新北區(qū)好的電子元器件推薦貨源

電子元件是電子電路中的基本元素，通常是個(gè)別封裝，并具有兩個(gè)或以上的引線或金屬接點(diǎn)。電子元件須相互連接以構(gòu)成一個(gè)具有特定功能的電子電路，例如：放大器、無(wú)線電接收機(jī)、振蕩器等，連接電子元件常見(jiàn)的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨(dú)的封裝（電阻器、電容器、電感器、晶體管、二極管等），或是各種不同復(fù)雜度的群組，例如：集成電路（運(yùn)算放大器、排阻、邏輯門(mén)等）。 電子器件是指在真空、氣體或固體中，利用和控制電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律而制成的器件。分為電真空器件、充氣管器件和固態(tài)電子器件。在模擬電路中作整流、放大、調(diào)制、振蕩、變頻、鎖相、控制、相關(guān)等作用；在數(shù)字電路中作采樣、限幅、邏輯、存儲(chǔ)、計(jì)數(shù)、延遲等用。充氣管器件主要作整流、穩(wěn)壓和顯示之用。固態(tài)電子器件如集成電路。按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類(lèi)。新北區(qū)好的電子元器件推薦貨源

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí)。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來(lái)的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn)，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門(mén)極觸發(fā)時(shí)必須在門(mén)極周?chē)葘?dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過(guò)程，所以比一般晶閘管有更高的開(kāi)關(guān)速度，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內(nèi)滿(mǎn)足了電力電子技術(shù)的要求?；萆絽^(qū)關(guān)于電子元器件價(jià)格實(shí)惠各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。

電線 有連接口或終端在盡頭的電線：電源線（Power cord）；軟線（Patch cord）；示波器探棒（Test lead）。 開(kāi)關(guān) 能夠控制電路的開(kāi)路或閉路的電子元件：開(kāi)關(guān)（Switch） - 手動(dòng)操作的開(kāi)關(guān)；Keypad- 一群按鈕開(kāi)關(guān)的集he（例如只能輸入數(shù)字的小鍵盤(pán)）；繼電器（Relay） - 電流操作的開(kāi)關(guān)。它是一種電磁元件，有別于固態(tài)繼電器（Solid State Relay）；電磁開(kāi)關(guān)：自動(dòng)調(diào)溫器（Thermostat） - 溫度致動(dòng)的開(kāi)關(guān)；斷路器（Circuit Break） -過(guò)電流致動(dòng)的開(kāi)關(guān)；限位開(kāi)關(guān)（Limit Switch） - 機(jī)械式的啟動(dòng)開(kāi)關(guān)；**開(kāi)關(guān)（Mercury Switch）；離心開(kāi)關(guān)（Centrifugal Switch）。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類(lèi)： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類(lèi)： 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）； 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類(lèi)： 1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管、GTO； 2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類(lèi)： 1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢(shì)壘二極管； 3.復(fù)合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。電子元件的元件分類(lèi)：電線與開(kāi)關(guān)。

進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來(lái)的單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象；需要擴(kuò)大電流容量時(shí)，器件并聯(lián)簡(jiǎn)單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動(dòng)功率；在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大，制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達(dá)數(shù)十安，阻斷電壓近千伏。從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。金壇區(qū)正規(guī)電子元器件相關(guān)問(wèn)題

電子元件的元件分類(lèi)：端子與連接器。新北區(qū)好的電子元器件推薦貨源

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率小；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在二次擊穿問(wèn)題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場(chǎng)合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低 電力MOSFET：開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高，不存在二次擊穿問(wèn)題；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開(kāi)關(guān)的速度新北區(qū)好的電子元器件推薦貨源

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