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按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類: 1.半控型器件,例如晶閘管; 2.全控型器件,例如GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),Power MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管); 3.不可控器件,例如電力二極管。 按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類: 1.電壓驅(qū)動型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管); 2.電流驅(qū)動型器件,例如晶閘管、GTO、GTR。 根據(jù)驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類: 1.脈沖觸發(fā)型,例如晶閘管、GTO; 2.電子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類: 1.雙極型器件,例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR; 2.單極型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管; 3.復(fù)合型器件,例如MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH和IGCT。80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。新北區(qū)科技化電子元器件多長時(shí)間
為了保持電子元件運(yùn)作的穩(wěn)定性,通常將它們以合成樹脂(Resin dispensing)包覆封裝,以提高絕緣與保護(hù)不受環(huán)境的影響。?[1]? 元件也許是被動或有源的(passive or active):被動元件(Passive components)是一種電子元件,在使用時(shí)它們沒有任何的增益或方向性。在電路分析(Network analysis)時(shí),它們被稱為電力元件(Electrical elements)。 有源元件(Active components)是一種電子元件,相對于被動元件所沒有的,在使用時(shí)它們有增益或方向性。它們包括了半導(dǎo)體器件與真空管。 端子與連接器:用于電路連接的裝置 端子(Terminal): 電子連接器(Connector):(Closed)、信號插座(Socket)、端子臺(Screw terminal, Terminal Blocks)、信號接頭(Header)。金壇區(qū)關(guān)于電子元器件多長時(shí)間20世紀(jì)50年代,電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。
功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗(yàn),又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點(diǎn)。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,因而能夠有效地減少當(dāng)器件處于高頻工作狀態(tài)時(shí)寄生參數(shù)的影響,這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進(jìn)展:2014年,美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,發(fā)展新一代寬禁帶電力半導(dǎo)體器件。
進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管, 由于不受少子儲存效應(yīng)的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性,不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象;需要擴(kuò)大電流容量時(shí),器件并聯(lián)簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動功率;在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,制造時(shí)對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達(dá)數(shù)十安,阻斷電壓近千伏。按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。
電力二極管:結(jié)構(gòu)和原理簡單,工作可靠; 晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT:開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動,驅(qū)動功率??;缺點(diǎn):開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR:耐壓高,電流大,開關(guān)特性好,通流能力強(qiáng),飽和壓降低;缺點(diǎn):開關(guān)速度低,為電流驅(qū)動,所需驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,存在二次擊穿問題 GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),其通流能力很強(qiáng);缺點(diǎn):電流關(guān)斷增益很小,關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大,開關(guān)速度低,驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,開關(guān)頻率低 電力MOSFET:開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題;缺點(diǎn):電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素:耐壓,電流容量,開關(guān)的速度單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。新北區(qū)正規(guī)電子元器件怎么樣
功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。新北區(qū)科技化電子元器件多長時(shí)間
電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安,阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率,取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡稱少子)的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過程,卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,限制它的抗浪涌能力。新北區(qū)科技化電子元器件多長時(shí)間
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