西澤潤一和渡邊發(fā)明了點種結(jié)型場效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場效應(yīng)管。1959年,由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場效應(yīng)管,并對數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。
場效應(yīng)管與晶體管的比較:(1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。源極(S),載流子經(jīng)過源極進(jìn)入溝道。通常,在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。
場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動;其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因為沒有電荷存儲效應(yīng);另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理,它在溫度越高時往往耐力越強(qiáng),而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。場效應(yīng)晶體管是一種三極管,包括源極、柵極和漏極。廣州J型場效應(yīng)管型號
柵極(G),調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過向柵極施加電壓,可以控制ID。N型場效應(yīng)管市場報價
用感應(yīng)信號輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極G,將人體的感應(yīng)電壓信號加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,說明管的放大能力較差;表針擺動較大,表明管的放大能力大;若表針不動,說明管是壞的。N型場效應(yīng)管市場報價
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