XBM3215DGB電源管理IC兩串兩節(jié)保護

來源: 發(fā)布時間:2024-01-04

鋰電池PACK設(shè)計過程中鋰電池保護IC是保護芯片的,首先取樣電池電壓,然后通過判斷發(fā)出各種指令。MOS管:它主要起開關(guān)作用 2、保護芯片正常工作:保護芯片上MOS管剛開始可能處于關(guān)斷狀態(tài),電池接上保護芯片后,必須先觸發(fā)MOS管,P+與P-端才有輸出電壓,觸發(fā)常用方法——用一導(dǎo)線把B-與P-短接。 3、保護芯片過充保護:在P+與P-上接上一高于電池電壓的電源,電源的正極接B+、電源的負極接B-,接好電源后,電池開始充電,電流方向如圖所示的I1的流向電流從電源正極出發(fā),流經(jīng)電池、D1、MOS2到電源負極(這時MOS1被D1短路),IC通過電容來取樣電池電壓的值,當電池電壓達到4.25v時,IC發(fā)出指令,使引腳CO為低電平,這時電流從電源正極出發(fā),流經(jīng)電池、D1、到達MOS2時由于MOS2的柵極與CO相連也為低電平,MOS2關(guān)斷,整個回路被關(guān)斷,電路起到保護作用。 鋰電池充放電管理 (輸入5V輸出1.5V)鋰電轉(zhuǎn)干電池充放電管理芯片。XBM3215DGB電源管理IC兩串兩節(jié)保護

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鋰電保護的選型:電池充滿電壓 + 充、放電電流(不同于分離式鋰電保護) 輔助信息:電池容量,產(chǎn)品應(yīng)用 。 電池安全,首先要有保護,再有選型要正確鋰電保護在保護電池安全上是二次保護,如:過充保護時,一級保護是充電管理,過放保護的一級保護是主芯片等。所以在選型時,要考慮到鋰電保護是二次保護的特性,鋰電保護的過充電壓要高于充電管理的過充電壓的值(不能有重合區(qū)間),鋰電保護的過放電壓要低于主芯片的過放電壓的值等。鋰電保護的選型:電池充滿電壓 + 充、放電電流(不同于分離式鋰電保護)XLD6031P33電源管理IC拓微電子鋰電保護(帶船運,XBL6015-SM,DFN1*1)。

XBM3215DGB電源管理IC兩串兩節(jié)保護,電源管理IC

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 電荷泵是通過時鐘信號、電容器和開關(guān)(FET或二極管)使電壓升壓或反轉(zhuǎn)的電路。 電荷泵具有以下特點。優(yōu)點由電容器、開關(guān)(二極管)構(gòu)成,節(jié)省空間無需線圈輻射噪聲小可升壓/負電壓 缺點不能輸出大電流由于利用電容器充放電,所以脈動電壓大想要低價制作高電壓和負電壓時,經(jīng)常使用時鐘信號(DC/DC的開關(guān)節(jié)點等)和二極管的二極管電荷泵。在此,介紹使用二極管電荷泵的反轉(zhuǎn)電源制作方法的原理和實例。電荷泵是通過時鐘信號、電容器和開關(guān)(FET或二極管)使電壓升壓或反轉(zhuǎn)的電路。 電荷泵具有以下特點。優(yōu)點由電容器、開關(guān)(二極管)構(gòu)成,節(jié)省空間無需線圈輻射噪聲小可升壓/負電壓 缺點不能輸出大電流由于利用電容器充放電,所以脈動電壓大想要低價制作高電壓和負電壓時,經(jīng)常使用時鐘信號(DC/DC的開關(guān)節(jié)點等)和二極管的二極管電荷泵。在此,介紹使用二極管電荷泵的反轉(zhuǎn)電源制作方法的原理和實例。

賽芯微XBL6015-SM二合一鋰電保護,集成MOS,支持船運模式,關(guān)機電流低至1nA。 XB6015-SM的特點: 1.低功耗,工作電流0.4uA,關(guān)機電流1nA; 2.更貼近應(yīng)用的保護電流,充電過流300mA,放電過流150mA,短路電路450mA; 3.高集成度,集成MOS,支持船運模式,集成虛焊保護功能; 4.高可靠性,支持充電器反接功能,支持帶負載電芯防反接功能,ESD 8KV; 5.更好的匹配性,鋰電保護無管壓降,可以支持不同類型的充電芯片; 6.系列化,支持4.2-4.5V的電芯平臺。正極保護的鋰電池保護方案。

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一個是防止充電器的浪涌,與10uF電容一起做RC濾波,保護充電管理. 對充電器頻繁熱插拔的高壓浪涌、對目前市場上的各種參差不齊的手機充電器,加這個電阻對產(chǎn)品的可靠性增加,從某種程度上說有一點系統(tǒng)TVS的效果。 所以這個電阻的功率稍微留點點余量。 二個是可以起到分壓的作用,因為是線性充電,如果電池電壓3.3V,這時充電處于快充階段(設(shè)定450mA),如果輸入5V,芯片自身將產(chǎn)生(5-3.3)*0.45=765mW的熱量,芯片太燙,充電電流就會變得小些。而如果加0.5ohm電阻,該電阻將產(chǎn)生0.225V的壓降,將能降低一些芯片的功耗,進而降低芯片溫度,使得芯片可以保證以設(shè)定的450mA持續(xù)快速充電。但這個電阻不能大,因為如果大,上面產(chǎn)生的壓差大,會影響電池電壓4V以上時的快速充電,也會影響充電器輸入電壓偏低時仍然能以較大電流快速充電。經(jīng)銷批發(fā)賽芯XySemi鋰電池保護 XySemi的一級代理商。BP5301C電源管理IC上海芯龍

正極保護IC、的鋰電池保護方案。XBM3215DGB電源管理IC兩串兩節(jié)保護

ESD( Electrostatic Discharge)靜電放電:在半導(dǎo)體芯片行業(yè),根據(jù)靜電產(chǎn)生方式和對電路的損傷模式不同,可以分為以下四種方式:人體放電模式(HBM:Human-body Model)、機器放電模式 (MM:Machine Model)、元件充電模式(CDM:Charge-Device Model)、電場感應(yīng)模式(FIM:Field-Induced Model),但業(yè)界關(guān)注的HBM、MM、CDM。以上是芯片級ESD,不是系統(tǒng)級ESD; 芯片級ESD:HBM 大于2KV,較高的是8KV。 系統(tǒng)級ESD:接觸ESD和空氣ESD,指的是系統(tǒng)加上外置器件做的系統(tǒng)級的ESD,一般空氣是15KV,接觸是8KV。XBM3215DGB電源管理IC兩串兩節(jié)保護

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