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當(dāng)同時(shí)連接充電電源和用電設(shè)備時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入邊充邊放模式。在該模式下，芯片會(huì)自動(dòng)關(guān)閉內(nèi)部快充輸入請(qǐng)求。為保證用電設(shè)備的正常充電，DS5036B會(huì)將充電欠壓環(huán)路提高到4.8V以上，以保證優(yōu)先給用電設(shè)備供電。在VSYS電壓只有5V的情況下，開啟放電路徑給用電設(shè)備供電；為了安全考慮，如果VSYS電壓大于5.6V，不會(huì)開啟放電路徑。在邊充邊放過程中，如果拔掉充電電源，DS5036B會(huì)關(guān)閉充電功能，重新啟動(dòng)放電功能給用電設(shè)備供電。為了安全考慮，同時(shí)也為了能夠重新使能用電設(shè)備請(qǐng)求快充，轉(zhuǎn)換過程中會(huì)有一段時(shí)間輸出電壓掉到0V。在邊充邊放過程中，如果拔掉用電設(shè)備、用電設(shè)備充滿持續(xù)15s時(shí)，DS5036B會(huì)自動(dòng)關(guān)閉對(duì)應(yīng)的放電路徑。當(dāng)放電路徑都關(guān)閉，狀態(tài)回到單充電模式時(shí)，會(huì)重新給移動(dòng)電源快充。DS6036B 2~6串30~100W移動(dòng)電源方案優(yōu)勢(shì)：效率高，溫度底。XB4148電源管理IC芯納科技

上海芯龍半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司是一家專注于高性能模擬集成電路研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售的公司，結(jié)合創(chuàng)新的設(shè)計(jì)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈的制造優(yōu)勢(shì)，搭建了產(chǎn)業(yè)化的“芯片設(shè)計(jì)+晶圓制造+封裝測(cè)試”全流程平臺(tái)，自主研發(fā)多項(xiàng)技術(shù)并獲得國內(nèi)外近百項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)，為客戶提供、高可靠性的產(chǎn)品和服務(wù)。公司產(chǎn)品主要包括電源管理、信號(hào)鏈、音頻功放、MEMS傳感器等，廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、通訊設(shè)備、消費(fèi)電子、家用電器、安防監(jiān)控及儀器儀表等領(lǐng)域。公司始終秉承“專業(yè)、專注、務(wù)實(shí)、創(chuàng)新、高效、溝通”的經(jīng)營理念，致力成為世界型的模擬集成電路服務(wù)商。深圳點(diǎn)思鋰電池保護(hù)系列XySemi的產(chǎn)品系列，產(chǎn)品涵蓋從幾毫安時(shí)的小容量電池到幾萬毫安時(shí)的超大容量電池。

解決方案概要 標(biāo)稱電壓2.2～2.4V的鋰二次電池和全固態(tài)電池具有以下特點(diǎn)，也適合于工業(yè)設(shè)備的備份用途、可穿戴設(shè)備及Smartcard等。 可使用LDO進(jìn)行恒壓充電可能。（無需的高價(jià)CV/CC充電IC） 耐過放電，可用于簡單的放電檢測(cè) 因?yàn)槭请姵?，所以能長時(shí)間維持恒定電壓 比起電壓直線下降的Supercap，能更簡單、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高溫對(duì)應(yīng)產(chǎn)品 也有回流對(duì)應(yīng) / 熱層壓加工對(duì)應(yīng)品 關(guān)于充電用LDO 因二次電池的大容量成為負(fù)載，所以低消耗穩(wěn)壓器適合于LDO。 充電時(shí) 可在充電狀態(tài)下使用。 充電后，電池電壓短期內(nèi)上升到LDO的輸出電壓之后，會(huì)逐漸充電。 無需滿充電檢測(cè)，在滿充電后，一般無需關(guān)閉穩(wěn)壓器。 使用時(shí) 可在充電狀態(tài)下使用。 VIN沒有電壓時(shí)，為了不白白消耗儲(chǔ)存在二次電池中的能量，需要防止回流到VIN及使LDO處于待機(jī)狀態(tài)。 在本電路框中，在用SBD防止回流的同時(shí)，通過連接到SBD陽極側(cè)的下拉電阻，成為LDO的CE=“L”，穩(wěn)壓器將處于待機(jī)狀態(tài)。 由此，可從二次電池將消耗電流抑制為穩(wěn)壓器VOUT引腳的微小電流。（稱為“VOUT SINK電流”）

保護(hù)芯片正常工作：保護(hù)芯片上MOS管剛開始可能處于關(guān)斷狀態(tài)，磷酸鐵鋰電池接上保護(hù)芯片后，必須先觸發(fā)MOS管，P+與P-端才有輸出電壓，觸發(fā)常用方法——用一導(dǎo)線把B-與P-短接。 3、保護(hù)芯片過充保護(hù)：在P+與P-上接上一高于電池電壓的電源，電源的正極接B+、電源的負(fù)極接B-，接好電源后，電池開始充電，電流方向如圖所示的I1的流向電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、MOS2到電源負(fù)極，IC通過電容來取樣電池電壓的值，當(dāng)電池電壓達(dá)到4.25v時(shí)，IC發(fā)出指令，使引腳CO為低電平，這時(shí)電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、到達(dá)MOS2時(shí)由于MOS2的柵極與CO相連也為低電平，MOS2關(guān)斷，整個(gè)回路被關(guān)斷，電路起到保護(hù)作用。 4、保護(hù)芯片過放保護(hù)：在P+與P-上接上一合適的負(fù)載后，電池開始放電其電流方向如I2，電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，（這時(shí)MOS2被D2短路）；當(dāng)電池放電到2.5v時(shí)IC采樣并發(fā)出指令，讓MOS1截止，回路斷開，電池被保護(hù)了。DS6066-2S-30W+DC方案：可用于空調(diào)服、加熱服及其他外部DC供電應(yīng)用。

DC/DC轉(zhuǎn)換器在高效率地轉(zhuǎn)換能量方面屬于有效的電源，但因?yàn)榫€圈必須具有磁飽和特性和防止燒毀的特性，使得實(shí)現(xiàn)超薄化較為困難。一般情況下只得在成平面形狀的電路板上安裝IC、線圈及電容，這種解決方案不利于產(chǎn)品的小型化。 為了解決以上的問題，進(jìn)行了以下幾種思考和設(shè)計(jì)。首先是在硅晶圓上形成線圈的方法，為了確保作為DC/DC轉(zhuǎn)換器時(shí)具有足夠的電感值，半導(dǎo)體工藝變得極為復(fù)雜，使得成本上升。實(shí)際上只停留在高頻濾波器方面的應(yīng)用。其次是把線圈和DC/DC轉(zhuǎn)換器IC封入一個(gè)塑料模壓封裝組件中的方法，因?yàn)橹皇菃渭兊匮b入元器件縮小不了太多的安裝面積，不能帶來大程度的改善。 進(jìn)而出現(xiàn)了不是平面地放置各種元器件，而是把包括IC的元器件疊在一起的設(shè)計(jì)方案,實(shí)際上也出現(xiàn)的幾種這樣的產(chǎn)品。但是這種方案要么需要在線圈上印制布線用的圖案，要么需要CSP（芯片尺寸級(jí)封裝）型IC,要么在封裝IC時(shí)必須實(shí)施模壓工程，使得制作工程復(fù)雜，帶來了產(chǎn)生成本上升的課題。鋰電池保護(hù)芯片的作用。XS5309C電源管理IC芯納科技

耐高壓二合一鋰電保護(hù)。XB4148電源管理IC芯納科技

芯納科技代理的 XYSEMI / 賽芯微涵蓋了豐富多樣的型號(hào)，諸如 XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S - SM、XB6030Q2S - SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS等型號(hào)。 XB4148電源管理IC芯納科技